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叶兵: 作品数：10 被引量：7H指数：2; 供职机构：中国科学院近代物理研究所更多>>; 发文基金：国家自然科学基金广东省科技计划工业攻关项目广州市科技计划项目更多>>; 相关领域：理学自动化与计算机技术核科学技术轻工技术与工程更多>>

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重离子核反应对单粒子翻转的影响(英文): 2015年; LET作为一个传统的工程参量,并不能完全满足单粒子翻转数据表征的需要,而且也不能直接地反映核反应的一些特性(包括核反应概率与次级粒子),因此研究了重离子与器件作用过程中核反应对单粒子翻转的影响。基于蒙特卡罗模拟与深入的分析,本研究对比了在直接电离与考虑核反应两种模式下的模拟结果。在模拟中,利用不同的重离子表征了核反应在单粒子翻转发生中所起的作用。结果显示,核反应对单粒子翻转截面的贡献依赖于离子的能量,并呈现非单调的变化关系。基于模拟的结果,建议用重离子核反应引起单粒子翻转的最恶劣情况来预估空间单粒子翻转率。; 刘天奇刘杰耿超古松习凯王斌叶兵; 关键词：单粒子翻转核反应重离子

电离总剂量对纳米SRAM器件单粒子翻转敏感性的影响被引量：2: 2019年; 电离总剂量(TID)与单粒子效应(SEE)是纳米SRAM器件在航天应用中的主要威胁。随着CMOS工艺的进步,两种辐射效应在纳米SRAM器件中的协同效应出现了一些新现象,有必要进一步开展深入研究。利用γ射线以及不同种类重离子对两款纳米SRAM器件开展了辐照实验,研究了不同辐照参数、测试模式以及数据图形条件下,电离总剂量对单粒子翻转(SEU)敏感性的影响。研究结果表明,γ射线辐照过后,存储单元中反相器开关阈值减小,漏电流增大,导致SRAM存储单元抗翻转能力降低,SEU截面有明显增大;未观察到"印记效应",数据图形对测试结果没有明显影响;多位翻转(MBU)比例无明显变化。; 姬庆刚刘杰李东青刘天奇叶兵赵培雄孙友梅陆妩郑齐文; 关键词：单粒子翻转总剂量效应静态随机存储器

深亚微米SRAM质子单粒子翻转实验研究: 2015年; 宇航半导体器件运行在一个复杂的空间辐射环境中,质子是空间辐射环境中粒子的重要组成部分,因而质子在半导体器件中导致的辐射效应一直受到国内外的关注。利用兰州重离子加速器(Heavy Ion Research Facility In Lanzhou)加速出的H2分子打靶产生能量为10 Me V的质子,研究了特征尺寸为0.5/0.35/0.15μm体硅和绝缘体上硅(SOI)工艺静态随机存储器(SRAM)的质子单粒子翻转敏感性,这也是首次在该装置上开展的质子单粒子翻转实验研究。实验结果表明特征尺寸为亚微米的SOI工艺SRAM器件对质子单粒子翻转不敏感,但随着器件特征尺寸的减小和工作电压的降低,SOI工艺SRAM器件对质子单粒子翻转越来越敏感;特征尺寸为深亚微米的体硅工艺SRAM器件单粒子翻转截面随入射质子能量变化明显,存在发生翻转的质子能量阈值,CR`EME-MC模拟结果表明质子在深亚微米的体硅工艺SRAM器件中通过质子核反应导致单粒子翻转。; 古松刘杰刘天奇张战刚姚会军段敬来苏弘侯明东罗捷耿超习凯叶兵王斌; 关键词：质子单粒子翻转核反应

总剂量和重离子协同作用下浮栅单元错误的退火特性研究被引量：1: 2019年; 针对25 nm商用Flash存储器,利用中国科学院新疆理化技术研究所的60Coγ射线源和兰州重离子加速器先后进行了总剂量效应和单粒子效应实验。实验中器件先辐照30 krad(Si)的γ射线,然后再辐照不同线性能量转移(Linear Energy Transfer,LET)的重离子,得到了不同条件下Flash存储器浮栅单元错误的退火特性。实验结果表明与只进行重离子辐照相比,总剂量和重离子协同作用下器件浮栅单元错误消失的比例会发生变化,且在不同LET离子的辐照下表现出相异的趋势。分析认为辐照总剂量会引起浮栅单元电荷丢失和电荷俘获,影响浮栅单元的错误退火特性。; 殷亚楠刘杰姬庆刚赵培雄刘天奇叶兵叶兵孙友梅罗捷; 关键词：FLASH存储器重离子 Γ射线退火

