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朱志

作品数：7 被引量：1H指数：1
供职机构：重庆大学更多>>
相关领域：经济管理电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 5篇专利
  • 2篇学位论文

领域

  • 1篇经济管理
  • 1篇电子电信

主题

  • 4篇功率器件
  • 4篇半导体
  • 4篇半导体功率器...
  • 2篇多晶
  • 2篇多晶硅
  • 2篇载流子
  • 2篇双栅
  • 2篇漂移
  • 2篇漂移区
  • 2篇高压器件
  • 2篇SOI
  • 2篇LDMOS器...
  • 1篇导通
  • 1篇导通电阻
  • 1篇电场
  • 1篇电荷
  • 1篇电极
  • 1篇电势
  • 1篇电子商务
  • 1篇电阻

机构

  • 7篇重庆大学

作者

  • 7篇朱志
  • 5篇胡盛东
  • 5篇金晶晶
  • 2篇周喜川
  • 2篇雷剑梅
  • 2篇李少红

年份

  • 2篇2016
  • 2篇2015
  • 3篇2014
共 7 条 记 录，以下是 1-7
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排序方式：
一种具有纵向NPN结构的双栅LDMOS器件
本发明公开了一种具有纵向NPN结构的双栅LDMOS器件,涉及一种半导体功率器件，P‑衬底、有源顶层硅、横向多晶硅栅、纵向多晶硅栅、源电极区、漏电极区和场氧层，有源硅层包含有纵向NPN结构即纵向排列的上层N型硅条、中层P型...
胡盛东金晶晶陈银晖朱志武星河李少红阮祯臻丁文春
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一种具有界面栅的SOI功率器件结构
本发明公开了一种具有界面栅的SOI功率器件结构,涉及一种半导体功率器件，包括衬底P/N型硅层、有源顶层硅和埋氧化层，栅分别由纵向槽型栅以及埋于埋氧层界面的界面栅所构成；本发明在常规的SOI功率器件基础上，将槽型栅延伸至埋...
胡盛东陈银晖金晶晶朱志武星河雷剑梅周喜川
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一种横向功率MOS高压器件
本发明公开了一种横向功率MOS高压器件，包括P型衬底、设置在P型衬底上的N型有源层、设置在N型有源层上的场氧化硅层和位于MOS器件顶端两侧的源电极区、漏电极区，其特征在于：所述P型衬底包括第1层P型硅层至第n层P型硅层，...
胡盛东金晶晶陈银晖朱志武星河
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基于增强介质层电场技术的新型SOI高压器件研究
SOI(Silicon On Insulator)高压器件因为其独特的一些优点在近年来得以快速的发展。随着对其的不断研究与应用，新的问题也随之而来—SOI高压器件的纵向耐压受到了一些限制。众多的科学家对这一问题都进行了深...
朱志
关键词：高压器件介电系数界面电荷
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网络零售商退货政策影响因素的实证研究
进入网络经济新时代，网络购物这种新型的购物形式正在我国迅猛发展，代表着未来消费模式的发展方向，越来越多的传统零售商也进入到这个新兴的市场中来。然而，随着网络购物业务量的迅猛发展，网购退货事件也频频发生。在此背景下，新修订...
朱志
关键词：电子商务网络零售退货制度
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一种具有纵向NPN结构的双栅LDMOS器件
本发明公开了一种具有纵向NPN结构的双栅LDMOS器件,涉及一种半导体功率器件，P-衬底、有源顶层硅、横向多晶硅栅、纵向多晶硅栅、源电极区、漏电极区和场氧层，有源硅层包含有纵向NPN结构即纵向排列的上层N型硅条、中层P型...
胡盛东金晶晶陈银晖朱志武星河李少红阮祯臻丁文春
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一种具有界面栅的SOI功率器件结构
本发明公开了一种具有界面栅的SOI功率器件结构,涉及一种半导体功率器件，包括衬底P/N型硅层、有源顶层硅和埋氧化层，栅分别由纵向槽型栅以及埋于埋氧层界面的界面栅所构成；本发明在常规的SOI功率器件基础上，将槽型栅延伸至埋...
胡盛东陈银晖金晶晶朱志武星河雷剑梅周喜川
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