您的位置： 专家智库 > >

郭秀珍

作品数：8 被引量：0H指数：0
供职机构：华南理工大学更多>>
相关领域：电气工程经济管理更多>>

合作作者

文献类型

  • 6篇专利
  • 2篇学位论文

领域

  • 1篇经济管理
  • 1篇电气工程

主题

  • 4篇纳米
  • 4篇纳米晶
  • 4篇纳米晶薄膜
  • 2篇倒装
  • 2篇倒装结构
  • 2篇电器件
  • 2篇掩膜
  • 2篇掩膜版
  • 2篇阳极
  • 2篇阴极
  • 2篇载流子
  • 2篇溶液法
  • 2篇势垒
  • 2篇碲化镉
  • 2篇螯合剂
  • 2篇肖特基
  • 2篇肖特基势垒
  • 2篇漏电
  • 2篇漏电现象
  • 2篇界面层

机构

  • 8篇华南理工大学

作者

  • 8篇郭秀珍
  • 6篇覃东欢

年份

  • 2篇2021
  • 1篇2020
  • 3篇2019
  • 1篇2018
  • 1篇2015
共 8 条 记 录，以下是 1-8
全选 清除 导出
排序方式：
一种表面钝化处理的CdTe纳米晶薄膜及其表面钝化处理方法与应用
本发明公开了一种表面钝化处理的CdTe纳米晶薄膜及其表面钝化处理方法与应用。所述方法包括：在CdTe纳米晶薄膜上沉积螯合剂溶液和涂覆CdCl<Sub>2</Sub>溶液，然后进行热处理，得到表面钝化处理的CdTe纳米晶薄...
覃东欢郭秀珍陈丙昌容志滔
文献传递
一种碲化镉纳米晶太阳电池及其制备方法
本发明公开了一种碲化镉纳米晶太阳电池及其制备方法。该太阳电池包括衬底和依次层叠于所述衬底上的阴极层、阴极界面层、窗口层、光活性层、阳极界面层和阳极层，所述阳极界面层为厚度为170～240nm的Spiro‑OMeTAD薄膜...
覃东欢吴婉华罗恺楹谢斯航郭秀珍
文献传递
一种碲化镉纳米晶薄膜的微刻蚀方法
本发明属于光电器件领域，公开了一种碲化镉纳米晶薄膜的微刻蚀方法。所述方法为：在碲化镉纳米晶薄膜上盖上掩膜版，然后用刻蚀溶液的蒸汽对碲化镉纳米晶薄膜表面进行微刻蚀，得到刻蚀后的碲化镉纳米晶薄膜。本发明方法可避免损坏薄膜的P...
覃东欢郭秀珍容志滔罗恺楹
文献传递
一种碲化镉纳米晶太阳电池及其制备方法
本发明公开了一种碲化镉纳米晶太阳电池及其制备方法。该太阳电池包括衬底和依次层叠于所述衬底上的阴极层、阴极界面层、窗口层、光活性层、阳极界面层和阳极层，所述阳极界面层为厚度为170～240nm的Spiro‑OMeTAD薄膜...
覃东欢吴婉华罗恺楹谢斯航郭秀珍
文献传递
界面调控提高CdTe纳米晶太阳能电池性能研究
溶液法加工的碲化镉(CdTe)纳米晶太阳能电池由于制备工艺简单、成本低廉、性能稳定，引起了研究人员的高度关注并取得很大的研究进展。CdTe属于直接带隙半导体，禁带宽度为1.45eV，具有很高的光吸收系数，是理想的太阳能电...
郭秀珍
关键词：太阳能电池空穴传输材料电化学性能
一种表面钝化处理的CdTe纳米晶薄膜及其表面钝化处理方法与应用
本发明公开了一种表面钝化处理的CdTe纳米晶薄膜及其表面钝化处理方法与应用。所述方法包括：在CdTe纳米晶薄膜上沉积螯合剂溶液和涂覆CdCl<Sub>2</Sub>溶液，然后进行热处理，得到表面钝化处理的CdTe纳米晶薄...
覃东欢郭秀珍陈丙昌容志滔
文献传递
一种碲化镉纳米晶薄膜的微刻蚀方法
本发明属于光电器件领域，公开了一种碲化镉纳米晶薄膜的微刻蚀方法。所述方法为：在碲化镉纳米晶薄膜上盖上掩膜版，然后用刻蚀溶液的蒸汽对碲化镉纳米晶薄膜表面进行微刻蚀，得到刻蚀后的碲化镉纳米晶薄膜。本发明方法可避免损坏薄膜的P...
覃东欢郭秀珍容志滔罗恺楹
文献传递
城市公共交通票价补贴机制及绩效评价研究
国民经济的快速发展在改善人民生活水平的同时也给城市带来了一系列的交通问题,如道路拥堵、空气污染、噪音污染、停车困难等等。基于城市公共交通载客量大、低排放等特点,优先发展城市公共交通已经成为我国有效缓解城市交通拥堵的重要策...
郭秀珍
关键词：公共交通补贴机制绩效评价
文献传递
全选 清除 导出
共1页<1>
聚类工具0