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刘自成

作品数：5 被引量：0H指数：0
供职机构：西安理工大学更多>>
相关领域：一般工业技术电气工程化学工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 3篇专利
  • 2篇学位论文

领域

  • 3篇一般工业技术
  • 2篇电气工程
  • 1篇化学工程

主题

  • 3篇碳膜
  • 3篇非晶
  • 2篇导电
  • 2篇陶瓷
  • 2篇铁电
  • 2篇铁电陶瓷
  • 2篇基片
  • 2篇碳
  • 1篇电流
  • 1篇电性能
  • 1篇电学性能
  • 1篇性能研究
  • 1篇钛酸
  • 1篇钛酸铋
  • 1篇钛酸铋钠
  • 1篇钛酸铋钠基
  • 1篇显微形貌
  • 1篇相结构
  • 1篇介电
  • 1篇介电性

机构

  • 5篇西安理工大学

作者

  • 5篇刘自成
  • 3篇赵高扬
  • 3篇李颖

年份

  • 2篇2018
  • 1篇2017
  • 1篇2016
  • 1篇2015
共 5 条 记 录，以下是 1-5
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排序方式：
钛配铋钠基铁电陶瓷的制备及储能性能研究
随着脉冲技术的发展，为了实现器件的小型化以及性能化，进一步提高介质电容器的储能密度是一个迫切需要解决的问题。针对这一问题，本论文以Bi0.5Na0.5TiO3基陶瓷为研究对象，通过增强材料的击穿场强、最大极化强度以及减小...
刘自成
关键词：相结构电学性能显微形貌
一种N掺杂非晶碳膜阻变存储器的制备方法
本发明公开了一种N掺杂非晶碳膜阻变存储器的制备方法，采用蒸镀仪进行制备，在室温下，将碳绳固定在蒸发源上，随后将Pt基板放入基片托片上并固定好，调节蒸镀仪的电流至61～65A，进行蒸镀，碳绳断裂，则停止蒸镀，冷却后，得N掺...
李颖赵高扬刘自成
文献传递
一种非晶导电碳膜的制备方法
本发明公开了一种非晶导电碳膜的制备方法，采用蒸镀仪进行制备，在室温下，将碳绳固定在蒸发源上，随后将基板放入基片托片上并固定好，调节蒸镀仪的电流至40～50A，进行蒸镀，碳绳断裂，则停止蒸镀，冷却后，即得非晶导电碳膜。本发...
李颖赵高扬刘自成
文献传递
钛酸铋钠基铁电陶瓷的制备及储能性能研究
随着脉冲技术的发展,为了实现器件的小型化以及性能化,进一步提高介质电容器的储能密度是一个迫切需要解决的问题。针对这一问题,本论文以Bi.5Na.5TiO基陶瓷为研究对象,通过增强材料的击穿场强、最大极化强度以及减小剩余极...
刘自成
关键词：复合陶瓷介电性能
一种非晶导电碳膜的制备方法
本发明公开了一种非晶导电碳膜的制备方法，采用蒸镀仪进行制备，在室温下，将碳绳固定在蒸发源上，随后将基板放入基片托片上并固定好，调节蒸镀仪的电流至40～50A，进行蒸镀，碳绳断裂，则停止蒸镀，冷却后，即得非晶导电碳膜。本发...
李颖赵高扬刘自成
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