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谭秋红

作品数：15 被引量：0H指数：0
供职机构：云南师范大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：一般工业技术电子电信自动化与计算机技术电气工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 14篇专利
  • 1篇期刊文章

领域

  • 2篇电子电信
  • 2篇一般工业技术
  • 1篇电气工程
  • 1篇自动化与计算...

主题

  • 8篇电极
  • 6篇探测器
  • 6篇光电
  • 6篇光电探测
  • 6篇光电探测器
  • 4篇铁电存储器
  • 4篇存储器
  • 3篇异质结
  • 3篇钙钛矿
  • 3篇SUB
  • 2篇电池
  • 2篇修饰
  • 2篇氧化铪
  • 2篇异质结太阳电...
  • 2篇杂化
  • 2篇石墨
  • 2篇石墨烯
  • 2篇太阳电池
  • 2篇铁电
  • 2篇透明导电

机构

  • 15篇云南师范大学

作者

  • 15篇谭秋红
  • 13篇王前进
  • 12篇刘应开
  • 7篇杨志坤
  • 6篇蔡武德
  • 3篇张超
  • 2篇张霞
  • 1篇蒋绍全
  • 1篇谭秋艳
  • 1篇罗文平
  • 1篇王前进
  • 1篇王益

传媒

  • 1篇物理学报

年份

  • 4篇2023
  • 1篇2022
  • 1篇2021
  • 2篇2020
  • 1篇2019
  • 1篇2018
  • 3篇2017
  • 2篇2016
共 15 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种基于钙钛矿双栅碳纳米管铁电存储器
本实用新型属于存储器技术领域，具体涉及一种基于钙钛矿双栅碳纳米管铁电存储器，包括衬底层、栅电极、铁电绝缘层、碳纳米管条纹阵列、源电极和漏电极，所述衬底层上设置有栅电极，栅电极上设置有铁电绝缘层，铁电绝缘层上设置有碳纳米管...
谭秋红王前进刘应开杨志坤罗文平谭秋艳
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一种计算过渡金属氧化物能带结构的方法
本发明涉及一种利用Quantum‑ESPRESSO软件计算过渡金属氧化物能带结构的方法，属于计算材料学领域。Quantum‑ESPRESSO软件基于密度泛函理论计算材料的电子结构，同时考虑了过渡金属的d电子和O的2p电子...
王前进谭秋红刘应开
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一种基于石墨烯电极的层状二硫化钼铁电存储器
本实用新型属于存储器技术领域，具体涉及一种基于石墨烯电极的层状二硫化钼铁电存储器，包括栅电极、铁酸铋铁电绝缘层、二硫化钼沟道层、石墨烯源电极和漏电极，所述栅电极上设置有铁酸铋铁电绝缘层，铁酸铋铁电绝缘层上设置有二硫化钼沟...
谭秋红杨必想张粉祝王前进刘应开蔡武德杨志坤
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一种薄膜晶硅钙钛矿异质结太阳电池及其制备方法
本发明公开了一种薄膜晶硅钙钛矿异质结太阳电池及其制备方法，该太阳电池包括柔性透明导电基底、P型薄膜晶硅窗口层、柔性钙钛矿光吸收层、柔性电子传输层和柔性背电极，柔性透明导电基底由第一柔性衬底通过直流溅射法沉积透明导电金膜制...
谭秋红任丽张超张霞赵吉玉杨志坤蔡武德
一种基于杂化材料的光电探测器及其制备方法
本发明公开了一种基于杂化材料的光电探测器及其制备方法，具体为CH<Sub>3</Sub>NH<Sub>3</Sub>PbI<Sub>3</Sub>NAs/CdSe NBs光电探测器及其制备方法，先是将CdSeNBs分散在...
王前进任文萍谭秋红刘应开
基于Au修饰MoS<Sub>2</Sub>电极的钙钛矿/石墨烯杂化光电探测器
本实用新型属于光电探测器领域，具体设计基于Au修饰MoS<Sub>2</Sub>电极的钙钛矿/石墨烯杂化光电探测器，至下而上包括包括栅电极，栅极绝缘层，垂直石墨烯纳米墙/钙钛矿结构，Au修饰MoS<Sub>2</Sub>...
谭秋红任文萍王前进刘应开
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一种基于氧化铪缺陷调控层石墨烯铁电存储器
本实用新型属于存储器技术领域，具体涉及一种基于氧化铪缺陷调控层石墨烯铁电存储器，包括衬底层、栅电极、缺陷调控层、铁电绝缘层、石墨烯层、源电极和漏电极，所述衬底层上设置有栅电极，栅电极上设置有缺陷调控层，缺陷调控层上设置有...
谭秋红王前进刘应开蔡武德杨志坤
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锁相环频率合成器电路系统
本实用新型涉及一种锁相环频率合成器电路系统，包括用于供电的电源模块、微控制器模块、串口通信模块、按键及液晶屏、锁相环芯片、环路滤波器、有源晶振，串口通信模块用于将写好的程序下载到微控制器模块，按键与微控制器模块相连，并用...
谭秋红张永伟蒋绍全王前进杨志坤张超
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一种薄膜晶硅钙钛矿异质结太阳电池及其制备方法
本发明公开了一种薄膜晶硅钙钛矿异质结太阳电池及其制备方法，该太阳电池包括柔性透明导电基底、P型薄膜晶硅窗口层、柔性钙钛矿光吸收层、柔性电子传输层和柔性背电极，柔性透明导电基底由第一柔性衬底通过直流溅射法沉积透明导电金膜制...
谭秋红任丽张超张霞赵吉玉杨志坤蔡武德
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一种基于氮氧化铪栅绝缘层室温制备的并五苯薄膜晶体管
本实用新型属于存储器技术领域，具体涉及一种基于氮氧化铪栅绝缘层室温制备的并五苯薄膜晶体管，包括栅电极、氮氧化铪绝缘层、并五苯沟道层、源电极和漏电极，所述栅电极上设置有氮氧化铪绝缘层，氮氧化铪绝缘层上设置有并五苯沟道层，并...
谭秋红王前进刘应开王益蔡武德杨志坤
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