王旭峰
- 作品数：7 被引量：3H指数：1
- 供职机构：南京航空航天大学更多>>
- 发文基金：江苏省高校优势学科建设工程资助项目江苏省自然科学基金国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学一般工业技术文化科学化学工程更多>>
- 一种在金属基底上可控生长二维硫属化合物原子级薄膜的方法
- 本发明公开了一种在金属基底上可控生长二维硫属化合物原子级薄膜的方法，包括以下步骤：将金属基底和反应源置于真空反应装置中，抽真空，将反应源超过其熔点的温度进行加热使其挥发，通过载气输运到金属基底处，在250～1000℃反应...
- 台国安曾甜尤运城王旭峰胡廷松郭万林
- 文献传递
- 一种化学气相沉积制备原子级硼薄膜的方法
- 本发明公开了一种化学气相沉积制备原子级硼薄膜的方法，包括以下步骤：将基底置于真空反应炉中，在还原性气体气氛中，升温至400～1100℃，再通入硼源气体，同时保持还原性气体流量1～200sccm，1～240min后即在基底...
- 台国安胡廷松曾甜尤运城王旭峰
- 文献传递
- 二维原子晶体材料的制备与应变传感特性研究被引量：1
- 2017年
- 二维原子晶体材料由于具有优异的光、电、力、磁和热学等性能而引起了广泛的研究兴趣。尤其,二维原子晶体材料在微小形变下可以产生较大的电阻变化,且能够承受比相应体材料更大的弹性应变而不至于使其结构破坏,在应变传感器方面具有重要的潜在应用价值,并且有望构建在各种条件下适用的柔性集成化的电子器件。目前,二维原子晶体材料备受关注的是石墨烯、二硫化钼和黑磷。本文从上述三种典型二维材料的基本物性出发,基于其物理性质和微观结构从理论上解释二维材料的应变传感特性,并详细介绍二维材料的各种制备方法如机械剥离法、溶液法和化学气相沉积法(CVD)等。在材料制备的基础上,阐述了石墨烯、二硫化钼、黑磷在应变传感领域如健康监测、可穿戴器件、电子皮肤等方面的具体应用,并展望了二维材料未来的研究方向与应用前景。
- 朱文杰台国安台国安古其林王旭峰朱孔军
- 关键词：化学气相沉积法应变传感健康监测
- 一种化学气相沉积制备原子级硼薄膜的方法
- 本发明公开了一种化学气相沉积制备原子级硼薄膜的方法，包括以下步骤：将基底置于真空反应炉中，在还原性气体气氛中，升温至400～1100℃，再通入硼源气体，同时保持还原性气体流量1～200sccm，1～240min后即在基底...
- 台国安胡廷松曾甜尤运城王旭峰
- 二维硫化钼基原子晶体材料的化学气相沉积法制备及其器件被引量：2
- 2016年
- 二维过渡族金属硫属化合物因其带隙具有强烈的层数依赖性而在电子器件方面具有广泛的应用前景。其中单层二硫化钼(MoS_2)是该系列材料中最典型的一种直接带隙半导体,它具有优异的光、电、磁、热和力学性能。二维MoS_2有望在光电探测、光伏器件、场效应晶体管、存储器件、谷电子和自旋器件、温差电器件、微纳机电器件和系统等方面得以广泛应用。化学气相沉积(CVD)法已成为制备二维过渡族金属硫属化合物如MoS_2、MoSe_2、WS_2和WSe_2等原子层薄膜的主要手段,尤其科学界利用CVD法对二维MoS_2材料进行了深入的制备探索,通过该方法制备的MoS_2薄膜在电子和光电器件方面已经有广泛研究。本文将从二维MoS_2的基本物性出发,详细介绍CVD法制备MoS_2的各种工艺过程,如热分解硫代硫酸盐法、硫化Mo(MoO_(3-x))薄膜制备法、MoO_(3-x)粉体与硫属前驱体气相合成法和钼箔表面直接硫化法,并介绍了基于MoS_2的二维异质结构筑方法。在制备材料的基础上,详细阐述了二维MoS_2在场效应晶体管、光电探测器、柔性电子器件以及异质结器件方面的应用,并展望了二维材料在半导体器件中的应用前景。
- 曾甜尤运城王旭峰胡廷松台国安
- 关键词：二硫化钼化学气相沉积光电器件
- 一种在金属基底上可控生长二维硫属化合物原子级薄膜的方法
- 本发明公开了一种在金属基底上可控生长二维硫属化合物原子级薄膜的方法，包括以下步骤：将金属基底和反应源置于真空反应装置中，抽真空，将反应源超过其熔点的温度进行加热使其挥发，通过载气输运到金属基底处，在250～1000℃反应...
- 台国安曾甜尤运城王旭峰胡廷松郭万林
- 文献传递
- 硼化钼薄膜的化学气相沉积法制备及电催化性能研究
- 硼元素严重缺电子,具有十分复杂的键合机制,极易与过渡金属元素形成结构独特且性能丰富的过渡金属硼化物,因而备受科学界的广泛关注.理论预测二维过渡金属硼化物具有结构独特性和性质多样性等特点,但还未见二维金属硼化物的实验报道....
- 王旭峰
- 关键词：化学气相沉积法晶体结构
