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胡廷伟

作品数：4 被引量：0H指数：0
供职机构：西安文理学院物理与机械电子工程学院更多>>
相关领域：电子电信理学机械工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 4篇国内会议论文

领域

  • 2篇电子电信
  • 1篇机械工程
  • 1篇理学

主题

  • 2篇应力
  • 2篇扫描隧道显微...
  • 2篇山脊
  • 2篇RHEED
  • 2篇STM
  • 2篇6H-SIC
  • 2篇超高真空

机构

  • 4篇西安交通大学
  • 2篇西安文理学院

作者

  • 4篇胡廷伟
  • 3篇徐可为
  • 2篇马飞
  • 2篇马大衍

传媒

  • 1篇中国真空学会...

年份

  • 2篇2014
  • 2篇2012
共 4 条 记 录，以下是 1-4
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排序方式：
高质量外延石墨烯的制备与表征
二维单层晶体材料石墨烯由于具有优异的电学、光学和机械性能，使得其在微器件领域内发展潜力巨大。高质量大面积石墨烯的制备是制约其应用的一个关键因素。本文阐述了在超高真空条件下，通过SiC 热解法来制备外延石墨烯，并利用原位扫...
徐可为胡廷伟马大衍马飞
关键词：超高真空扫描隧道显微镜
外延石墨烯边界山脊结构形成机制的研究
本论文在超高真空分子束外延(MBE)系统中对单晶6H-SiC逐步升温退火,在1250℃～1350℃温度范围内(6(√3)×6(√3))R30°重构表面外延生长出高质量的单晶石墨烯.利用原位反射式高能电...
胡廷伟马飞马大衍徐可为
关键词：6H-SICRHEEDSTM应力山脊
高质量外延石墨烯的制备与表征
二维单层晶体材料石墨烯由于具有优异的电学、光学和机械性能,使得其在微器件领域内发展潜力巨大。高质量大面积石墨烯的制备是制约其应用的一个关键因素。本文阐述了在超高真空条件下,通过SiC热解法来制备外延石墨烯,并利用原位扫描...
徐可为胡廷伟马大衍马飞
关键词：超高真空扫描隧道显微镜
文献传递
外延石墨烯边界山脊结构形成机制的研究
本论文在超高真空分子束外延(MBE)系统中对单晶6H-SiC逐步升温退火,在1250℃～1350℃温度范围内(6(3～(1/2))×6(3～(1/2)))R30°重构表面外延生长出高质量的单晶石墨烯。利用原位反射式高能电...
胡廷伟马飞马大衍徐可为
关键词：6H-SICRHEEDSTM应力山脊
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