王文奇
- 作品数：8 被引量：1H指数：1
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- 相关领域：电子电信理学电气工程金属学及工艺更多>>
- 基于p-n结中反常光电转换现象的新型带间跃迁量子阱红外探测器被引量：1
- 2018年
- 实验发现p-n结中局域载流子具有极高抽取效率,同时伴随着吸收系数的大幅度增加.本文报道上述现象的发现和验证过程,以及基于此现象的新型带间跃迁量子阱红外探测器(interband transition quantum well infrared detector,IQWIP)原型器件的性能.采用共振激发光致发光光谱技术,在InGaN量子阱、InGaAs量子阱、InAs量子点等多个材料体系中均观察到了在p-n结电场作用下的载流子高效逃逸现象,抽取效率分别为95%,87.5%,88%.利用含有InGaAs/GaAs多量子阱的PIN二极管,实验尝试了制备新型的IQWIP原型器件.在无表面减反射膜的实验条件下,利用仅100 nm的有效吸收厚度,实现了31%的外量子效率.基于这个数值推算得到量子阱的光吸收系数达到3.7×10~4cm^(-1),该数值高于传统透射实验测量体材料和量子阱结果.此外,还利用InAsSb/GaSb量子阱材料体系进行了2μm以上波长红外探测的探索.利用上述现象,有望在提高现有器件性能的同时开发出新颖的光-电转换器件.
- 刘洁王禄王禄孙令吴海燕王文奇马紫光王文新江洋马紫光
- 关键词：带间跃迁P-N结载流子输运光致发光
- 分子束外延生长InAsSb材料的组分控制
- 采用分子束外延方法在GaSb衬底上生长了不同组分的InAs1-xSbx外延层.实验发现,在生长InAsSb薄膜时,Sb束流相比As束流具有更高的并人能力.利用这一特点,成功实现了双Ⅴ族材料InAsSb薄膜材料的组分控制....
- 孙庆灵王禄王文奇孙令王文新贾海强陈弘
- 1.0eV GaAs基InAs量子点太阳能电池
- 2017年
- 三结InGaP/GaAs/Ge太阳能电池理论设计中加入带隙为1.0 eV的材料代替带隙为1.4 eV的GaAs中间电池有助于解决多结串联电池的电流阻塞效应实现电流匹配,然而带隙为1.0 eV的InGaAs和GaInNAs外延困难.我们利用分子束外延方法外延得到In0.15Ga0.85As量子阱,InAsdots-in-well量子点以调整太阳能电池带隙.X射线衍射谱中观察到了量子阱的多级卫星衍射峰,量子阱界面陡峭.扫描透射图显示量子点呈金字塔状,量子点的高度约为12 nm,底边长约为27 nm.由原子力显微镜图可知,量子点密度约为2×10^(10) cm^(-2).低温光致发光谱显示量子点在As4束流下呈双模分布.光电流响应谱显示InAsdots-in-well量子点太阳能电池吸收波长可以达到1300 nm,相应于带隙约为1.0 eV.器件J-V特性显示短路电流相比于GaA s标准p-i-n电池增加了37.8%.这表明该InAsdots-in-well量子点太阳能电池有望改善多结太阳能电池的设计中的电流阻塞效应,实现电流匹配,在多结太阳能电池的设计中具有广阔的应用前景.
- 王文奇王禄王禄马紫光江洋刘洁马紫光贾海强孙令
- 关键词：量子点太阳能电池
- GaSb/InGaAs/InAlAs量子点中Sb元素偏析的纳米级调制
- Sb元素的偏析在Sb化物低维半导体材料极为明显.Sb元素偏析导致低维半导体材料中组分基线展宽,从而形成更宽的激射峰宽以及更弱的量子限制效应.在本文中我们报道,利用分子束外延生长于InP衬底上的GaSb量子点的偏析可通过应...
- 王禄孙令孙庆灵王文奇常云杰王文新陈弘
- GaSb衬底上InAsSb材料的电学性能研究
- 2016年
- 采用分子束外延(MBE)法在GaSb衬底上生长了不同组分的InAsSb外延膜。通过引入Al GaSb插层,实现对导电GaSb衬底上InAsSb材料电学性质的定性表征,并研究了生长温度和晶格失配对InAsSb外延层电学性能的影响。测试结果表明,在较低生长温度下获得的样品表面会形成缺陷,且其电学性能较差。对于一定晶格失配的样品,提高生长温度能获得较好的电学性能。
- 孙庆灵姚官生曹先存王禄王文奇孙令王文新贾海强陈弘
- 关键词：INASSB电学性能分子束外延
- 分子束外延生长InAsSb材料的组分控制（英文）
- 2016年
- 采用分子束外延方法在GaAs和GaSb衬底上生长了一系列InAsSb薄膜,研究了Sb组分与Sb4束流间关系.实验发现,在分子束外延生长中,相比As原子,Sb原子更易并入晶格中.利用该特性可较好实现InAsSb材料的组分控制.
- 孙庆灵王禄姚官生曹先存王文奇孙令王文新贾海强陈弘
- As元素分子态对InGaAs/AlGaAs量子阱红外探测器暗电流水平的影响
- 暗电流是构成InGaAs/AlGaAs量子阱红外探测器噪声的主要因素。研究发现As4和As2两种分子的不同分子态对暗电流水平有很大的影响。在不同As元素分子态条件下单层AlGaAs的光致发光谱的测量发现,Ad模式下生长的...
- 孙令王禄甄红楼孙庆灵王文奇王文新贾海强陈弘
- 关键词：暗电流
- 基于量子阱带间跃迁的红外探测器原型器件（英文）被引量：1
- 2017年
- 近期,实验发现PN结中局域载流子具有极高提取效率,并导致吸收系数的大幅度增加.文中报道基于上述现象的新型量子阱带间跃迁红外探测器原型器件的性能.利用含有InGaAs/GaAs多量子阱的PIN二极管,在无表面减反射膜的实验条件下,利用仅100 nm的有效吸收厚度,实现了31%的外量子效率.基于该数值推算得到,量子阱的光吸收系数达3.7×10~4cm^(-1),该数值高于传统透射实验测量结果一个数量级.上述实验结果指出,利用量子阱带间跃迁工作机制,有望实现新颖的器件结构设计和提高现有器件性能.
- 刘洁王禄江洋马紫光王文奇孙令贾海强王文新陈弘
- 关键词：带间跃迁光子探测器
