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何超

作品数：3 被引量：12H指数：3
供职机构：中国电子科技集团公司第二研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金山西省自然科学基金国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域：化学工程一般工业技术电气工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 3篇中文期刊文章

领域

  • 2篇化学工程
  • 1篇电气工程
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 2篇翘曲度
  • 2篇金刚石
  • 2篇刚石
  • 1篇平整度
  • 1篇晶片
  • 1篇高纯
  • 1篇4H-SIC
  • 1篇材料去除率
  • 1篇粗糙度

机构

  • 3篇中国电子科技...

作者

  • 3篇徐伟
  • 3篇王英民
  • 3篇何超
  • 1篇李斌

传媒

  • 1篇电子工业专用...
  • 1篇工业设计
  • 1篇超硬材料工程

年份

  • 1篇2017
  • 2篇2016
共 3 条 记 录，以下是 1-3
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排序方式：
金刚石多线切割工艺对高纯4H-SiC晶片翘曲度的影响被引量：4
2017年
描述了高纯SiC晶体材料的加工方法,分析了金刚石多线各种切割工艺对高纯SiC晶体的切割效果及效率的影响,并基于金刚石切割SiC晶体的理论依据,结合各种工艺试验数据及切割片数据,总结出相对稳定的工艺条件,并在这类工艺条件下,得出较低翘曲度的高纯SiC晶片,满足下游客户的要求,采用TROPEL FM-100平坦度测试仪分析各种切割工艺条件下的高纯100 mm 4H-SiC切割片表面形貌。
徐伟王英民何超靳霄曦谷晓晓
关键词：翘曲度
金刚石多线切割材料去除率对SiC晶片翘曲度的影响被引量：3
2016年
文章分析了SiC硬脆材料加工方法,建立了金刚石多线切割SiC晶体的材料去除率模型,并基于Matlab计算已知条件下的材料去除率随时间变化的规律,根据材料去除率模型进行切割试验,得出材料去除率对SiC晶片翘曲度的影响,采用TROPEL FM-100平坦度测试仪分析SiC切割片表面形貌。
徐伟王英民何超
关键词：材料去除率翘曲度
SiC晶片加工技术现状与趋势被引量：6
2016年
SiC单晶材料作为第三代半导体衬底材料,在制作高频、大功率电子器件等领域有着广泛的应用前景,而SiC加工技术对制作衬底材料起到决定作用。介绍了SiC国内外加工技术的研究现状,分析和对比了切割、研磨、抛光加工工艺的机理及晶片平整度、粗糙度的变化趋势,并指出SiC单晶片加工过程中存在的问题和未来的发展趋势。
何超王英民李斌徐伟郝唯佑
关键词：平整度粗糙度
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