詹小红
- 作品数：5 被引量：4H指数：2
- 供职机构：重庆师范大学物理与电子工程学院更多>>
- 发文基金：重庆市教育委员会科学技术研究项目重庆市自然科学基金重庆市教委科研基金更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 倍频外腔面发射激光器研究进展被引量：2
- 2016年
- 腔内倍频垂直外腔面发射激光器(VECSEL)具有较大的腔内循环功率,能够获得较为理想的倍频转换效率。综述了腔内倍频VECSEL的研究进展,总结了不同倍频VECSEL中倍频晶体的使用情况,并通过倍频VECSEL获得的不同波长分析了倍频VECSEL的发展趋势及未来工作所面临的一些问题。
- 蒋丽丹张晓华詹小红朱仁江蒋茂华张鹏
- 关键词：激光器倍频外腔面发射激光器
- 外腔面发射激光器自发辐射谱的热特性
- 2016年
- 热效应是限制外腔面发射激光器(VECSEL)输出功率和光束质量的主要原因。为了优化VECSEL增益芯片有源区量子阱的设计,降低激光器的热效应,提高斜效率和输出功率,采用光致荧光谱方法,对设计波长980nm VECSEL自发辐射谱的热特性进行了实验研究。取得了不同热沉温度下边发射和面发射谱随温度的变化数据。结果表明,反映有源区量子阱自身特性的边发射谱峰值波长随温度升高的红移速率是0.5nm/K,而受到增益芯片多层结构调制的面发射谱峰值波长随温度升高的红移速率只有0.1nm/K;由于受到VECSEL增益芯片中微腔的限制,面发射谱分离为多个模式,分别与微腔的腔模对应。可见对量子阱的发射波长及微腔腔长做预偏置优化处理,可以显著改善激光器的输出性能。
- 詹小红朱仁江蒋茂华胡平崔玉亭张鹏
- 关键词：激光器热特性
- 外腔面发射激光器GaAs基质的酸性腐蚀被引量：2
- 2014年
- 外腔面发射激光器的GaAs基质厚度大,热导率低,严重阻碍有源区热量的扩散,影响激光器功率的提高。为了去除激光器的GaAs基质,采用硫酸系酸性腐蚀,通过改变腐蚀液浓度和腐蚀温度来比较腐蚀液对GaAs基质的腐蚀影响,并采用原子力显微镜照片表征了腐蚀表面的粗糙度。结果表明,当腐蚀液的体积比V(H2SO4)∶V(H2O2)∶V(H2O)=1∶5∶10,腐蚀温度为30℃时,腐蚀速率适中,为5.2μm/min,腐蚀表面粗糙度2.7nm,腐蚀总体效果较为理想。较好的GaAs基质腐蚀效果为外腔面发射激光器衬底去除腐蚀阻挡层的选择性腐蚀提供了基本的保障。
- 房启鹏詹小红梁一平蒋茂华朱仁江吴建伟张鹏
- 关键词：激光器
- InGaAs量子阱半导体薄片激光器芯片处理及光谱特性
- 半导体薄片激光器综合了面发射半导体激光器、边发射半导体激光器和二极管泵浦固体激光器的优点，获得高质量近衍射极限的基模圆形光束的同时，也可获得高的输出功率。通过半导体能带工程，半导体薄片激光器发射波长从可见光延伸到近红外，...
- 詹小红
- 关键词：半导体激光器激光器设计腔内倍频
