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徐翔

作品数:1 被引量:0H指数:0
供职机构:济南大学更多>>

文献类型

  • 1篇中文专利

主题

  • 1篇电场
  • 1篇电场强度
  • 1篇匀强电场
  • 1篇晶核
  • 1篇静电
  • 1篇静电场
  • 1篇固溶
  • 1篇固溶度
  • 1篇半导体
  • 1篇场强

机构

  • 1篇济南大学

作者

  • 1篇杨晓朋
  • 1篇曹丙强
  • 1篇徐翔

年份

  • 1篇2015
1 条 记 录,以下是 1-1
排序方式:
一种外加静电场辅助半导体材料掺杂的方法
本发明公开了一种外加静电场辅助半导体材料掺杂的方法。方法如下:将基片置于匀强电场中;调节电场方向,使基片表面与电场负方向成?α角度,0≤α≤360<Sup>o</Sup>,电场强度1×10<Sup>-6</Sup>?V/...
杨晓朋徐翔曹丙强
文献传递
共1页<1>
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