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MEMS温度传感器中ICP刻蚀技术研究: 随着MEMS传感器应用越来越普及，在对其加工工艺的要求也在不断提高。作为MEMS器件加工的一项关键技术—ICP刻蚀技术，因其刻蚀过程自动化程度高、刻蚀侧壁垂直度好、大面积刻蚀均匀性好及污染少等优点，目前被广泛应用于体硅M...; 刘方方; 关键词：刻蚀工艺微机电系统温度传感器

ICP硅深刻蚀槽壁垂直度的研究被引量：6: 2015年; 电感耦合等离子体(ICP)刻蚀技术是体硅深加工的一项关键技术。介绍了ICP刻蚀技术的相关概念与方法,在对Si(100)进行大量深刻蚀实验的基础上,深入分析刻蚀∕钝化周期、极板功率、SF6/C4F8气体流量和腔室压力等主要工艺参数对刻蚀侧壁垂直度的影响。通过对ICP刻蚀的刻蚀∕钝化周期和极板功率参数进行正交实验,给出了通用槽宽分别为2,5和10μm时的优化工艺参数,成功实现了三个垂直度达(90±0.02)°、高深宽比≥10、侧壁光滑的深槽结构。将优化后的工艺参数用于某陀螺仪的刻蚀实验,获得了理想的刻蚀形貌。; 刘方方展明浩许高斌黄斌管朋; 关键词：工艺参数正交实验

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刘方方