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邹华

作品数：102 被引量：2H指数：1
供职机构：江苏理工学院更多>>
相关领域：一般工业技术文化科学金属学及工艺电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 98篇专利
  • 3篇会议论文
  • 1篇期刊文章

领域

  • 16篇一般工业技术
  • 5篇文化科学
  • 4篇金属学及工艺
  • 3篇电子电信
  • 2篇自动化与计算...
  • 2篇理学
  • 1篇电气工程
  • 1篇农业科学

主题

  • 54篇相变存储
  • 52篇存储器
  • 51篇相变存储器
  • 29篇晶格
  • 29篇超晶格
  • 27篇溅射
  • 27篇功耗
  • 21篇SUB
  • 21篇磁控
  • 21篇磁控溅射
  • 19篇低功耗
  • 18篇晶态
  • 17篇相变
  • 17篇SB
  • 16篇热稳定
  • 16篇热稳定性
  • 14篇晶格结构
  • 14篇超晶格结构
  • 13篇多层膜
  • 13篇多层膜结构

机构

  • 102篇江苏理工学院
  • 1篇同济大学

作者

  • 102篇邹华
  • 101篇胡益丰
  • 100篇朱小芹
  • 48篇吴卫华
  • 47篇袁丽
  • 37篇眭永兴
  • 35篇张建豪
  • 34篇吴世臣
  • 31篇郑龙
  • 29篇孙月梅
  • 27篇薛建忠
  • 23篇尤海鹏
  • 14篇张剑豪
  • 10篇翟良君
  • 6篇沈大华
  • 5篇张丹
  • 4篇卢雅琳
  • 4篇吴小丽
  • 3篇刘波
  • 2篇周健

传媒

  • 1篇江苏理工学院...

年份

  • 5篇2023
  • 9篇2022
  • 5篇2021
  • 8篇2020
  • 24篇2019
  • 25篇2018
  • 11篇2017
  • 11篇2016
  • 4篇2015
共 102 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种ZnSb/SiO2复合相变薄膜及其制备方法和应用
本发明公开了一种ZnSb/SiO<Sub>2</Sub>复合相变薄膜及其制备方法和应用，该材料通过磁控溅射交替沉积ZnSb和SiO<Sub>2</Sub>层，在纳米量级复合而成，其结构符合下列通式：[ZnSb(a)/Si...
胡益丰张锐郭璇徐永康孙松朱小芹邹华
一种钼酸盐上转换发光材料及其制备方法与应用
本申请公开了一种钼酸盐上转换发光材料及其制备方法与应用，涉及发光材料技术领域，该钼酸盐上转换发光材料的化学通式为Ln<Sub>2‑2x‑</Sub><Sub>2y</Sub>Er<Sub>2x</Sub>Yb<Sub>2...
邹华王锋陈冰胡益丰朱小芹
文献传递
一种用于相变存储器的Ge/Sb类超晶格相变薄膜材料的制备方法
本发明公开了一种用于相变存储器的Ge/Sb类超晶格相变薄膜材料的制备方法，Ge/Sb类超晶格相变薄膜材料为多层膜结构，由Ge层和Sb层交替沉积复合而成，将一层Ge层和一层Sb层作为一个交替周期，后一个交替周期的Ge层沉积...
胡益丰朱小芹吴世臣邹华袁丽吴卫华张建豪眭永兴沈大华
文献传递
一种柔性V<Sub>2</Sub>O<Sub>5</Sub>/Ge<Sub>2</Sub>Sb<Sub>2</Sub>Te<Sub>5</Sub>纳米多层相变薄膜材料及其制备方法
本发明涉及一种柔性V<Sub>2</Sub>O<Sub>5</Sub>/Ge<Sub>2</Sub>Sb<Sub>2</Sub>Te<Sub>5</Sub>纳米多层相变薄膜材料及其制备方法，本发明材料是多层复合膜结构，由...
胡益丰徐永康朱小芹邹华
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一种GeTe/Ge类超晶格纳米相变薄膜材料及其制备方法和应用
本发明涉及纳米材料技术领域，涉及一种GeTe/Ge类超晶格纳米相变薄膜材料及其制备方法和应用。本发明的材料包括碲化锗薄膜材料和单质锗薄膜材料，二者通过磁控溅射法进行纳米量级的交替叠加，形成类超晶格结构。本发明的材料的结构...
张剑豪胡益丰朱小芹邹华袁丽薛建忠孙月梅
稀土Er掺杂改性的GeSb纳米薄膜及其制备方法
本发明提供了一种稀土Er掺杂改性的GeSb纳米薄膜及其制备方法，所述稀土Er掺杂改性的GeSb纳米薄膜的组分表达式为Er<Sub>x</Sub>(Ge<Sub>i</Sub>Sb<Sub>j</Sub>)<Sub>y</...
邹华胡益丰朱小芹张建豪郑龙吴世臣袁丽孙月梅吴卫华薛建忠眭永兴
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一种用于相变存储器的Si/Sb类超晶格相变薄膜材料的制备方法
本发明公开了一种用于相变存储器的Si/Sb类超晶格相变薄膜材料的制备方法，所制备的Si/Sb类超晶格相变薄膜材料为多层膜结构，多层膜结构中Si薄膜层和Sb薄膜层交替排列。本发明的Si/Sb类超晶格相变薄膜材料的RESET...
朱小芹胡益丰邹华袁丽吴卫华郑龙张建豪吴世臣眭永兴
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一种用于相变存储器的Sb-Se-Ti系列纳米复合相变薄膜及其制备方法
一种用于相变存储器的Sb‑Se‑Ti系列纳米复合相变薄膜，其化学组成符合化学通式(Sb<Sub>x</Sub>Se<Sub>1‑x</Sub>)<Sub>1‑y</Sub>Ti<Sub>y</Sub>，其中，0.25&l...
吴卫华朱小芹眭永兴郑龙胡益丰邹华
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纳米复合Ti-Ge-Te相变存储薄膜材料及其制备方法和应用
本发明公开一种纳米复合Ti‑Ge‑Te相变存储薄膜材料及其制备方法和应用，该薄膜材料的化学组成符合化学通式Ti<Sub>x</Sub>(Ge<Sub>y</Sub>Te<Sub>1‑y</Sub>)<Sub>1‑x</S...
吴卫华陈康雄刁懿汤皓婷张贤朱小芹邹华胡益丰
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一种用于高温工况的类超晶格Zn-Sb/Ge-Sb纳米相变存储薄膜及其制备方法
一种用于高温工况的类超晶格Zn‑Sb/Ge‑Sb纳米相变存储薄膜，其特征在于，其结构通式为[Zn<Sub>x</Sub>Sb<Sub>100‑x</Sub>(a)/Ge<Sub>y</Sub>Sb<Sub>100‑y</...
吴卫华朱小芹刘波张剑豪胡益丰邹华
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