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蔡玮

作品数:14 被引量:0H指数:0
供职机构:南京邮电大学更多>>
发文基金:国家自然科学基金中国博士后科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域:电子电信更多>>

文献类型

  • 11篇专利
  • 2篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 6篇电子电信

主题

  • 7篇硅衬底
  • 7篇衬底
  • 4篇上台
  • 4篇通信
  • 3篇量子阱器件
  • 2篇氮化镓
  • 2篇递质
  • 2篇信息载体
  • 2篇钥匙
  • 2篇人脑
  • 2篇神经元
  • 2篇台账
  • 2篇物联网
  • 2篇联网
  • 2篇阶梯状
  • 2篇晶体管
  • 2篇晶体管特性
  • 2篇晶圆
  • 2篇可见光
  • 2篇可见光通信

机构

  • 14篇南京邮电大学
  • 2篇南京工程学院
  • 1篇重庆大学

作者

  • 14篇蔡玮
  • 12篇王永进
  • 7篇高绪敏
  • 4篇施政
  • 2篇李诚元
  • 2篇蔡玮
  • 2篇朱洪波
  • 2篇张帅
  • 2篇郭燕青
  • 2篇白丹
  • 2篇许银
  • 2篇于涛
  • 2篇袁威
  • 2篇袁炜
  • 2篇杨永超
  • 1篇贾志宏
  • 1篇邢远
  • 1篇刘泽昊

传媒

  • 1篇电子学报
  • 1篇新型工业化

年份

  • 1篇2022
  • 1篇2020
  • 5篇2019
  • 4篇2017
  • 1篇2016
  • 2篇2015
14 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
基于聚焦离子束技术的可见光光子调控
2019年
采用晶圆级工艺,制备了一种单片集成光源和直波导的硅基氮化镓光电集成器件,结合聚焦离子束技术,使用Ga离子束在直波导上刻蚀形成了一个布拉格反射镜(DBR),并对器件的光子调控功能进行研究.特殊的InGa N波导结构使得器件在制备过程中不再需要复杂的硅移除和晶片背面减薄工艺,硅衬底可以保持完整.实验结果表明,作为光源的多量子阱发光二极管(MQW-LED)具有良好的电流-电压特性. MQW-LED开启后部分光子耦合进直波导,被限制在波导内向前传输,在DBR处发生全反射并部分衍射到自由空间中.由器件的电致发光光谱可知,制备在波导上的DBR对波导内传输的光子进行了有效调控.
蔡玮蔡玮邢远施政贾志宏贾志宏
关键词:波导布拉格反射镜
基于悬空p‑n结量子阱的光致晶体管及其制备方法
本发明提供一种基于悬空p‑n结量子阱的光致晶体管及其制备方法,利用各向异性硅刻蚀技术,剥离去除器件结构下硅衬底层,得到基于悬空氮化物薄膜p‑n结量子阱的光致晶体管,进一步采用氮化物背后减薄刻蚀技术,获得超薄的悬空器件。本...
王永进袁威高绪敏蔡玮白丹许银朱桂遐袁炜
文献传递
一种记忆增强及认知识别神经元的类脑器件及其制备方法
本发明公开了一种记忆增强及认知识别神经元的类脑器件及其制备方法,该器件以Si衬底GaN基晶圆为载体,包括硅衬底层、设置在硅衬底层上的外延缓冲层、设置在外延缓冲层上的n‑GaN层,设置在n‑GaN层上的发射极和集电极,发射...
王永进朱桂遐杨永超李永航袁佳磊蔡玮
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一种基于可见光的物联网宾馆客房锁控系统
本实用新型公开了一种基于可见光的物联网宾馆客房锁控系统,包括可见光钥匙模块、客房锁控模块和台账监控模块,客房锁控模块包括可见光检测单元、控制单元、门锁驱动单元、第一无线传输单元,台账监控模块包括第二无线传输单元、控制终端...
魏陈佳于涛郭燕青蔡玮刘泽昊李诚元王永进朱洪波
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硅衬底悬空LED直波导耦合集成光子器件及其制备方法
本发明公开了硅衬底悬空LED直波导耦合集成光子器件及其制备方法,该光子器件包括硅衬底层,在其上形成外延缓冲层,在外延缓冲层上形成P‑N结,p‑GaN层上设置有p‑电极,在n‑GaN层上表面通过刻蚀形成阶梯状台面,上台面与...
王永进袁佳磊高绪敏朱桂遐蔡玮秦川
文献传递
硅衬底悬空LED直波导耦合集成光子器件及其制备方法
本发明公开了硅衬底悬空LED直波导耦合集成光子器件及其制备方法,该光子器件包括硅衬底层,在其上形成外延缓冲层,在外延缓冲层上形成P‑N结,p‑GaN层上设置有p‑电极,在n‑GaN层上表面通过刻蚀形成阶梯状台面,上台面与...
王永进袁佳磊高绪敏朱桂遐蔡玮秦川
一种记忆增强及认知识别神经元的类脑器件及其制备方法
本发明公开了一种记忆增强及认知识别神经元的类脑器件及其制备方法,该器件以Si衬底GaN基晶圆为载体,包括硅衬底层、设置在硅衬底层上的外延缓冲层、设置在外延缓冲层上的n‑GaN层,设置在n‑GaN层上的发射极和集电极,发射...
王永进朱桂遐杨永超李永航袁佳磊蔡玮
文献传递
基于机械剥离的毫米级可转移LED器件及其制备方法
本发明公开了一种基于机械剥离的毫米级可转移LED器件及其制备方法,该器件包括硅衬底层、设置在所述硅衬底层上的外延缓冲层、设置在所述外延缓冲层上的n‑GaN层、与所述n‑GaN层相连的n‑GaN臂、与所述n‑GaN臂相连的...
施政王永进张帅高绪敏袁佳磊蔡玮沈湘菲张锋华秦川
集成谐振光栅微腔的GaN基悬空波导激光器及制备方法
本发明提供一种集成谐振光栅微腔的GaN基悬空波导激光器及制备方法,该激光器包括硅衬底层、设置在所述硅衬底层上的外延缓冲层、设置在所述外延缓冲层上的p‑n结量子阱器件与光波导,所述光波导一端与p‑n结量子阱器件相连,另一端...
王永进高绪敏施政袁佳磊秦川蔡玮
文献传递
可见光通信关键器件及通信芯片研究
可见光通信技术是一种以可见光为传输媒质的新兴通信技术,和无线通信频谱资源趋于枯竭的情况不同,可见光波段频谱资源丰富,包含数百太赫兹尚未有效利用的空白频谱。可见光通信具有带宽高、抗干扰性强、保密性好、无电磁辐射等优点,是一...
蔡玮
关键词:可见光通信发光二极管通信芯片
共2页<12>
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