李玉成
- 作品数：10 被引量：0H指数：0
- 供职机构：河北大学更多>>
- 发文基金：中国博士后科学基金河北省自然科学基金河北省高等学校科学技术研究指导项目更多>>
- 相关领域：自动化与计算机技术理学文化科学更多>>
- 基于Ba0.6Sr0.4TiO3和Zr0.5Hf0.5O2薄膜的存储特性研究
- 随着当今社会科学的不断发展,对存储器的要求越来越高,现代的存储器件已经达到了瓶颈,因此,很多新型存储器被大家提出和进行了系统的研究。BaSrTiO(BST)薄膜因其可通过调配Ba和Sr的比例来控制其介电和铁电特性,同时由...
- 李玉成
- 文献传递
- 我国高校预算管理问题研究
- 随着我国社会主义市场经济不断发展，改革开放步伐不断加快，公共财务预算管理的作用日益显现。高校作为非营利事业单位，预算管理是其财务管理中最重要的管理活动。高校预算管理工作的好坏直接影响到高校各项资金的使用效率，对高校各项工...
- 李玉成
- 关键词：预算管理预算编制绩效评价高等教育财务管理
- 文献传递
- 一种电荷俘获存储器及其制备方法
- 本发明提供了一种电荷俘获存储器及其制备方法。所述电荷俘获存储器的结构由下至上依次是p-Si衬底、SiO<Sub>2</Sub>遂穿层、Zr<Sub>0.5</Sub>Hf<Sub>0.5</Sub>O<Sub>2</Su...
- 闫小兵李玉成
- 低限流下含Ag电极的BiFeO_3薄膜的阻变开关特性
- 2015年
- 采用磁控溅射系统在Pt衬底上构建了Ag/BiFeO_3(BFO)/Pt三明治结构的阻变存储器件单元,该器件可以在较低的限制电流下实现阻变行为并显著降低功耗。在0.5μA的低限制电流下,器件具较好双极I-V滞回曲线,开关电阻比值超过1个数量级,有效开关次数达500次以上,阻态保持时间超过1.8×104s,有较好的保持特性。分析了该Ag/BFO/Pt器件的阻变开关机制,主要归因于Ag原子在BFO薄膜内的氧化还原反应引起的金属导电细丝的形成与断开。
- 闫小兵李玉成闫铭杨涛贾信磊陈英方赵建辉李岩娄建忠李小亭
- 一种双电荷注入俘获存储器及其制备方法
- 本发明提供了一种双电荷注入俘获存储器及其制备方法。所述双电荷注入俘获存储器的结构由下至上依次是Pt衬底、Zr<Sub>0.5</Sub>Hf<Sub>0.5</Sub>O<Sub>2</Sub>膜层、Ba<Sub>0.6...
- 闫小兵李玉成任德亮
- 文献传递
- 一种电荷俘获型存储元件及其制备工艺
- 本发明公开了一种电荷俘获型存储元件及其制备工艺，该电荷俘获型存储元件，其结构为Si衬底/SiO<Sub>2</Sub>隧穿层/Ga<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>层/Au电极；其中，所述SiO<Sub>...
- 闫小兵李岩李玉成
- 文献传递
- 一种电荷俘获型存储元件及其制备工艺
- 本发明公开了一种电荷俘获型存储元件及其制备工艺，该电荷俘获型存储元件，其结构为Si衬底/SiO<Sub>2</Sub>隧穿层/Ga<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>层/Au电极；其中，所述SiO<Sub>...
- 闫小兵李岩李玉成
- 文献传递
- 基于Ba0.6Sr0.4和TiO3Zr0.5Hf0.5O2薄膜的存储特性研究
- 随着当今社会科学的不断发展，对存储器的要求越来越高，现代的存储器件已经达到了瓶颈，因此，很多新型存储器被大家提出和进行了系统的研究。Ba0.6Sr0.4TiO3（BST）薄膜因其可通过调配Ba和Sr的比例来控制其介电和铁...
- 李玉成
- 关键词：BST薄膜磁控溅射
- 一种双电荷注入俘获存储器及其制备方法
- 本发明提供了一种双电荷注入俘获存储器及其制备方法。所述双电荷注入俘获存储器的结构由下至上依次是Pt衬底、Zr<Sub>0.5</Sub>Hf<Sub>0.5</Sub>O<Sub>2</Sub>膜层、Ba<Sub>0.6...
- 闫小兵李玉成
- 一种电荷俘获存储器及其制备方法
- 本发明提供了一种电荷俘获存储器及其制备方法。所述电荷俘获存储器的结构由下至上依次是p‑Si衬底、SiO<Sub>2</Sub>隧穿层、Zr<Sub>0.5</Sub>Hf<Sub>0.5</Sub>O<Sub>2</Su...
- 闫小兵李玉成
- 文献传递
