公共文化服务平台

一种低功耗发射机: 本发明公开了一种低功耗发射机，包括发射机核心电路，还包括启动控制电路，所述启动控制电路用于当接收到所需发射的数据且接收到的第一使能信号的电平为启动电平时，则输出第二使能信号至发射机核心电路，从而控制发射机核心电路启动；所...; 梁振李斌黄沫叶晖徐肯; 文献传递

一种IQ不平衡补偿装置和方法: 本发明公开了一种IQ不平衡补偿装置和方法，装置包括增益相位补偿模块、补偿分量产生模块、第一负反馈环路开关和第二负反馈环路开关。本发明通过在数字IQ信号进入基带数字处理芯片之前已经在射频接收机将IQ之间的增益误差和相位误差...; 叶晖李斌梁晓峰徐肯王昭黄沫

FDD射频收发机IQ不平衡的片上数字补偿方法被引量：4: 2018年; 提出一种应用于直接变频结构FDD射频收发机IQ不平衡的片上数字补偿方法。在接收机通道与发射机通道中分别插入一个数字后校正单元与一个数字预失真单元,并结合接收机通路中的数字补偿参数检测电路,针对接收机与发射机的IQ不平衡,先后构建了负反馈环路。在上电初始化时的校准模式下,利用负反馈环路的高通特性,将补偿参数转换为直流成分并精确地提取出来。基于SMIC 0.13μm RF CMOS工艺,该数字IQ不平衡补偿方法在一种直接变频结构的FDD射频收发芯片中得到了实现。测试结果表明,接收机和发射机的镜像抑制均达到了60dB。在64QAM调制模式下,相比于没有补偿的情况,接收机的解调EVM从4.67%提升至2.12%,发射机的调制EVM从5.16%提升至2.3%。; 叶晖李斌黄沫梁振徐肯; 关键词：接收机发射机 IQ不平衡直接变频

应用于TD-SCDMA/LTE标准的连续时间Δ-Σ ADC的研究与设计: 不断涌现的无线通信新技术和庞大的旧技术用户存量,使得多种通信技术共存的局面还将长期存在。因此,支持多种模式的射频芯片具有重要的时代意义和广阔的市场应用前景。作为多模射频芯片的重要模块,多模ADC(Analog-to-Di...; 徐肯; 关键词：模数转换器多模多级放大器频率补偿

TDD射频收发机中本振泄漏片上数字补偿被引量：2: 2018年; 提出了一种应用于TDD射频收发机的本振泄漏片上数字补偿技术。在发射机中数模转换器前级的数字模块中插入一个数字预补偿单元,结合数字模块中的直流测量电路和补偿参数检测控制电路,构建了对发射机的本振泄漏进行补偿的负反馈回路。上电初始化校准模式下,在数字域中对本振泄漏信号进行功率检测,采用逐次逼近算法精确提取了补偿参数。应用该数字补偿技术,采用IBM 0.13μm RF CMOS工艺实现了一种直接变频结构TDD-LTE射频收发芯片。仿真和测试结果表明,该射频收发芯片的本振泄漏抑制达到61dB。; 叶晖李斌黄沫梁振徐肯; 关键词：本振泄漏

应用于宽带Δ-∑ ADC的多级运算放大器被引量：2: 2017年; 为提高运算放大器的带内增益和带宽,提出了一款应用于长期演进(LTE)接收机中宽带Δ-∑模数转换器(ADC)的四级运算放大器.该运算放大器采用前馈Gm-C和密勒补偿相结合的混合型频率补偿方法,以保证运算放大器的稳定性.文中采用0.13μm1P6M CMOS工艺设计了一款高性能的四级运算放大器,并将该运算放大器应用于宽带Δ-∑ADC中.测试结果显示:该运算放大器在1.5 V供电电压下可获得72.8 d B的直流增益、442 MHz的增益带宽积和101 V/μs的转换率;在相同的功耗和带宽下,该放大器的带内(0~10 MHz)增益比传统的两级放大器提高了6 d B以上;采用该运算放大器的宽带Δ-∑ADC在10 MHz的信号带宽下具有68 d B的信噪比和78 d B的无杂散动态范围.; 徐肯蔡敏贺小勇; 关键词：运算放大器频率补偿宽带放大器模数转换器

直流偏移校正方法和装置: 本发明公开了一种直流偏移校正方法和装置，方法包括：对接收机的直流偏移值进行模拟增益挡位和本振频率分段，然后在接收机芯片上电初始化的过程中采用逐次逼近算法完成所有模拟增益挡位和本振频率分段的直流偏移检测，并将检测出的直流偏...; 叶晖李斌徐肯梁晓峰王昭黄沫; 文献传递

一种低功耗发射机: 本发明公开了一种低功耗发射机，包括发射机核心电路，还包括启动控制电路，所述启动控制电路用于当接收到所需发射的数据且接收到的第一使能信号的电平为启动电平时，则输出第二使能信号至发射机核心电路，从而控制发射机核心电路启动；所...; 梁振李斌黄沫叶晖徐肯; 文献传递

一款直流偏移自校准的多模数模转换器被引量：1: 2019年; 设计了一款应用于GSM/WCDMA/LTE发射机中的多模10 bit数模转换器(DAC),该DAC采用了5+5的分段式电阻型结构,达到面积和性能优化折中。通过数字可编程设计,该DAC可根据不同带宽和数据率的要求合理地控制偏置电流的大小,实现不同应用场景的低功耗目标。此外,该DAC还集成了一款改进的直流偏移自校准电路,将发射机本振泄露的抑制提高了20 dB以上。而且,直流偏移自校准在芯片上电期间完成,既不影响通道的正常工作,又不消耗额外的功耗,解决了现有的技术问题。该DAC采用0.13μm 1P4M CMOS工艺进行设计和流片,占用芯片面积小于0.1 mm^2。测试结果表明,该DAC在0.1~10 MHz的信号带宽下,具有63.0~76.8 dB的信噪失真比(SNDR)和67.9~77.9 dB的无杂散动态范围(SFDR);在1.5 V的供电电压下的最大功耗为2.2 mW。; 林雁飞徐肯梁振叶晖; 关键词：直流偏移自校准多模发射机

直流偏移校正方法和装置: 本发明公开了一种直流偏移校正方法和装置，方法包括：对接收机的直流偏移值进行模拟增益挡位和本振频率分段，然后在接收机芯片上电初始化的过程中采用逐次逼近算法完成所有模拟增益挡位和本振频率分段的直流偏移检测，并将检测出的直流偏...; 叶晖李斌徐肯梁晓峰王昭黄沫; 文献传递

渝B2-20050021-1　渝公网安备 50019002500403号　违法和不良信息举报中心　互联网出版许可证　新出网证(渝)字10号

徐肯