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文献类型

  • 3篇会议论文
  • 2篇专利
  • 1篇期刊文章

领域

  • 3篇理学
  • 2篇金属学及工艺

主题

  • 5篇合金
  • 3篇HEUSLE...
  • 2篇亚稳态
  • 2篇溅射
  • 2篇合金材料
  • 2篇半金属
  • 2篇AL
  • 2篇长程有序
  • 2篇磁控
  • 2篇磁控溅射
  • 1篇单原子
  • 1篇单原子链
  • 1篇第一性原理
  • 1篇第一性原理计...
  • 1篇电子结构和磁...
  • 1篇电子态
  • 1篇原子链
  • 1篇占位
  • 1篇自旋
  • 1篇合金化

机构

  • 4篇河北工业大学
  • 4篇重庆师范大学

作者

  • 6篇林婷婷
  • 5篇刘国栋
  • 3篇崔玉亭
  • 3篇毋志民
  • 2篇代学芳
  • 2篇胡建明
  • 1篇王啸天
  • 1篇常月华

传媒

  • 1篇物理学报
  • 1篇第十六届全国...

年份

  • 1篇2019
  • 4篇2016
  • 1篇2015
6 条 记 录,以下是 1-6
排序方式:
从CoFeTiAl到CoCoTiAl等结构合金化过程中的结构、电子结构和磁性演变
CoFeTiAl和CoCoTiAl具有相同的Heusler结构,它们的不同是在Heusler结构中的一个亚晶格位置上的元素不同以及由此导致的前者是非磁性半导体而后者是亚铁磁性金属。我们从理论和实验上研究了CoFeTiAl...
林婷婷代学芳王松郭瑞康刘国栋
关键词:HEUSLER合金半金属
一种Cr‑Al二元合金材料及其制备方法
本发明公开了一种Cr‑Al二元合金材料,所述合金材料为长程有序的单相薄膜,其化学式为:Cr<Sub>y</Sub>Al,其中,2.8≤y≤4.2;通过提高沉积粒子能量,进行“强制高有序”亚稳态结构薄膜制备的技术思路,利用...
林婷婷刘国栋崔玉亭斯宇豪毋志民胡建明
四元Heusler合金ZrCrCoZ(Z=B,Al,Ga and In)的电子结构、磁性和半金属特性
本文运用第一性原理计算的方法系统研究了一系列新的四元Heusler半金属合金材料ZrCrCoZ(Z=B,Al,Ga和In)的电子结构、磁性性质和半金属特性等基本物理特性。研究结果表明,ZrCrCoZ(Z=B,Al,Ga和...
郭瑞康王啸天林婷婷代学芳刘国栋
关键词:HEUSLER合金半金属电子态
一种Cr-Al二元合金材料及其制备方法
本发明公开了一种Cr‑Al二元合金材料,所述合金材料为长程有序的单相薄膜,其化学式为:Cr<Sub>y</Sub>Al,其中,2.8≤y≤4.2;通过提高沉积粒子能量,进行“强制高有序”亚稳态结构薄膜制备的技术思路,利用...
林婷婷刘国栋崔玉亭斯宇豪毋志民胡建明
文献传递
半导体CoFeTiAl反占位引起的稀磁特性
近年,Heusler 结构稀磁半导体由于居里温度高和在Heusler 结构中引入磁性原子相对容易而备受人们青睐.然而,在过去几年中,人们的研究大部分仍旧未脱离传统的研究方法,即将磁性原子通过替换方式引入到半导体基体中,进...
林婷婷代学芳夏秋莉张艳刘国栋
CoTiSb基体中Ni元素诱导的单自旋通道研究被引量:1
2016年
沿半Heusler结构CoTiSb合金的[001]晶体学方向,利用Ni元素连续替换一条原子链上的Ti,Sb原子,在半导体性CoTiSb基体中设计了一系列均匀分布的Ni基单原子链阵列.采用第一性原理方法,研究了Ni基单原子链的电子结构和磁性质,发现Ni-Sb单原子链具有高度自旋极化率和空穴导电特性,Ni-Ti及Ni-Ni单原子链具有100%的自旋极化率,并且在CoTiSb基体中形成了以这种Ni基单原子链为中心的、尺寸非常小的单自旋纳米柱通道.
常月华盘如静斯宇豪林婷婷毋志民刘国栋崔玉亭
关键词:单原子链第一性原理计算
共1页<1>
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