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周冠山

作品数：1 被引量：0H指数：0
供职机构：西安电子科技大学微电子学院微电子研究所更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇退火
  • 1篇热退火
  • 1篇碲镉汞
  • 1篇离子注入
  • 1篇快速热退火
  • 1篇HGCDTE

机构

  • 1篇西安电子科技...
  • 1篇电子工业部

作者

  • 1篇刘家璐
  • 1篇冯建华
  • 1篇张廷庆
  • 1篇周冠山
  • 1篇应明炯

传媒

  • 1篇物理学报

年份

  • 1篇1998
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
B^+注入HgCdTe快速热退火的研究
1998年
借助二次离子质谱和俄歇电子能谱对Ｂ＋注入ＨｇＣｄＴｅ有无ＺｎＳ膜包封在快速热退火条件下表层的Ｈｇ损失进行了深入的分析．快速热退火温度为３００，３５０和４００℃，退火时间为１０ｓ．ＺｎＳ膜厚度为１６０ｎｍ．结果表明，３００℃，１０ｓ快速热退火后，有ＺｎＳ膜包封的ＨｇＣｄＴｅ表层没有Ｈｇ损失．对Ｂ＋注入ＨｇＣｄＴｅＮ＋Ｐ结快速热退火工艺流程进行了优化．结果表明，快速热退火放在光刻金属电极之后进行，可以改善结的特性．
刘家璐张廷庆冯建华周冠山应明炯
关键词：离子注入碲镉汞快速热退火
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