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蒋秀芬

作品数：6 被引量：0H指数：0
供职机构：南开大学更多>>
相关领域：化学工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 5篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 2篇化学工程

主题

  • 4篇疏水
  • 4篇超疏水
  • 3篇蒸发法
  • 3篇疏水表面
  • 3篇超疏水表面
  • 2篇电镀
  • 2篇电镀法
  • 2篇弯月面
  • 2篇局部电镀
  • 2篇光刻
  • 2篇光刻法
  • 2篇高深宽比
  • 1篇单细胞
  • 1篇单细胞生物
  • 1篇电化学
  • 1篇多孔硅
  • 1篇旋涂
  • 1篇旋涂法
  • 1篇压印
  • 1篇生物活性材料

机构

  • 6篇南开大学

作者

  • 6篇蒋秀芬
  • 5篇孙广毅
  • 5篇赵新
  • 4篇张春来

年份

  • 1篇2017
  • 4篇2016
  • 1篇2015
共 6 条 记 录，以下是 1-6
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排序方式：
基于高深宽比硅微加工的光催化与超疏水表面结构研究
本文主要研究高深宽比硅微结构的加工及其在新型光催化和超疏水表面制备中的应用。硅基深反应离子刻蚀与电镀是MEMS(Micro ElectromechanicalSystem，即微机电系统)体加工中使用最为广泛的加工工艺，本...
蒋秀芬
关键词：气膜超疏水表面
一种光电化学刻蚀设备
本实用新型公开了一种光电化学刻蚀设备，用于制备高深宽比硅微纳结构的加工。由左右两个腔体合并组成的腔室，在左腔体上固定有作为阳极的硅片，硅片的背后有铜圈，所述的铜圈中间设有通孔，通孔内放置光源；所述的右腔体中设有作为阴极的...
孙广毅蒋秀芬赵新
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一种基于弯月面受限局部电镀的超疏水表面的制备方法
一种基于弯月面受限局部电镀的超疏水表面的制备方法，步骤如下：1)在基底表面采用刻蚀法、生长法、电镀法、光刻法、沉积法或剥离法局部制备微纳结构，所制备的微纳结构为柱、锥、槽或孔阵列，制得尺寸为微米级或纳米级的微纳结构基底；...
孙广毅蒋秀芬张春来赵新
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一种基于热压印的超疏水材料的制备方法
一种基于热压印的超疏水材料制备方法，步骤如下：1)将金属铝片放在电解液中，通过两步阳极氧化方法制得AAO模板，并根据不同的实验条件可以调控AAO模板表面孔洞结构的深宽比；2)在上述AAO模板的表面采用旋涂法、喷涂法、浸润...
孙广毅张春来蒋秀芬赵新
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一种基于弯月面受限局部电镀的超疏水表面的制备方法
一种基于弯月面受限局部电镀的超疏水表面的制备方法，步骤如下：1)在基底表面采用刻蚀法、生长法、电镀法、光刻法、沉积法或剥离法局部制备微纳结构，所制备的微纳结构为柱、锥、槽或孔阵列，制得尺寸为微米级或纳米级的微纳结构基底；...
孙广毅蒋秀芬张春来赵新
一种面向生物单细胞检测应用的两步压印方法
一种面向生物单细胞检测应用的两步压印方法。本发明创新性地提出一种两步压印工艺和图形复刻的方法，即一次热压印工艺和二次涂覆压印工艺。根据本发明提出的方法，先进行基于带有微结构的硅模板或者金属硬质模板的热塑性聚合物材料的一次...
孙广毅张春来蒋秀芬赵新
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