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文献类型

  • 1篇中文期刊文章

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机构

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作者

  • 1篇施立群
  • 1篇于治水
  • 1篇姚宝殿
  • 1篇王月霞
  • 1篇沈皓
  • 1篇张慧芬
  • 1篇胡桂青

传媒

  • 1篇物理学报

年份

  • 1篇2016
1 条 记 录,以下是 1-1
排序方式:
H,He对Ti_3SiC_2材料力学性能影响的第一性原理研究被引量:2
2016年
层状三元化合物Ti_3SiC_2兼具陶瓷与金属的优良性能而得到诸多研究领域的关注.本工作采用第一性原理密度泛函理论研究了氢、氦对该材料解理断裂行为的影响,以期探讨Ti_3SiC_2作为核应用材料的可行性.结果表明Si—Ti相对较弱的化学键使之相应的原子层间成为解理断裂面.氢与氦都易在此原子层间聚集.氦的聚集严重降低材料的解理断裂临界应力促使材料的断裂,而氢则对该临界应力影响不大.两者的差异源于这两类原子与材料中晶体原子相异的电子杂化行为.
姚宝殿胡桂青于治水张慧芬施立群沈皓王月霞
关键词:密度泛函理论辐照损伤解理断裂TI3SIC2
共1页<1>
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