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周超

作品数:29 被引量:26H指数:3
供职机构:兰州空间技术物理研究所更多>>
发文基金:国家自然科学基金国防科技重点实验室基金中国人民解放军总装备部预研基金更多>>
相关领域:一般工业技术金属学及工艺理学电子电信更多>>

文献类型

  • 17篇专利
  • 11篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 6篇一般工业技术
  • 4篇金属学及工艺
  • 2篇电子电信
  • 2篇理学
  • 1篇化学工程
  • 1篇机械工程
  • 1篇自动化与计算...
  • 1篇航空宇航科学...
  • 1篇文化科学

主题

  • 4篇吸气剂
  • 3篇溅射
  • 2篇电致变色
  • 2篇原子层沉积
  • 2篇原子氧
  • 2篇真空封装
  • 2篇致密
  • 2篇中间层
  • 2篇涂层
  • 2篇热控
  • 2篇热控材料
  • 2篇热控涂层
  • 2篇子层
  • 2篇吸气性能
  • 2篇吸氢
  • 2篇硅氧烷
  • 2篇航天
  • 2篇航天器
  • 2篇反射率
  • 2篇非蒸散型吸气...

机构

  • 29篇兰州空间技术...
  • 2篇上海大学
  • 1篇北京理工大学
  • 1篇厦门大学

作者

  • 29篇周超
  • 18篇王虎
  • 15篇何延春
  • 15篇李学磊
  • 12篇李坤
  • 11篇周晖
  • 9篇杨淼
  • 9篇王志民
  • 9篇王艺
  • 8篇王兰喜
  • 8篇熊玉卿
  • 8篇张凯锋
  • 7篇高恒蛟
  • 6篇曹生珠
  • 6篇李林
  • 4篇吴春华
  • 3篇李得天
  • 3篇马占吉
  • 3篇冯煜东
  • 3篇左华平

