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刘迎

作品数：12 被引量：0H指数：0
供职机构：天津理工大学更多>>
相关领域：电子电信一般工业技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 11篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 3篇电子电信
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 9篇太赫兹
  • 9篇赫兹
  • 6篇太赫兹波
  • 5篇半导体
  • 5篇半导体材料
  • 4篇太赫兹波段
  • 4篇碳纳米管
  • 4篇纳米
  • 4篇纳米管
  • 4篇波段
  • 3篇石墨
  • 3篇石墨烯
  • 3篇晶体
  • 3篇拉曼
  • 3篇拉曼散射
  • 3篇光子
  • 3篇光子晶体
  • 3篇硅基
  • 3篇硅质
  • 3篇表面增强拉曼

机构

  • 12篇天津理工大学

作者

  • 12篇刘迎
  • 11篇任广军
  • 7篇汪亚琦
  • 4篇汪亚奇

年份

  • 2篇2018
  • 3篇2017
  • 1篇2016
  • 6篇2015
共 12 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种基于石墨烯的太赫兹吸收器件
一种基于石墨烯的太赫兹吸收器件，由石墨烯层、硅质锯齿一维光子晶体和二氧化硅质锯齿一维光子晶体构成，石墨烯层为单层石墨烯层；硅质锯齿一维光子晶体和二氧化硅质锯齿一维光子晶体相互耦合，石墨烯层平铺于硅质锯齿一维光子晶体上；硅...
任广军谭天波刘迎汪亚琦
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一种碳纳米管太赫兹天线
一种碳纳米管太赫兹天线，采用硅基底上碳纳米管嵌套结构，由硅基底、碳纳米管、嵌套材料铜线和交流电源组成，碳纳米管构成阵列垂直设置于硅基底上并平行排列，碳纳米管的半径为入射波长的0.0001倍，两段碳纳米管之间的缝隙宽度为入...
任广军汪亚琦谭天波刘迎
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一种太赫兹波段半导体材料的表面增强拉曼散射传感探针
一种太赫兹波段半导体材料的表面增强拉曼散射传感探针,由单孔光纤和置于光纤腔内的半导体微纳粒子组成，单孔光纤材料为二氧化硅，单孔光纤长为3微米，外径为3微米，内径为2.8微米；半导体微纳粒子布满单孔光纤的整个内腔，半导体微...
任广军刘迎谭天波汪亚奇
基于表面增强拉曼散射效应的碳纳米管太赫兹传感模型
一种基于表面增强拉曼散射效应的碳纳米管太赫兹传感模型，由碳纳米管球阵列和半导体基底构成，碳纳米管球阵列位于半导体基底材料表面，阵列结构为线型阵列或环形阵列；碳纳米管球半径为0.1‑300微米，球与球的表面距离为1‑100...
任广军汪亚琦刘迎谭天波
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一种基于石墨烯的太赫兹吸收器件
一种基于石墨烯的太赫兹吸收器件，由石墨烯层、硅质锯齿一维光子晶体和二氧化硅质锯齿一维光子晶体构成，石墨烯层为单层石墨烯层；硅质锯齿一维光子晶体和二氧化硅质锯齿一维光子晶体相互耦合，石墨烯层平铺于硅质锯齿一维光子晶体上；硅...
任广军谭天波刘迎汪亚琦
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一种碳纳米管太赫兹天线
一种碳纳米管太赫兹天线，采用硅基底上碳纳米管嵌套结构，由硅基底、碳纳米管、嵌套材料铜线和交流电源组成，碳纳米管构成阵列设置于硅基底上，碳纳米管的半径为入射波长的0.0001倍，两段碳纳米管之间的缝隙宽度为入射波长的0.0...
任广军汪亚琦谭天波刘迎
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太赫兹波段半导体粒子表面增强拉曼散射效应
在太赫兹（THz）波段应用半导体材料作为表面增强拉曼散射（SERS）基底可以获得很大的SERS增强因子，而大的增强因子有着极好的应用前景。本文应用FDTD Solutions软件对三种不同形貌的半导体材料InAs双微纳量...
刘迎
关键词：砷化铟太赫兹
基于表面增强拉曼散射效应的碳纳米管太赫兹传感模型
一种基于表面增强拉曼散射效应的碳纳米管太赫兹传感模型，由碳纳米管球阵列和半导体基底构成，碳纳米管球阵列位于半导体基底材料表面，阵列结构为线型阵列或环形阵列；碳纳米管球半径为0.1-300微米，球与球的表面距离为1-100...
任广军汪亚琦刘迎谭天波
一种太赫兹波段半导体材料的表面增强拉曼散射传感探针
一种太赫兹波段半导体材料的表面增强拉曼散射传感探针,由单孔光纤和置于光纤腔内的半导体微纳粒子组成，单孔光纤材料为二氧化硅，单孔光纤长为3微米，外径为3微米，内径为2.8微米；半导体微纳粒子布满单孔光纤的整个内腔，半导体微...
任广军刘迎谭天波汪亚奇
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一种太赫兹波段半导体材料的表面增强拉曼散射基底
一种太赫兹波段半导体材料的表面增强拉曼散射基底,由石墨烯基底和在石墨烯基底上周期性排列的半导体点阵组成，石墨烯基底为边长3微米、厚度0.03微米的长方体；半导体点阵层的材料为InP或InSb，周期性点阵结构的排列形状为正...
任广军刘迎汪亚奇谭天波
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