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刘素平

作品数：6 被引量：6H指数：2
供职机构：吉林大学更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 5篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 6篇电子电信

主题

  • 5篇腔面
  • 5篇面发射
  • 5篇激光
  • 5篇激光器
  • 5篇垂直腔
  • 5篇垂直腔面
  • 5篇垂直腔面发射
  • 3篇面发射激光器
  • 3篇发射激光器
  • 3篇垂直腔面发射...
  • 2篇质子
  • 2篇质子轰击
  • 2篇面发射半导体...
  • 2篇轰击
  • 2篇半导体
  • 2篇半导体激光
  • 2篇半导体激光器
  • 2篇垂直腔面发射...
  • 1篇砷化镓
  • 1篇室温

机构

  • 5篇吉林大学
  • 2篇中国科学院

作者

  • 6篇刘素平
  • 5篇姜秀英
  • 5篇杜国同
  • 3篇高鼎三
  • 3篇刘颖
  • 2篇康学军
  • 2篇赵永生
  • 2篇高俊华
  • 2篇高洪海
  • 2篇张晓波
  • 1篇曲轶
  • 1篇邢进
  • 1篇林世鸣
  • 1篇王红杰
  • 1篇刘颖
  • 1篇张晓波
  • 1篇赵方海
  • 1篇王洪杰

传媒

  • 3篇Journa...
  • 1篇中国激光
  • 1篇红外与毫米波...

年份

  • 2篇1996
  • 4篇1995
共 6 条 记 录，以下是 1-6
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排序方式：
InGaAs量子阱垂直腔面发射激光器
1996年
报道了一种新型的具有ＩｎＧａＡｓ量子阱结构有源区的垂直腔面发射激光器．采用钨丝作为掩膜，通过两次垂直交叉Ｈ＋质子轰击工艺制备器件，初步实现了室温脉冲工作，最低阈值电流达２０ｍＡ，激射波长为９１５ｎｍ。
刘颖杜国同姜秀英刘素平张晓波赵永生高鼎三林世呜高洪海高俊华王洪杰康学军
关键词：INGAAS面发射激光器
室温连续的新结构垂直腔面发射半导体激光器被引量：3
1995年
本文报道了室温连续激射的ＧａＡｓ／ＧａＡＩＡＳ新结构垂直腔面发射半导体激光器的最新研究结果．该器件结构是采用钨丝掩膜四次质子轰击方法制备的，这种方法是目前报道的垂直腔面发射激光器制作工艺中最简单的．对于直径１５μｍ的钨丝，器件的最低阈值电流为１７ｍＡ，最大光输出功率达４ｍＷ，微分量子效率高达６５％．
刘颖杜国同姜秀英刘素平张晓波赵永生高鼎三林世鸣康学军高洪海高俊华王红杰
关键词：半导体激光器砷化镓GAALAS激光器
具有金属反射膜的钨丝掩蔽两次质子轰击垂直腔面发射激光器被引量：3
1995年
本文报道了一种工艺较简单的新结构垂直腔面发射激光器的设计与初步研制结果．所用的外延片是由分子束外延生长的，下镜面是由对Ａｌ０．１Ｇａ０．９Ａｓ／ＡｌＡｓ异质膜构成的分布布拉格反射器，上镜面是由对Ａｌ０．１Ｇａ０．９Ａｓ／ＡｌＡｓ异质膜构成的分布布拉格反射器及半反射半透明的金属膜组合构成．器件的电流注入区由钨丝掩蔽两次质子轰击形成．器件初步研制已实现了室温脉冲激射，阈值最低３２０ｍＡ，最大峰值功率可达９ｍＷ．
杜国同姜秀英刘素平刘颖高鼎三
关键词：激光器钨丝质子轰击
阶梯衬底内条形附加吸收区结构超辐射发光二极管
1995年
报道了一种结构新颖的“阶梯衬底内条形附加吸收区结构超辐射发光二极管”，测得了器件在直流和宽脉冲条件下的工作特性．
邢进刘素平姜秀英赵方海曲轶杜国同
关键词：发光二极管SLD
分布布拉格反射镜中具有渐变层的垂直腔面发射半导体激光器被引量：1
1996年
报道了分布布拉格反射镜（ＤＢＲ）中具有渐变层的垂直腔面发射激光器的研究结果。器件是采用钨丝掩膜两次质子轰击方法制备的。该方法是目前报道的垂直腔面发射激光器制作方法中最简单的。初步的实验已实现室温宽脉冲高占空比激射，最低阈值为１８ｍＡ，最大峰值功率大于２ｍＷ，激射波长为８７１ｎｍ，串联电阻一般为１００～２００Ω。
刘颖姜秀英刘素平张晓波杜国同
关键词：垂直腔半导体激光器DBR激光器
钨丝掩膜两次质子轰击垂直腔面发射激光器
刘素平
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