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高翾

作品数:9 被引量:0H指数:0
供职机构:中国科学院金属研究所更多>>
相关领域:轻工技术与工程更多>>

文献类型

  • 7篇专利
  • 2篇会议论文

领域

  • 1篇轻工技术与工...

主题

  • 5篇纳米
  • 4篇拓扑绝缘体
  • 4篇绝缘体
  • 4篇基片
  • 4篇硅基
  • 4篇硅基片
  • 3篇气相沉积
  • 3篇化学气相
  • 3篇化学气相沉积
  • 3篇光电
  • 3篇光响应
  • 2篇单晶纳米线
  • 2篇导电特性
  • 2篇电特性
  • 2篇调整管
  • 2篇输运
  • 2篇氙灯
  • 2篇碲化铋
  • 2篇拓扑
  • 2篇无氧

机构

  • 7篇中国科学院金...
  • 2篇凯斯西储大学
  • 2篇山东师范大学

作者

  • 9篇高翾
  • 7篇王振华
  • 7篇张志东
  • 4篇杨亮
  • 4篇赵晓天
  • 2篇耿殿禹
  • 2篇刘玫

传媒

  • 1篇第十五届全国...
  • 1篇中国物理学会...

年份

  • 2篇2019
  • 1篇2018
  • 2篇2017
  • 2篇2016
  • 2篇2013
9 条 记 录,以下是 1-9
排序方式:
拓扑绝缘体Bi2(Te,Se3)/Bi2Te3纳米带的输运性质
拓扑绝缘体同时具有绝缘体和导体双重性,即在块材内部是有帯隙的绝缘态,但在表面却存在无帯隙的金属表面态。拓扑绝缘体的表面金属态完全是由材料的体电子态的拓扑结构所决定,是由对称性所决定的,基本不受到杂质与无序的影响。
王振华高翾张志东
关键词:拓扑绝缘体金属性
一种具有光伏特性的拓扑绝缘体薄膜及其制备方法
本发明的目的在于提供一种具有光伏特性的拓扑绝缘体薄膜及其制备方法,其特征在于,利用化学气相沉积方法制备:将拓扑绝缘体材料蒸发沉积在硅基片上,得到拓扑绝缘体薄膜。该薄膜具有全日光波段光电响应能力,用太阳光作为光源,n‑TI...
王振华张志东赵晓天杨亮耿殿禹高翾
文献传递
一种一维硒化锡单晶纳米线的制备方法
本发明公开了一种一维硒化锡单晶纳米线的制备方法,将SnSe粉末置于耐高温容器内,并将其放入耐高温炉管内,将炉管放入真空管式炉内,将附有催化剂的基底材料置于所述炉管内,密闭炉管,使所述炉管内部处于无氧真空状态,之后通入保护...
刘玫高翾
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一种具有光伏特性的拓扑绝缘体薄膜及其制备方法
本发明的目的在于提供一种具有光伏特性的拓扑绝缘体薄膜及其制备方法,其特征在于,利用化学气相沉积方法制备:将拓扑绝缘体材料蒸发沉积在硅基片上,得到拓扑绝缘体薄膜。该薄膜具有全日光波段光电响应能力,用太阳光作为光源,n-TI...
王振华张志东赵晓天杨亮耿殿禹高翾
文献传递
一种一维硒化锡单晶纳米线的制备方法
本发明公开了一种一维硒化锡单晶纳米线的制备方法,将SnSe粉末置于耐高温容器内,并将其放入耐高温炉管内,将炉管放入真空管式炉内,将附有催化剂的基底材料置于所述炉管内,密闭炉管,使所述炉管内部处于无氧真空状态,之后通入保护...
刘玫高翾
一种可控垂直硒化铋纳米片薄膜及其制备方法
本发明的目的在于提供一种可控垂直硒化铋纳米片薄膜,所述薄膜由垂直于基体的Bi<Sub>2</Sub>Se<Sub>3</Sub>纳米片组成,纳米片尺寸为50纳米~50微米。本发明采用化学气相沉积法制备Bi<Sub>2</...
王振华李名泽张志东高翾
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一种光响应敏感的碲化铋薄膜和硅基片形成的PN结材料
本发明的目的在于提供一种光响应敏感的碲化铋薄膜和硅基片形成的PN结材料,其特征在于:在P型硅基片上蒸发沉积N型碲化铋薄膜,得到碲化铋薄膜与P型硅基片形成的PN结材料,具有明显的单向导电特性。本发明以氙灯模拟光源,研究其在...
王振华张志东李名泽杨亮赵晓天高翾
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一种光响应敏感的碲化铋薄膜和硅基片形成的PN结材料
本发明的目的在于提供一种光响应敏感的碲化铋薄膜和硅基片形成的PN结材料,其特征在于:在P型硅基片上蒸发沉积N型碲化铋薄膜,得到碲化铋薄膜与P型硅基片形成的PN结材料,具有明显的单向导电特性。本发明以氙灯模拟光源,研究其在...
王振华张志东李名泽杨亮赵晓天高翾
文献传递
拓扑绝缘体Bi2Te3和Bi2Se3纳米片输运特性研究
王振华高翾张志东
共1页<1>
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