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曹光军
作品数:
1
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供职机构:
东南大学
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相关领域:
电子电信
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合作作者
何世平
东南大学
杨宏伟
四川压电与声光技术研究所
周子新
四川压电与声光技术研究所
谢兵
四川压电与声光技术研究所
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何世平
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压电与声光
年份
1篇
1989
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单片式ZnO/Si pn结二极管存储相关器/卷积器
1989年
本文报道在我国首次制成一种单片式金属-ZnO-SiO_2-Si(MZOS)结构存储相关器/卷积器。它既可用作卷积器,也可用作存储相关器。阐明了pn结二极管存储机理,叙述了该器件的基本设计,制作方法和性能参数。器件的中心频率为77MHz,带宽为7MHz,互作用时间是5.2μs,卷积效率达-63dBm。把该器件用于扩频通信的解扩实验,证明抗干扰能力强。最后提出了改进性能的方法和措施。
周子新
杨龙其
杨宏伟
谢兵
何世平
曹光军
关键词:
声表面波器件
PN结二极管
存储器
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