传媒

  • 4篇真空与低温
  • 2篇表面技术
  • 2篇真空科学与技...
  • 1篇材料导报
  • 1篇光电子技术
  • 1篇空间碎片研究

年份

  • 5篇2024
  • 5篇2023
  • 3篇2022
  • 5篇2021
  • 2篇2020
  • 1篇2019
  • 3篇2018
  • 2篇2017
  • 1篇2016
  • 2篇2015
29 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
一种高致密复合型原子氧防护薄膜的制备方法
本发明公开了一种高致密复合型原子氧防护薄膜的制备方法,通过等离子体增强原子层沉积技术在有机材料基底上制备SiO<Sub>x</Sub>薄膜种子层。采用化学气相沉积技术在SiOx薄膜种子层上制备硅氧烷膜中间层。采用等离子体...
李中华熊玉卿周晖李毅何延春王志民王虎王艺李林高恒蛟李坤李学磊周超黄骁
一种锆基吸气剂薄膜制备方法
本发明公开了一种锆基吸气剂薄膜制备方法,涉及表面工程技术领域,将锆基合金靶材溅射沉积在MEMS器件的内壁上形成锆基吸气剂薄膜,在真空封装过程中锆基吸气剂薄膜被激活,达到维持MEMS器件真空运行环境的目的。本发明的技术方案...
马占吉周超冯兴国周晖杨拉毛草张延帅贵宾华胡汉军郑玉刚
退火温度对Ta_(2)O_(5)薄膜光学和表面特性的影响
2024年
针对退火温度影响Ta_(2)O_(5)薄膜的光学和表面特性的问题,采用电子束蒸发技术在石英基底上制备了该薄膜,并将薄膜样品分别在200℃、400℃和600℃下进行退火。利用光谱仪测试了薄膜的透射率并反演计算得到薄膜的折射率和消光系数的变化规律,采用X射线衍射仪和原子力显微镜表征了薄膜的表面性能。研究表明,薄膜透射率曲线的峰值随退火温度升高而显著提升。随着退火温度升高,薄膜的折射率和消光系数均逐渐变大,表面粗糙度呈现下降的趋势,表面变得致密。退火前后薄膜均为非晶态。该研究为进一步提高Ta_(2)O_(5)薄膜的性能提供了试验数据。
李坤何延春王兰喜周超贺颖王虎王艺熊玉卿
关键词:退火温度光学
氩气和氪气磁控溅射对Zr-Co-RE薄膜微观结构和吸氢性能的影响
2024年
为了获得吸气性能较好的Zr-Co-RE(RE为La和Ce稀土元素)吸气剂薄膜,采用直流磁控溅射方法,分别在氩气和氪气气氛中,通过改变沉积气压研究制备了不同结构的Zr-Co-RE薄膜。运用场发射扫描电镜、X射线衍射仪分析了不同溅射气压下溅射气氛对薄膜结构的影响;采用动态定压法分别测试了在氩气和在氪气中沉积的薄膜的吸氢性能,分析了溅射气氛和薄膜结构对吸氢性能的影响。结果表明,在同等气压下,用氩气溅射沉积的薄膜较致密,用氪气溅射沉积的薄膜表面分布有较多的团簇结构和裂纹结构,薄膜呈明显的柱状结构,且柱状组织间分布着大量的界面和间隙,为气体扩散提供了更多的路径;随着氩气和氪气气压增大,薄膜含有更多的裂纹和间隙结构,连续性柱状结构生长更明显,裂纹更深更宽,比表面积更大,有利于提高薄膜的吸氢性能。
周超马占吉何延春杨拉毛草王虎李得天
关键词:直流磁控溅射氪气溅射气压吸氢性能
MEMS器件真空封装用非蒸散型吸气剂薄膜研究概述被引量:11
2019年
MEMS器件是机械电子系统未来的发展趋势。许多MEMS器件需要进行真空封装,从最大程度地减少残余气体,且真空封装水平的高低决定了器件的性能优劣甚至决定器件能否正常工作。常规的MEMS器件封装是在真空腔内放置块体吸气剂,占空间且容易产生微小颗粒污染。在器件的真空腔室内镀上吸气剂薄膜,吸气剂薄膜在器件高温键合的同时被激活,就可在后期维持真空腔内的真空度。非蒸散型吸气剂薄膜激活后在室温下即具有优异的吸气性能,应用于MEMS器件真空封装可以提高器件的寿命和可靠性。目前,提高非蒸散型吸气剂薄膜的吸气性能,降低其激活温度是国内外研究的焦点。本文简要介绍了非蒸散型吸气剂薄膜的吸气原理,从膜系材料和制备技术两方面分析了国内外研究现状。在膜材料方面,目前采用ⅣB族+ⅤB族组合的三元合金作为非蒸散型吸气剂薄膜的膜系材料。另外,在材料中掺入Fe、稀土元素等进行薄膜结构的修饰也是较常用的手段。值得指出的是,TiZrV合金薄膜是兼具较好的吸气性能和最低激活温度的非蒸散型吸气剂(NEG)薄膜。