余佩华
- 作品数：6 被引量：2H指数：1
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- 含低价钼的双核化合物(Et_4N)_2[(CO)_4Mo(μ-S)_2MOS_2]和(Et_4N)_2[(CO)_4Mo(μ-S)_2WS_2]的合成及晶体结构被引量：1
- 1991年
- 用新方法合成并测定了含Mo(0)的双核化合物(Et_4N)_2[(CO)_4Mo(μ-S)_2MOS_2](Ⅰ)和(Et_4N)_2[(CO)_4Mo(μ-S)_2WS_2](Ⅱ)的晶体结构.Ⅰ和Ⅱ空间群均为Pbcm,Ⅰ的a=1.8403(2)nm,b=1.1963(1)nm,c=1.3482(1)nm,Z=4,R=0.042;Ⅱ的a=1.8453(2)nm,b=1.2004(2)nm,c=1.3494(3)nm,Z=4,R=0.032,Ⅰ和Ⅱ的阴离子均为以Mo(0)为中心的八面体和以Mo(Ⅵ)(或W)为中心的四面体共边且以μ-S连接,Mo(μ-S)2M(M=Mo,W)共平面.其中Mo—Mo键距为0.2992(2)nm,Mo—W为0.30330(8)nm,并发现其Fourier IR中Mo(0)-Sb键的v=424.3 cm^-1。
- 余佩华萧泰庄伯涛
- 关键词：钼双核化合物晶体结构低价
- 三核簇合物(Et_4N)_2[(CO)_4MoS_2MoS_2Mo(CO)_4]和(Et_4N)_2[(CO)_4MoS_2WS_2Mo(CO)_4]的合成及晶体结构
- 1993年
- 合成了含Mo(O)的三核化合物(Et_4N)_2.[(CO)_4Mo(μ-S)_2Mo(μ-S)_2Mo(CO)_4](Ⅰ)和(Et_4N)_2[(CO)_4Mo(μ-S)_2W(μ-S)_2Mo(CO)_4](Ⅱ),测定了(Ⅰ)的晶体结构.Ⅰ属单斜晶系,空间群P2_1/c,a=22.790(5),b=8.701(1),c=17.764(5)(?).γ=94.09(2)°,Z=4,最终R=0.045.Ⅰ的阴离子中,三个Mo间键角175°,接近共线.整个阴离子可以看作是由2个以Mo(0)为中心的八面体和1个以Mo(Ⅵ)为中心的准四面体分别共用一条边(各由2个μ-S原子连线所成)组成的结构.Mo-Mo-Mo键距分别是2.998(1)和3.000(1),Mo(μ-S)_2Mo共平面.
- 萧泰余佩华庄伯涛
- 含固氮酶钼微环境结构单元O_3MoS_3的Mo－S，Mo－Fe－S化合物的研究被引量：1
- 1995年
- 研究了含固氮酶钼微环境Ｏ_３ＭｏＳ_３结构单元四个系列化合物［Ｍｏ（Ｓ，Ｏ－Ｃ_６Ｈ_４－１，２］~－（Ｍ）［Ｍｏ_２（ＣＯ）_３（Ｓ，Ｏ－Ｃ_６Ｈ_４－１，２）_３］^（２－）（Ｄ），［Ｍｏ_３（ＣＯ）_７（Ｓ，Ｏ－Ｃ_６Ｈ_４－１，２）_３］^（２－）（Ｔ），和［Ｍｏ_２Ｆｅ（ＣＯ）_４（Ｓ，Ｏ－Ｃ_６Ｈ_４－１，２）_３Ｃｌ_２］^（２－）（Ｔ_ｆ）的合成化学与结构化学，并通过Ｘ－射线光电子能谱，红外光谱和电化学环伏安研究，深入探讨了它们的混合价，电子迁移和电化学行为，也讨论了有趣的Ｏ_３ＭｏＳ_３结构单元。
- 庄伯涛黄梁仁兰安建何玲洁潘炳华余佩华
- 关键词：混合价固氮酶钼微环境有机硫
- 含低价钨的双核化合物(Et_4N)_2[(CO)_4W(μ—S)_2MoS_2]和(Et_4N)_2[(CO)_4W(μ—S)_2WS_2]的合成及晶体结构
- 1992年
- 用新方法合成并测定了含W(O)的双核化合物(Et_4N)_2[(CO)_4W(μ—S)_2MoS_2](Ⅰ)和(Et_4N)_2[(CO)_4W(μ—S)_2WS_2)(Ⅱ)的晶体结构。Ⅰ和Ⅱ均属正交晶系,其空间群分别为PbCm和Pbam。Ⅰ的a=18.334(5),b=11.946(3),c=13.448(6),Z=4,R=0.057;Ⅱ的a=12.007(2),b=13.523(3),c=18.414(4),Z=4,R=0.058。Ⅰ和Ⅱ的阴离子均为以W(O)为中心的八面体和以Mo(Ⅵ)或(W)为中心的四面体共边且以μ—S连接,W(μ—S)_2M(M=Mo,W)共平面。其中W—Mo键距为2.964(3),W—W键距为3.0103(8),并发现其IR中M(O)—S_b键的ν在424.3～437.8cm^(-1)范围。
- 萧泰余佩华
- 关键词：晶体结构簇状化合物钨
- 混合价簇合物[Et_4N]_2[{(CO)_4M}_xM′S_4][x=1,2;M=Mo(0)或W(0);M′=Mo(Ⅵ)或W(Ⅵ)]的共振Raman光谱及IR光谱研究
- 1995年
- 研究了[{(CO)4_M}_xM′S_4]^(2-)[X=1,2;M=Mo(O),W(O);M′=Mo(Ⅵ),W(Ⅵ)]系列簇合物的共振Raman(RR)光谱及红外(IR)光谱.除了对:v_(c—o),v_(M(Ⅵ)—S(b))[S(b):桥基S],v_(M(Ⅵ)—S(t))[S(t):端基S],v_(M(o)—c),δ_(M(O)—C—O)进行归属外,着重讨论v_(M(O)—S(b)),v_(M(O)-M(Ⅵ))的归属.研究了IR谱中Δv[v_(M(Ⅵ)—S(b))(—v)_(M(O)—S(b))]与M(0)→M(Ⅵ)电荷迁移的关系.RR谱研究结果表明,在[(CO)_(4-)MS_2MoS_2]^(2-),[(CO)_4MoS_2MoS_2Mo(CO)_4]^(2-)中S(b)一M(0)电荷迁移与M(0)-MO(Ⅵ)电荷迁移之间有较明显的相互偶合;在[(CO)_4MS_2WS_2]^(2-)中S(b)→W(Ⅵ)与M(O)→W(Ⅵ)电荷迁移、S(t)→W(Ⅵ)与M(0)→W(Ⅵ)电荷迁移之间也分别存在明显的相互偶合,说明了它们存在强的电子离域.本系列簇合物中二核簇的电子离域程度比三核簇强.
- 何玲洁余佩华庄伯涛蔡素华陈波张琳娜朱自莹傅桂香谭暎
- 关键词：混合价原子簇散射谱
- 簇合物的合成：巯基吡啶及其氧化物与羰基钼的反应研究
- 庄伯涛魏强余佩华张明艳
- 关键词：巯基吡啶羰基钼
- 文献传递