90nm商业级SRAM器件单粒子效应研究: 伴随着半导体技术的不断发展，器件的工作电压进一步降低，特征尺寸不断减小，对于单粒子效应越来越敏感。本文利用中国科学院近代物理研究所重离子回旋加速器及北京大学质子加速器产生的Kr、Bi 及质子，针对90nm 工艺的商业级静...; 叶兵刘杰孙友梅习凯罗捷刘天奇王斌殷亚楠姬庆刚; 关键词：SRAM 单粒子效应重离子质子数据填充

重离子在14-nm FinFET SRAM器件引起的单粒子翻转: 2021年; 通过重离子实验研究了14-nm FinFET工艺静态随机存取存储器(SRAM)的单粒子翻转(SEU)特性。通过使用Weibull函数拟合SEU截面获得该器件的线性能量转移(LET)阈值:0.1 MeV/(mg/cm^(2))。对多位翻转(MBU)贡献的统计结果表明,当LET等于40.3 MeV/(mg/cm^(2))时,MBU的占比超过95%。此外,FinFET SRAM的SEU截面呈现出与Fin相关的入射角度的各向异性。该研究对基于FinFET工艺的抗辐射CMOS集成电路(IC)的设计具有一定的指导作用。; 莫莉华叶兵刘杰刘杰童腾孙友梅罗捷; 关键词：重离子单粒子翻转

基于FPGA的高速DDR单粒子效应评估系统及方法: 本发明涉及一种基于FPGA的高速DDR4单粒子效应评估系统及方法，其包括：待测DDR4、高能辐照实验终端或脉冲激光辐照平台和单粒子测试系统；待测DDR4有源区处于高能辐照实验终端或脉冲激光辐照平台的中心位置，待测DDR4...; 蔡畅柯凌云刘郁竹孔洁陈金达叶兵贺泽刘杰; 文献传递

重离子辐照带有ECC的65nm SRAM器件“伪多位翻转”特性研究被引量：1: 2018年; 为了提高纠错编码(ECC)的有效性,先进的静态随机存储器(SRAM)多采用位交错结构。但是,在没有物理版图信息的情况下,位交错设计使得从辐照测试数据中提取出多单元翻转(MCU)变得更加困难。运用Bi离子辐照带有ECC的65 nm SRAM器件,研究了该款器件在重离子辐照下的敏感性。为"伪多位翻转(FMBU)"以及MCU的数据分析提供了理论指导和帮助,完善了判别MCU的基本法则。除此之外,研究结果表明,ECC的汉明编码对于纳米器件的效果不够理想。在未来的空间应用中,需考虑更高层次的编码算法来抵抗单粒子翻转。; 王斌刘杰刘杰刘天奇叶兵叶兵孙友梅侯明东孙友梅赵培雄李宗臻; 关键词：重离子辐照静态随机存储器

纳米级静态随机存取存储器的α粒子软错误机理研究被引量：3: 2020年; 本文使用镅-241作为α粒子放射源,开展65和90 nm静态随机存取存储器软错误机理研究,结合反向分析、TRIM和CREME-MC蒙特卡罗仿真揭示α粒子在器件中的能量输运过程、沉积能量谱和截面特性.结果表明, 65 nm器件的软错误敏感性远高于90 nm器件,未发现翻转极性.根据西藏羊八井地区4300 m海拔的实时测量软错误率、热中子敏感性和α粒子软错误率,演算得到65 nm静态随机存取存储器在北京海平面应用的总体软错误率为429 FIT/Mb,其中α粒子的贡献占比为70.63%.基于反向分析结果构建器件三维仿真模型,研究α粒子入射角度对单粒子翻转特性的影响,发现随着入射角度从0°增大至60°,灵敏区中粒子数峰值处对应的沉积能量值减小了40%,原因为衰变α粒子的能量较低,入射角度增大导致α粒子穿过空气层和多层金属布线的厚度增大1/cos(q)倍,引起粒子能量减小,有效LET值随之减小.随着入射角度从0°增大至60°,单粒子翻转截面增大了79%,原因为65 nm器件灵敏区中明显的单粒子翻转边缘效应.; 张战刚叶兵姬庆刚郭金龙习凯雷志锋黄云彭超何玉娟刘杰杜广华; 关键词：Α粒子软错误单粒子翻转

一种测量重离子能量和种类的方法: 本发明涉及一种测量重离子能量和种类的方法。方法包括：选用多个不同LET值的重离子束流，对三维堆叠结构器件进行单粒子效应标定，获得单粒子效应截面随LET的变化关系；对标定的数据进行Weibull函数拟合，获得三维堆叠结构器...; 叶兵刘杰孙友梅蔡莉罗捷赵培雄; 文献传递

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