许云龙
- 作品数：9 被引量：5H指数：2
- 供职机构：上海大学更多>>
- 发文基金：上海市科学技术委员会科研基金国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信水利工程更多>>
- 溶胶凝胶法制备具有high-k绝缘层的氧化物薄膜晶体管
- 本文采用溶胶凝胶法成功制备了HfO2-ZITO TFT和Al2O3-ZITO TFT.同时对HfO2和Al2O3薄膜的基本特性包括表面性能,结晶性能,介电常数进行了对比.HfO2相较于Al2O3薄膜而言,更容易结晶,表面...
- 李喜峰高娅娜朱乐永董盼盼许云龙岳致富张建华
- 关键词：薄膜晶体管溶胶凝胶法绝缘层氧化铪
- 文献传递
- 薄膜晶体管的制备方法及具有导电孤岛的薄膜晶体管
- 本发明公开一种薄膜晶体管的制备方法，制备方法包括：设置基板，在基板上制备栅极薄膜；对栅极薄膜依次进行涂胶、烘烤、光刻、显影、刻蚀和去胶，形成栅电极；在栅电极上制备绝缘层，并在绝缘层上制备源漏电极层；对源漏电极层依次进行涂...
- 李喜峰杨祥岳致富姜姝许云龙陈龙龙张建华
- 溶胶凝胶法制备以Al_2O_3为界面修饰层的铪铟锌氧薄膜晶体管被引量：3
- 2016年
- 利用溶液法制备了以HfSiOx为绝缘层、HfInZnO为有源层、Al_2O_3为界面修饰层的TFT器件。HfSiOx薄膜经Al_2O_3薄膜修饰后,薄膜表面粗糙度从0.24nm降低至0.16nm。Al2O3薄膜与HfSiOx薄膜之间的界面接触良好,以Al_2O_3为界面修饰层的TFT器件整体性能得到提升,具体表现为:栅极电压正向和反向扫描过程中产生的阈值电压漂移显著减小,器件的阈值电压和亚阈值摆幅降低,迁移率与开关比增大。研究证明,溶液法制备Al_2O_3薄膜适合作为改善器件性能的界面修饰层。
- 高娅娜许云龙张建华李喜峰
- 关键词：溶液法薄膜晶体管
- 薄膜晶体管的制备方法及具有导电孤岛的薄膜晶体管
- 本发明公开一种薄膜晶体管的制备方法，制备方法包括：设置基板，在基板上制备栅极薄膜；对栅极薄膜依次进行涂胶、烘烤、光刻、显影、刻蚀和去胶，形成栅电极；在栅电极上制备绝缘层，并在绝缘层上制备源漏电极层；对源漏电极层依次进行涂...
- 李喜峰杨祥岳致富姜姝许云龙陈龙龙张建华
- 文献传递
- 调节薄膜晶体管阈值电压的阳极还原反应装置
- 本实用新型公开了一种调节薄膜晶体管阈值电压的阳极还原反应装置，由反应容器、电源、阳极金属片和电解液组成阳极还原反应装置，电源的正极连接阳极金属片，电源的负极连接薄膜晶体管的源漏电极，将薄膜晶体管器件和阳极金属片浸入反应容...
- 李喜峰董盼盼许云龙高娅娜张建华岳致富
- 文献传递
- 溶液法顶栅氧化物薄膜晶体管的制备及稳定性研究
- 本论文主要研究了溶液法共面式/交叠式顶栅薄膜晶体管的制备，器件的偏压稳定性，和基于亚禁带缺陷态(DOS)和有缘层/绝缘层的界面缺陷态(Qit)的二维数值仿真，其中，器件的有缘层为ZnInSnO(ZITO)材料，绝缘层为H...
- 许云龙李喜峰
- 关键词：溶液法
- 降低溶液法成膜退火温度的方法
- 本发明公开了一种降低溶液法成膜退火温度的方法，首先按照溶质金属化合物和有机溶剂的混合摩尔比，将溶质金属化合物溶解于有机溶剂中，进行混合，搅拌，待混合溶液澄清后，得到前驱体溶液；然后按照在所述步骤a中制备的前驱体溶液与过氧...
- 李喜峰许云龙高娅娜董盼盼岳致富
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- 降低溶液法成膜退火温度的方法
- 本发明公开了一种降低溶液法成膜退火温度的方法，首先按照溶质金属化合物和有机溶剂的混合摩尔比，将溶质金属化合物溶解于有机溶剂中，进行混合，搅拌，待混合溶液澄清后，得到前驱体溶液；然后按照在所述步骤a中制备的前驱体溶液与过氧...
- 李喜峰许云龙高娅娜董盼盼岳致富
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- 柔性低温多晶硅薄膜晶体管的弯曲稳定性被引量：2
- 2017年
- 研究了以聚酰亚胺为基板的p型低温多晶硅薄膜晶体管在不同弯曲半径下的偏压稳定性。当曲率半径从15 mm变到3 mm时,在拉伸弯曲状态下,阈值电压和平坦时保持一致(Vth=-1.34 V),迁移率μsat从45.65 cm^2/(V·s)降到45.17 cm^2/(V·s),开关比增大;在压缩弯曲状态下,转移特性曲线和平坦状态保持了非常好的一致性。在最小弯曲半径为3 mm时,进行了正负偏压稳定性测试,结果表明,器件依然具有很好的稳定性。
- 岳致富吴勇李喜峰杨祥姜姝许云龙
- 关键词：低温多晶硅稳定性
