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范爱英

作品数：3 被引量：1H指数：1
供职机构：厦门大学更多>>
发文基金：福建省自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 2篇光电
  • 2篇光电二极管
  • 2篇二极管
  • 2篇PIN光电二...
  • 2篇INGAAS...
  • 1篇电器件
  • 1篇荧光
  • 1篇荧光光谱
  • 1篇外延片
  • 1篇激光
  • 1篇激光器
  • 1篇光电器件
  • 1篇光谱
  • 1篇盖层
  • 1篇半导体
  • 1篇半导体工艺
  • 1篇半导体器件
  • 1篇P-I-N二...
  • 1篇ALGAAS
  • 1篇GAAS/A...

机构

  • 2篇吉林大学
  • 1篇厦门大学

作者

  • 3篇范爱英
  • 2篇刘式墉
  • 1篇李正庭
  • 1篇王本忠
  • 1篇陈龙海
  • 1篇陈朝
  • 1篇刘宝林
  • 1篇陈丽容
  • 1篇黄美纯
  • 1篇杨树人
  • 1篇刘宝林
  • 1篇陈伯军

传媒

  • 1篇吉林大学自然...
  • 1篇半导体光电
  • 1篇中国有色金属...

年份

  • 1篇1995
  • 1篇1993
  • 1篇1989
共 3 条 记 录，以下是 1-3
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排序方式：
具有ＩｎＰ做盖层的ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＰ ＰＩＮ光电二极管研制
刘宝林范爱英
关键词：光电二极管光电器件P-I-N二极管
LP－MOCVD制作InGaAs／InPPIN光电二极管被引量：1
1995年
采用ＬＰ－ＭＯＣＶＤ制作了ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＰ平面型ＰＩＮ光电二极管。器件光敏面直径为７５μｍ，采用Ｚｎ扩散形成ＰＮ结，－６Ｖ偏置下其暗电流低达８～１３ｎＡ；反向击穿电压为６０Ｖ（１μＡ）。在没有增透膜时，对１．３μｍ注入光响应度为０．５６Ａ／Ｗ，光谱响应范围为０．９０～１．７０μｍ。
刘宝林黄美纯陈朝陈丽容陈龙海杨树人陈伯军王本忠范爱英李正庭刘式墉
关键词：半导体器件半导体工艺光电二极管
用光泵浦法评价AlGaAs/GaAs/AlGaAs双异质结外延片
1989年
本文提出了采用光泵浦法评价掩埋异质结构(BH)激光器的一次外延片质量的技术。该评价技术简便易行,对样片无破坏性,且可由其测量结果预言激光器发射波长和阈值等特性。
范爱英伏英男胡礼忠苏士昌刘式墉
关键词：激光器外延片荧光光谱
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