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张道礼

作品数：6 被引量：0H指数：0
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 6篇中文专利

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 3篇迁移率
  • 3篇衬底
  • 2篇氮化
  • 2篇氮化硼
  • 2篇形貌
  • 2篇形貌可控
  • 2篇载流子
  • 2篇载流子迁移率
  • 2篇石墨
  • 2篇石墨烯
  • 2篇石墨烯纳米带
  • 2篇图形化
  • 2篇退火
  • 2篇线接触
  • 2篇膜层
  • 2篇纳米
  • 2篇纳米带
  • 2篇接触电极
  • 2篇晶格
  • 2篇刻蚀

机构

  • 6篇中国科学院

作者

  • 6篇江绵恒
  • 6篇王浩敏
  • 6篇谢红
  • 6篇谢晓明
  • 6篇李蕾
  • 6篇张道礼
  • 6篇贺立
  • 2篇唐述杰
  • 2篇邓联文
  • 2篇吴天如

年份

  • 2篇2018
  • 1篇2017
  • 3篇2015
共 6 条 记 录，以下是 1-6
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排序方式：
一种氮化硼衬底表面台阶刻蚀方法
本发明提供一种氮化硼衬底表面台阶刻蚀方法，包括如下步骤：S1：提供一六角氮化硼衬底；S2：在所述六角氮化硼衬底表面形成掩膜层，并在所述掩膜层中形成暴露出所述六角氮化硼衬底表面的预设刻蚀图形；S3：在所述掩膜层表面及所述预...
王浩敏谢红贺立王慧山陈令修李蕾吴天如张道礼谢晓明江绵恒
文献传递
h-BN上石墨烯纳米带的制备方法
本发明提供一种h‑BN上石墨烯纳米带的制备方法，包括：1）采用金属催化刻蚀方法于h‑BN上形成具有纳米带状沟槽结构的h‑BN沟槽模板；2）采用化学气相沉积方法于所述h‑BN沟槽模板中的生长石墨烯纳米带。本发明采用CVD方...
王浩敏贺立陈令修谢红王慧山唐述杰李蕾张道礼谢晓明江绵恒
文献传递
一种以石墨烯作为接触电极的器件结构及其制备方法
本发明提供一种以石墨烯作为接触电极的器件结构及其制备方法，涉及以石墨烯作为接触电极的器件结构技术领域，以干法转移的方法形成h-BN—石墨烯—超导/半导体材料—h-BN的新型器件结构，可以避免湿法转移工艺及图形化刻蚀、金属...
王浩敏谢红李蕾王慧山贺立陈令修张道礼邓联文谢晓明江绵恒
h-BN上石墨烯纳米带的制备方法
本发明提供一种h-BN上石墨烯纳米带的制备方法，包括：1）采用金属催化刻蚀方法于h-BN上形成具有纳米带状沟槽结构的h-BN沟槽模板；2）采用化学气相沉积方法于所述h-BN沟槽模板中的生长石墨烯纳米带。本发明采用CVD方...
王浩敏贺立陈令修谢红王慧山唐述杰李蕾张道礼谢晓明江绵恒
文献传递
一种以石墨烯作为接触电极的器件结构及其制备方法
本发明提供一种以石墨烯作为接触电极的器件结构及其制备方法，涉及以石墨烯作为接触电极的器件结构技术领域，以干法转移的方法形成h‑BN—石墨烯—超导/半导体材料—h‑BN的新型器件结构，可以避免湿法转移工艺及图形化刻蚀、金属...
王浩敏谢红李蕾王慧山贺立陈令修张道礼邓联文谢晓明江绵恒
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一种氮化硼衬底表面台阶刻蚀方法
本发明提供一种氮化硼衬底表面台阶刻蚀方法，包括如下步骤：S1：提供一六角氮化硼衬底；S2：在所述六角氮化硼衬底表面形成掩膜层，并在所述掩膜层中形成暴露出所述六角氮化硼衬底表面的预设刻蚀图形；S3：在所述掩膜层表面及所述预...
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