在制备技术方面,MEMS器件用非蒸散型吸气剂薄膜一般采用磁控溅射镀膜,磁控溅射镀膜工艺的关键是制备出柱状的纳米晶结构,该结构存在大量的晶界,可促进原子的扩散,降低激活温度。磁控溅射镀膜工艺的研究围绕靶材选择、基片温度、溅射电压、溅射气氛等。探索综合性能更优的新型材料体系和增大薄膜的比表面积仍然是目前非蒸散型吸气剂薄膜研究的关键。本文最后对非蒸散型吸气剂薄膜的研究趋势进行了展望,指出加入调节层的双层膜的激活性能和吸气性能优于单层膜,但调控机理有待明确,今后可以在TiZrV薄膜研究的基础上进一步进行双层薄膜的研究,也可横向拓展进行新型薄膜体系,如ZrCoRE等新型合金薄膜的研
周超李得天周晖张凯锋曹生珠
关键词:磁控溅射
MEMS电容薄膜真空计关键技术研究被引量:2
2022年
为了实现真空测量仪器的小型化,开展了MEMS电容薄膜真空计的研制。首先研制了差压式结构,以验证感压薄膜的性能,之后研制了绝压式结构,通过不断优化迭代,最后完成绝压式MEMS电容薄膜真空计样机研制。性能测试结果表明,真空计的测量范围为0.2~103 Pa,分辨率0.1 Pa,全量程准确度0.1%FS。对研制过程中解决的关键技术,如“平整大宽厚比感压薄膜制备”“非蒸散型吸气剂薄膜制备”“传感器封装”等进行了介绍,并对未来工作进行了展望。
李刚韩晓东周超李得天
关键词:MEMS技术
工艺参数对硫化锌薄膜光学性能和结晶特性的影响被引量:3
2021年
目的研究离子源偏压和沉积温度的变化对硫化锌薄膜光学性能和结晶性能的影响规律。方法采用电子束蒸发技术,在K9玻璃基片上制备了硫化锌薄膜。采用分光光度计测试了薄膜的光学性能,利用光谱反演法得出薄膜的折射率和消光系数随波长的变化规律。采用X射线衍射法测试薄膜的结晶状态。结果随着离子源偏压的增加,薄膜折射率逐渐减小,但变化幅度不大,当离子源偏压为160 V时,1000 nm波长处的薄膜折射率达到最小值2.210。开启加热之后,薄膜折射率显著提高,且随着沉积温度的升高,薄膜折射率逐渐增大,沉积温度为210℃时,1000 nm波长处薄膜折射率达到最大值2.312。两种工艺参数下制备的薄膜,其消光系数均很小。单纯的离子源辅助沉积时,薄膜生长择优取向是(220)晶向,而基底加热状态下沉积的薄膜生长择优取向是(111)晶向。随着离子源偏压增加,薄膜(220)峰的衍射强度降低。沉积温度越高,薄膜(111)峰的衍射强度越大。结论硫化锌薄膜的光学特性对沉积温度的变化更为敏感,离子源偏压和沉积温度的改变均能显著影响硫化锌薄膜的结晶状态。
李坤熊玉卿王虎何延春王兰喜周超周晖
关键词:电子束蒸发硫化锌偏压
一种双工位NEG吸气性能测试装置设计
2024年
文章设计了可选择定压法或定容法测量非蒸散型吸气剂(NEG)吸气性能的测试装置,装置设计有两个结构对称的测试工位,可同时对两个测试样品进行预处理和性能测试,装置结构设计合理紧凑,测试效率高。测试装置可直接通过软件输出吸气速率和吸气量等性能参数。测试结果表明该装置本底真空度高,其中样品室真空度优于1×10^(−7) Pa,漏放气速率小于3×10^(−7) Pa·L/s;测试数据精度高且可靠,其中吸气速率测量精度达1 mL/s,吸气量测量精度达1 Pa·mL。
戎振华成永军陈联孙雯君董猛周超冯天佑马占吉
关键词:双工位定容法吸气性能
一种热真空环境柔性航天器充气展开试验方法
本发明提供了一种热真空环境柔性航天器充气展开试验方法,能够对柔性航天器在热真空环境下的充气展开功能进行试验。涉及柔性航天器试验条件、安装承载方式以及柔性展开结构充气展开过程监测,可以验证柔性航天器的充气展开功能,完成热真...
李林周晖王虎曹生珠邢振华郝宏高恒蛟李学磊周超苟世宁
文献传递
一种性能稳定的电致变色薄膜及其制备方法
本发明属于表面工程技术领域,具体涉及一种性能稳定的电致变色薄膜及其制备方法。一种性能稳定的电致变色薄膜,所述薄膜的膜系结构由下到上依次包括基底、导电电极、离子储存层、过渡层、电解质层、过渡层、电致变色层和透明导电层,膜系...
周超杨斓何延春吴春华王志明李林
文献传递
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