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马康夫

作品数：3 被引量：18H指数：3
供职机构：中国电子科技集团公司第二研究所更多>>
发文基金：山西省自然科学基金国际科技合作与交流专项项目国家自然科学基金更多>>
相关领域：化学工程理学电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 3篇中文期刊文章

领域

  • 3篇化学工程
  • 1篇电子电信
  • 1篇理学

主题

  • 3篇粉料
  • 2篇碳化硅
  • 2篇高纯
  • 1篇高真空
  • 1篇合成工艺
  • 1篇SIC
  • 1篇H

机构

  • 3篇中国电子科技...

作者

  • 3篇王英民
  • 3篇马康夫
  • 3篇李斌
  • 2篇徐伟
  • 2篇魏汝省
  • 1篇毛开礼

传媒

  • 3篇电子工艺技术

年份

  • 1篇2017
  • 2篇2016
共 3 条 记 录，以下是 1-3
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排序方式：
高真空下合成生长单晶用高纯碳化硅粉料被引量：6
2017年
采用自蔓延法合成单晶生长用高纯SiC粉料,特别地,将β-SiC合成过程放在高真空下进行,随后利用所合成的碳化硅粉料进行了碳化硅单晶生长。利用XRD、Raman光谱、SIMS(二次离子质谱仪)和非接触式电阻率测试仪等测试手段对合成粉料的物相、晶型以及碳化硅单晶的纯度和电阻率等参数进行了表征。研究发现,将β-SiC合成过程放在高真空下进行,有助于高纯SiC粉料纯度的提升,特别是N浓度的降低。此外,高真空条件下合成的高纯碳化硅粉料有利于高纯半绝缘碳化硅单晶生长。
李斌马康夫王英民魏汝省毛开礼徐伟
关键词：高真空碳化硅粉料
通H_2合成生长单晶用高纯碳化硅粉料被引量：4
2016年
采用碳硅直接反应并在生长过程中通氢气的方法来合成单晶生长用高纯Si C粉料。利用XRD、Raman、粒度测试仪和GDMS(辉光放电质谱仪)等测试手段来对合成粉料的物相、晶型、粒度和纯度等参数进行了表征。最后利用生长过程中通H2合成的碳化硅粉料进行了碳化硅单晶生长,并采用SIMS(二次离子质谱仪)和非接触式电阻率测试仪对碳化硅单晶的纯度以及电学性质进行了表征。发现生长过程中通H2有利于高纯Si C粉料纯度的提升,此外,通H2合成的高纯碳化硅粉料有利于高纯半绝缘碳化硅单晶的生长。
马康夫王英民李斌魏汝省
关键词：高纯碳化硅粉料
生长单晶用SiC粉料合成工艺研究进展被引量：10
2016年
Si C以其优异的物理化学性能在很多领域都有着广泛的应用前景,做为第三代半导体材料,Si C单晶是制作高频、大功率电子器件的理想材料。针对用于单晶生长的高纯Si C粉料的合成方法与合成工艺的研究现状进行了阐述,并对不同合成方法优缺点进行了评述,不同合成工艺对合成产物的影响进行了总结,提出了生长单晶用Si C粉料的研究方向。
马康夫王英民李斌徐伟
关键词：SIC粉料
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