武聪 作品数:13 被引量:13 H指数:2 供职机构: 中国电子科技集团公司第四十六研究所 更多>> 发文基金: 国家自然科学基金 中国博士后科学基金 博士后科研启动基金 更多>> 相关领域: 电子电信 一般工业技术 理学 电气工程 更多>>
玻璃纤维对PTFE/SiO2复合基板材料性能的影响 被引量:3 2021年 采用表面改性、物料混合、压延成型、高温真空热压烧结工艺,得到了不同含量玻璃纤维(GF)增强聚四氟乙烯(PTFE)/二氧化硅(SiO2)复合基板材料,考察分析了GF含量对复合材料微观形貌、密度、吸水率、拉伸性能、压缩性能以及微波介电性能的影响情况。结果表明,随着GF含量的增加,PTFE/SiO2复合材料的密度逐渐减小,吸水率和损耗因子逐渐增大,拉伸模量、压缩模量和相对介电常数呈现出先增大后减小的趋势。当PTFE/SiO2复合材料中加入2%的GF时,复合材料具有良好的综合性能,密度为2.085 g/cm3,吸水率为0.094%,拉伸模量为1351 MPa,压缩模量为1643 MPa,相对介电常数为2.93,损耗因子为1.04×10–3。 王丽婧 金霞 武聪 张立欣关键词:复合材料 聚四氟乙烯 二氧化硅 玻璃纤维 微波介电性能 浅谈覆铜板研发工作中SPC过程控制点的建立方法 被引量:2 2020年 产品研发是量产的前期工作,是产品量产顺利实施的基石,在研发实验中采用严谨又科学的数据分析方法,有利于对整体研发过程的客观评价。统计过程控制(Statistical Process Control,简称SPC)是一种科学的过程控制工具,它是通过数据分析,使过程维持在受控状态,达到控制质量的目的。控制图是SPC最重要的统计工具,控制点决定了控制图能否发挥控制作用,必须完备且有效。该文从覆铜板产品研发实验入手,着重阐述SPC技法的过程控制点的建立方法。 王军山 金霞 贾倩倩 张立欣 武聪关键词:控制图 控制点 覆铜板 DAST晶体的生长与表征 被引量:4 2017年 根据实验获得的亚稳区范围为指导,采用籽晶-溶液降温法进行对4-N,N-二甲胺基-4’-N’-甲基-氮杂芪的对甲苯磺酸盐(DAST)晶体的生长,获得了2颗尺寸较大的DAST晶体。X线衍射(XRD)图谱分析发现有较强的(004)面和(006)面的特征峰,光致发光谱(PL)测试发现573.5nm处存在N(CH3)2基团产生的特征峰,601.6nm处存在二甲胺基和磺酸盐基分子间电荷转移过程产生的特征峰,647nm存在由烯双键产生的特征峰,通过晶体的XRD、PL光谱测试,证实了实验制备的晶体为DAST晶体。同时,还测试了晶体的维氏硬度,以及使用原子力显微镜(AFM)及微分干涉显微镜对晶体的表面形貌进行了观测。 武聪 孟大磊 庞子博 徐永宽 程红娟关键词:表面形貌 具备良好可加工性的聚烯烃类树脂基板的研究 2024年 为了研究和提升聚烯烃树脂基板的可加工性,文章对制备的一款聚烯烃类基板产品进行讨论,介绍了其生产工艺流程,并重点分析了板材的耐湿热性、力学强度和电学性能等,分析各性能的影响因素和改进措施。结果表明:通过引入无机填料(质量分数40%~70%),并使用1.5%的硅烷偶联剂处理填料界面,热分解温度(失重5%)在414.2℃,吸水率可降至0.06%,可以提高板材的耐湿热性。选用平均粒径在5μm的SiO_(2)填料,弯曲强度在310 MPa,抗剥强度在0.8 N/mm,不同孔径钻孔均孔型良好。树脂体系中引发剂的含量控制在2.0%左右,可以保证板材长时间具备良好的电性能和较低的热膨胀系数(CTE)。通过优化配方或调控工艺,板材各项指标均能满足印制电路板(PCB)加工要求,较好地满足市场要求。 高枢健 冯春明 金霞 武聪 冯贝贝关键词:聚烯烃 覆铜板 耐湿热性 有机非线性光学晶体DAST的太赫兹发射性能 2020年 研究了DAST晶体的有效二阶非线性系数和太赫兹发射性能。实验以DAST-甲醇溶液的亚稳区范围为依据,采用溶液降温法进行DAST的生长。实验发现,降温速率越快,晶体的生长速度越快,但晶体易发生多晶转变;在晶体生长后期,采用较慢的降温速率,有利于晶体厚度的增加。经磨抛后的晶体表面粗糙度能够达到光学测试等级(微米级)要求。