邓建峰
- 作品数：6 被引量：1H指数：1
- 供职机构：大连理工大学更多>>
- 发文基金：教育部重点实验室开放基金国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：金属学及工艺电子电信更多>>
- 金属间化合物薄膜的制备方法
- 一种金属间化合物薄膜的制备方法，是在第一金属基底上制备第一钎料金属层，可以在第二金属基底上制备第二钎料金属层，再将涂覆焊剂的第一钎料金属层和第二钎料金属层对准接触放置，形成一个组合体；或将第一钎料金属层第二金属基底对准接...
- 黄明亮赵宁杨帆张志杰邓建峰赵杰
- 文献传递
- 一种全金属间化合物窄间距微焊点的制备方法及结构
- 本发明提供一种全金属间化合物窄间距微焊点的制备方法及结构，在芯片上制备至少一个第一金属焊盘和钎料凸点或钎料层，在载板上制备至少一个第二金属焊盘和可焊层；在可焊层的表面涂覆焊剂；将钎料凸点或钎料层和可焊层对准放置后加热，钎...
- 赵宁钟毅马海涛邓建峰王云鹏王明耀
- 文献传递
- 热迁移下Ni/Sn-xZn/Ni和Ni/Sn-xCu/Ni微焊点钎焊界面反应研究
- 微电子封装技术不断朝着高密度、高可靠性的趋势发展。在此背景下，三维（3D）封装等先进封装技术应运而生，成为半导体技术以低成本延续摩尔定律的重要出路之一。3D封装技术中微焊点尺寸不断减小，导致电流密度的急剧增加，焦耳热问题...
- 邓建峰
- 关键词：微电子封装
- 金属间化合物薄膜的制备方法
- 一种金属间化合物薄膜的制备方法，是在第一金属基底上制备第一钎料金属层，可以在第二金属基底上制备第二钎料金属层，再将涂覆焊剂的第一钎料金属层和第二钎料金属层对准接触放置，形成一个组合体；或将第一钎料金属层第二金属基底对准接...
- 黄明亮赵宁杨帆张志杰邓建峰赵杰
- 文献传递
- 热迁移下Ni/Sn-xCu/Ni微焊点钎焊界面金属间化合物的演变被引量：1
- 2017年
- 研究了240℃,温度梯度为1045℃/cm的热迁移条件下Cu含量对Ni/Sn-xCu/Ni(x=0.3、0.7、1.5,质量分数,%)微焊点钎焊界面反应的影响。结果表明,在热迁移过程中微焊点发生了界面金属间化合物(IMC)的非对称生长和转变以及Ni基体的非对称溶解。在Ni/Sn-0.3Cu/Ni微焊点中,虽然界面IMC类型始终为初始的(Ni,Cu)3Sn4,但出现冷端界面IMC厚度明显大于热端的非对称生长现象。在Ni/Sn-0.7Cu/Ni和Ni/Sn-1.5Cu/Ni微焊点中,界面IMC类型逐渐由初始的(Cu,Ni)6Sn5转变为(Ni,Cu)3Sn4,且出现冷端滞后于热端的非对称转变现象;Ni/Sn-1.5Cu/Ni微焊点冷、热端发生IMC转变的时间均滞后于Ni/Sn-0.7Cu/Ni微焊点。通过分析微焊点冷、热端界面IMC生长所需Cu和Ni原子通量,确定Cu和Ni的热迁移方向均由热端指向冷端。微焊点中的Cu含量显著影响主热迁移元素的种类,进而影响冷、热端界面IMC的生长和转变规律。此外,热迁移促进了热端Ni原子向钎料中的扩散,加速了热端Ni基体的溶解,溶解到钎料中的Ni原子大部分迁移到冷端并参与界面反应。相反,热迁移显著抑制了冷端Ni原子的扩散,因此冷端Ni基体几乎不溶解。
- 赵宁邓建峰钟毅殷录桥
- 关键词：金属间化合物
- 一种全金属间化合物窄间距微焊点的制备方法及结构
- 本发明提供一种全金属间化合物窄间距微焊点的制备方法及结构，在芯片上制备至少一个第一金属焊盘和钎料凸点或钎料层，在载板上制备至少一个第二金属焊盘和可焊层；在可焊层的表面涂覆焊剂；将钎料凸点或钎料层和可焊层对准放置后加热，钎...
- 赵宁钟毅马海涛邓建峰王云鹏王明耀
- 文献传递
