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不同旋涂方式对铜锌锡硫硒薄膜及相应器件性能的影响被引量：1: 2023年; 晶体质量是决定铜锌锡硫硒(Cu_(2)ZnSn(S,Se)_(4),CZTSSe)吸收层薄膜吸收效率的关键,旋涂是溶液法制备CZTSSe吸收层的第一步,因此旋涂方式的选择至关重要。为了探究不同旋涂方式对CZTSSe吸收层薄膜质量和相应器件性能的影响,分别采用三组不同的旋涂方式制备铜锌锡硫(Cu_(2)ZnSnS_(4),CZTS)前驱体薄膜及CZTSSe吸收层薄膜,并利用X射线衍射仪(XRD)、能谱仪(EDS)、显微拉曼光谱仪(Raman)、场发射扫描电子显微镜(FE-SEM)分析了不同旋涂方式对所制备的CZTSSe吸收层薄膜晶体结构、元素成分、相纯度、表面形貌的影响。同时,采用电流密度-电压(J-V)测试和外量子效率(EQE)测试对CZTSSe吸收层薄膜太阳电池的光电特性进行了表征。结果表明:旋涂7周期,且第一周期烘烤之前旋涂2次的效果最好,所制备的CZTS前驱体薄膜均匀,无裂纹,CZTSSe吸收层薄膜结晶度更高,薄膜表面更平整致密,晶粒大小更均匀,实现了9.63%的光电转换效率。通过对采用不同旋涂方式制备的器件的性能参数进行统计分析,得出新的旋涂方式可以提高CZTSSe薄膜太阳电池的可重复性,为将来可能的大规模商业化应用做铺垫。; 余纳李秋莲胡兴欢刘信赵永刚陈玉飞周志能王书荣; 关键词：薄膜太阳电池光电转换效率溶液法

银锗共掺杂铜锡硫（Cu2SnS3）薄膜太阳电池的制备与研究: 本论文通过溶胶凝胶法制备了铜锡硫（Cu2SnS3,CTS）薄膜及其太阳电池,优化组分得到了 2.18%的转换效率,远远低于理论上能超过30%的效率。而CTS太阳电池遇到的瓶颈主要是薄膜质量较差导致的串联电阻高,且漏电严重...; 刘信; 关键词：薄膜太阳电池

丽江地区初级中学民族传统体育课程实施与对策研究: 民族传统体育是我国民族文化的重要组成部分，不仅在弘扬民族文化、振奋民族精神、加强民族团结等方面发挥着重要作用，而且在教育领域和全面健身方面具有重要功能。随着现代社会进程的推进，许多民族传统体育项目处于消亡的边缘，保护、传...; 刘信; 关键词：民族传统体育体育课程实施; 文献传递

一种硒化物靶溅射制备铜锌锡硒吸收层薄膜的方法及应用: 本发明公开了一种硒化物靶溅射制备铜锌锡硒吸收层薄膜的方法，具体包括以下步骤：(1)衬底预处理；(2)钼层的制备；(3)铜锌锡硒预制层的制备：以Cu靶、ZnSe化合物靶、SnSe靶作为靶源，在所述钼层上按照ZnSe/SnS...; 王书荣李祥李新毓刘信李秋莲; 文献传递

一种铜锌锡硫吸收层薄膜、制备及包含其的太阳电池: 本发明涉及一种基于含氧预制层制备铜锌锡硫吸收薄膜(Cu2ZnSnS4，CZTS)的方法，包括以下步骤：(1)衬底的清洗；(2)将清洗好的衬底在真空中磁控溅射，沉积得到双层钼背电...; 王书荣李新毓杨帅李祥刘信李秋莲张道永; 文献传递

一种铜锌锡硫吸收层薄膜、制备及包含其的太阳电池: 本发明涉及一种基于含氧预制层制备铜锌锡硫吸收薄膜(Cu2ZnSnS4，CZTS)的方法，包括以下步骤：(1)衬底的清洗；(2)将清洗好的衬底在真空中磁控溅射，沉积得到双层钼背电...; 王书荣李新毓杨帅李祥刘信李秋莲张道永

溅射硒化物靶与金属单质靶制备Cu2ZnSnSe4薄膜及电池的比较研究: 2020年; 采用磁控溅射SnSe-ZnSe-Cu硒化物靶和Sn-Zn-Cu金属单质靶的方法制备两种Cu2ZnSnSe4(CZTSe)预制层,并将两种预制层采用相同的硒化工艺制备出CZTSe薄膜吸收层。分别采用XRD、Raman、SEM、EDS等分析了薄膜的晶体结构、相的纯度、表面及截面形貌和元素组分,结果发现采用硒化物靶制备的CZTSe吸收层薄膜更为平整致密且无明显孔洞。同时采用Hall测试和J-V测试对太阳电池薄膜的电学性质进行了表征,结果表明硒化物靶制备的CZTSe太阳电池的电流密度以及光电转化效率要高于金属单质靶,金属单质靶制备的CZTSe薄膜电池的开路电压为356 mV,短路电流密度为20.61 mA/cm2,光电转换效率为2.18%,而硒化物靶制备的CZTSe薄膜电池的开路电压为354 mV,短路电流密度为28.41 mA/cm2,光电转换效率为3.33%。; 李祥王书荣廖华杨帅李新毓王亭保李晶金李秋莲刘信; 关键词：太阳电池磁控溅射光电转换效率

磁控溅射制备Cu_(2)ZnSnS_(4)薄膜太阳电池被引量：3: 2022年; 为解决硫化过程中Sn元素损失的问题以及减少MoS;的厚度,采用磁控溅射技术,在基于钼的钠钙玻璃衬底上采用双周期溅射的方法,以ZnO/SnO_(2)/Cu的顺序制备了含氧的Cu-Zn-Sn预制层。结果表明:SnO_(2)以及ZnO的使用很好的抑制了Sn元素的损失以及MoS_(2)层的形成,而且在590℃的硫化温度下能制备出表面平整、晶粒致密、晶体结构较好的单相Cu_(2)ZnSnS_(4)(CZTS)吸收层薄膜。最后,制备出结构完整的CZTS薄膜太阳电池,在590℃硫化制备的CZTS薄膜太阳电池效率最高,其开路电压为590 mV,短路电流密度为22.09 mA/cm^(2),填充因子为39.28%,光电转换效率达到5.12%,为今后制备高效CZTS薄膜太阳电池起到了推动作用。; 李新毓张道永李祥李秋莲刘信王书荣; 关键词：薄膜太阳电池磁控溅射硫化工艺

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刘信