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林煊

作品数：5 被引量：1H指数：1
供职机构：杭州电子科技大学更多>>
发文基金：国家科技重大专项更多>>
相关领域：电子电信自动化与计算机技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇专利
  • 1篇期刊文章
  • 1篇学位论文
  • 1篇会议论文

领域

  • 3篇电子电信
  • 1篇自动化与计算...

主题

  • 2篇VERILO...
  • 1篇单端
  • 1篇信号
  • 1篇信号线
  • 1篇适应度
  • 1篇适应度函数
  • 1篇物理效应
  • 1篇轮盘赌
  • 1篇慢波传输线
  • 1篇介电
  • 1篇介电常数
  • 1篇金属线
  • 1篇高压LDMO...
  • 1篇共面
  • 1篇共面波导
  • 1篇硅衬底
  • 1篇高介电常数
  • 1篇PSP
  • 1篇SOI_MO...
  • 1篇VDMOS

机构

  • 5篇杭州电子科技...

作者

  • 5篇林煊
  • 2篇赵文生
  • 2篇刘军
  • 2篇李文钧
  • 1篇张鹏
  • 1篇赵鹏
  • 1篇王晶

传媒

  • 1篇电子器件

年份

  • 2篇2024
  • 1篇2015
  • 2篇2014
共 5 条 记 录，以下是 1-5
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排序方式：
基于MET模型的VDMOSFET建模被引量：1
2015年
研究了VDMOS的独特结构,建立了适合该器件的拓扑结构,电容、源漏二极管和源漏电流方程,提出了一个基于MET模型的VDMOS模型。以Verilog-A语言嵌入到EDA设计工具Cadence和电路模拟程序HSPICE中,基于Verilog-A的仿真结果可实现与测试数据的准确拟合。应用模型到士兰微电子S-Rin系列第三代高压VDMOS产品的建模中,工作电压涵盖500V、600 V、650 V和800 V,测量和仿真所得I-V,C-V特性曲线对比结果吻合很好,验证了模型具有良好的精度,可以表征VDMOS交直流特性。
韩山李文钧林煊刘军
关键词：VDMOSFREESCALEVERILOG-A
800伏高压LDMOS建模
本文对800V高压LDMOS进行了研究。详细分析了LDMOS准饱和区、击穿区、二极管正向偏置区的直流特性、CV特性和自热效应，提出了适用于高压LDMOS的经验模型。模型由Verilog-A描述，使用ADS、Hspice仿...
林煊李文钧刘军
关键词：高压LDMOSVERILOG-A
基于PSP扩展的SOI MOSFET模型研究
随着器件特征尺寸的减小，体硅CMOS遇到了许多技术上的问题和挑战，短沟道效应（SCE）和二极管泄漏电流的增加使得体硅技术很难遵循摩尔定律继续向前发展。相比于体硅CMOS技术，全介质隔离技术使得SOI拥有众多的优点，如消除...
林煊
关键词：物理效应
文献传递
基于片上共面波导的慢波传输线结构
本发明属于微波电真空技术领域，具体涉及基于片上共面波导的慢波传输线结构。基于片上共面波导的慢波传输线结构，包括硅衬底、设于硅衬底上方的若干层支撑介质、设于支撑介质中的屏蔽金属层和信号线金属层；所述屏蔽金属层和信号线金属层...
吕飞龙 刘其强赵文生林煊 姚晨阳
基于遗传算法的硅通孔阵列布局设计优化方法
本发明公开了基于遗传算法的硅通孔阵列布局设计优化方法，为三种TSV阵列提供了优化布局解决方案，其中，一种基于遗传算法，面向不固定信地比的单端TSV阵列的布局设计优化方法，包括：S1、对于不固定信地比的单端TSV阵列；S2...
巨佳沂 刘其强赵文生张鹏王晶赵鹏林煊 姚晨阳
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