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姚明军

作品数：3 被引量：3H指数：1
供职机构：大连理工大学更多>>
相关领域：电子电信医药卫生更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 1篇电子电信
  • 1篇医药卫生

主题

  • 2篇三维封装
  • 2篇梯度方向
  • 2篇金属
  • 2篇金属化合物
  • 2篇金属间化合物
  • 2篇化合物
  • 2篇封装
  • 1篇电路
  • 1篇堆叠
  • 1篇堆叠技术
  • 1篇三维集成电路
  • 1篇生长速率
  • 1篇通孔
  • 1篇钎料
  • 1篇晶圆
  • 1篇集成电路
  • 1篇键合
  • 1篇硅

机构

  • 3篇大连理工大学

作者

  • 3篇姚明军
  • 2篇黄斐斐
  • 2篇黄明亮
  • 2篇赵宁
  • 2篇赵杰
  • 2篇钟毅

年份

  • 1篇2019
  • 1篇2017
  • 1篇2015
共 3 条 记 录，以下是 1-3
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排序方式：
基于混合键合和后硅通孔的晶圆级三维芯片堆叠技术研究
按照摩尔定律，继续通过缩小晶体管的特征尺寸来提升集成电路的性能，已变得越发困难。三维集成电路(Three-dimensional integrated circuit，3D IC)作为超越摩尔定律的重要研究和应用方向，将...
姚明军
关键词：三维集成电路堆叠技术
文献传递
一种金属间化合物填充的三维封装垂直通孔及其制备方法
本发明公开了一种金属间化合物填充的三维封装垂直通孔及其制备方法，所述制备方法包括对通孔中钎料和钎料外侧的金属进行加热处理以进行钎焊反应，在所述通孔内形成金属间化合物的过程，所述加热处理时，在所述通孔中钎料外侧的金属之间形...
赵宁黄明亮黄斐斐姚明军刘嘉希赵杰钟毅
一种金属间化合物填充的三维封装垂直通孔及其制备方法
本发明公开了一种金属间化合物填充的三维封装垂直通孔及其制备方法，所述制备方法包括对通孔中钎料和钎料外侧的金属进行加热处理以进行钎焊反应，在所述通孔内形成金属间化合物的过程，所述加热处理时，在所述通孔中钎料外侧的金属之间形...
赵宁黄明亮黄斐斐姚明军刘嘉希赵杰钟毅
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