经测试,DAST晶片有效二阶非线性系数平均值为16.58 pm/V,实现了频率范围0.84~10 THz的太赫兹波发射,并在2.72 THz处具有最大发射强度。 李宝珠 武聪 庞子博关键词:太赫兹 有机非线性光学晶体DAST籽晶表面研究 被引量:1 2016年 采用籽晶法可获得大尺寸、高质量的4-N,N-二甲胺基-4’-N’-甲基-氮杂芪的对甲苯磺酸盐(DAST)晶体,而DAST籽晶的表面质量直接影响晶体质量。采用自制DAST源粉,通过溶液降温法自发成核生长DAST籽晶,并对其表面进行了研究。采用红外光谱对DAST源粉进行测试发现,DAST晶体有一定的吸水性。微分干涉显微镜及原子力显微镜(AFM)检测DAST籽晶表面形貌,结果表明,DAST籽晶表面存在凹坑、生长台阶等缺陷。 武聪 孟大磊 庞子博 徐永宽 程红娟关键词:DAST 籽晶 基于DAST晶体的高能量超宽带可调谐小型化差频THz辐射源研究 被引量:1 2019年 基于双温区法生长的高质量 DAST(4 (4 二甲基氨基苯乙烯基)甲基吡啶对甲苯酸盐)晶体成功搭建了高能量、超宽带可调谐差频THz辐射源系统尺寸40cm×25cm 调谐范围达到0.3~19.6THz 最大输出能量达到4.02μJ/pulse@18.6 THz 信噪比最高达到32.24 dB 结合振镜扫描技术以0.1 THz为步长超宽带光谱扫描时间小于1 min.实验中观测到差频产生 THz 波的输出饱和现象并研究了基于 DAST 晶体差频产生 THz 波的偏振特性与传输特性证明基于 DAST 晶体差频产生的 THz 波消光比达到 0.05 且差频过程满足 0 类相位匹配条件.基于该太赫兹辐射源对多种固体样品在 2 ~14 THz 范围内的超宽带 THz 光谱信息进行了有效获取. 贺奕焮 庞子博 朱先立 徐德刚 王与烨 孟大磊 孟大磊 武聪 徐永宽 徐永宽关键词:DAST 晶体 核磁共振波谱法表征DAST分子结构 2015年 DAST晶体(即4-N,N-二甲胺基-4’-N’-甲基-氮杂芪的对甲苯磺酸盐晶体)具有优良的二阶非线性光学性能和电光效应特性,可用于红外至太赫兹波段辐射与检测领域.为了表征DAST源粉分子结构及纯度,选择CD3OD和DMSO-d6两种溶剂分别对DAST源粉进行了1H NMR、13C NMR、1H-1H COSY、HSQC和HMBC表征.通过对谱峰的归属及分析发现,DAST在CD3OD溶液中倾向于以离子对状态存在,而在DMSO-d6溶液中倾向于以解离状态存在,并根据谱峰的变化推测了DAST在从CD3OD溶液环境向DMSO-d6溶液环境变化时解离过程中电子云在共轭结构上重新分布的规律和骨架的变化情况. 庞子博 孟大磊 窦瑛 马思睿 武聪 程红娟 徐永宽关键词:NMR DAST 太赫兹 含氟复合偶联剂对聚四氟乙烯基微波复合介质基板性能的影响 2022年 氟基偶联剂能够显著改善陶瓷粉和聚四氟乙烯(PTFE)树脂间的浸润性,使有机/无机界面结合更紧密。基于此,研究了复合偶联剂中含氟硅烷偶联剂含量对PTFE基微波复合材料的微观结构、致密度、吸水率、铜箔剥离强度和介电性能的影响。结果表明,复合偶联剂中氟基偶联剂增加能够显著提高复合介质基板的致密性和介电常数,降低吸水率和剥离强度。当氟基偶联剂含量为0.2%时,复合介质基板综合性能达到最佳,其介电常数和介质损耗分别为10.30和0.0016,吸水率低至0.042%,剥离强度为1.30 N/mm。 张立欣 武聪 韩伏龙 龙金 刘岚 刘雨川关键词:聚四氟乙烯 超低介PTFE基介质基板配方设计及基板性能 2022年 针对超低介PTFE基介质基板配方工艺不稳定、基板介电常数高等问题,提出不同直径、不同铝硅原子比和不同填加比例空心球对基板介电性能等因素的影响探究方案。对不同直径和不同球壳厚度空心球对介电常数的影响进行了模拟,基于模拟结果进行了PTFE基空心球复合介质基板的制备,并对相关性能进行测试。实验结果显示:当空心球直径为80μm、球壳厚度为2.5μm、铝硅原子比为2∶1、填加比例为35%时,制备的基板介电常数为2.0,介质损耗为0.0027,Z轴热膨胀系数为38.8×10^(-6)/℃,吸水率为0.025%,为性能优良的超低介PTFE基复合介质基板材料。 武聪 李强 张立欣 贾倩倩关键词:空心球 PTFE 介电性能