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徐天鸿
作品数:
9
被引量:1
H指数:1
供职机构:
中国科学院上海微系统与信息技术研究所
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发文基金:
中国科学院知识创新工程重要方向项目
国家重大科学仪器设备开发专项
国家自然科学基金
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相关领域:
电子电信
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合作作者
曹俊诚
中国科学院上海微系统与信息技术...
黎华
中国科学院上海微系统与信息技术...
朱永浩
中国科学院上海微系统与信息技术...
姚辰
中国科学院上海微系统与信息技术...
万文坚
中国科学院上海微系统与信息技术...
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曹俊诚
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徐天鸿
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朱永浩
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1篇
2015
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一种集成吸收波导的太赫兹量子级联激光器及其制作方法
本发明提供一种集成吸收波导的太赫兹量子级联激光器及其制作方法,包括:半绝缘GaAs衬底;位于所述半绝缘GaAs衬底上表面的GaAs缓冲层;位于所述GaAs缓冲层表面的n型重掺杂下接触层;位于所述n型重掺杂下接触层表面的有...
徐天鸿
曹俊诚
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锥形太赫兹量子级联激光器输出功率与光束特性研究
被引量:1
2015年
针对锥形太赫兹量子级联激光器,利用有限差分波束传播法和速率方程法,建立了准三维的太赫兹有源器件仿真模型,能够对具有轴向非线性波导结构的激光器进行模拟.利用此模型,研究了锥角大小对激光器输出光功率及光束质量的影响.仿真结果表明,考虑到器件之间的光耦合效率,为了达到最大的有效输出光功率,锥形太赫兹量子级联激光器的锥角存在一个最优值.
徐天鸿
姚辰
万文坚
朱永浩
曹俊诚
关键词:
太赫兹量子级联激光器
数值仿真
一种太赫兹量子级联激光器增益谱测量器件及其制作方法
本发明提供一种太赫兹量子级联激光器增益谱测量器件及其制作方法,所述器件包括:半绝缘GaAs衬底;位于该衬底上表面的GaAs缓冲层;位于该缓冲层表面的n型重掺杂下接触层;位于该下接触层表面的有源区;位于有源区表面的n型重掺...
徐天鸿
曹俊诚
文献传递
一种太赫兹量子级联光放大器及其制作方法
本发明提供一种太赫兹量子级联光放大器,包括:半绝缘GaAs衬底;位于所述衬底表面的GaAs缓冲层;位于所述缓冲层表面的n型重掺杂下接触层;位于所述下接触层表面的有源区;位于有源区上表面的n型重掺杂上接触层;位于所述上接触...
徐天鸿
黎华
曹俊诚
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一种集成吸收波导的太赫兹量子级联激光器及其制作方法
本发明提供一种集成吸收波导的太赫兹量子级联激光器及其制作方法,包括:半绝缘GaAs衬底;位于所述半绝缘GaAs衬底上表面的GaAs缓冲层;位于所述GaAs缓冲层表面的n型重掺杂下接触层;位于所述n型重掺杂下接触层表面的有...
徐天鸿
曹俊诚
一种太赫兹量子级联激光器增益谱测量器件
本实用新型提供一种太赫兹量子级联激光器增益谱测量器件,所述器件包括:半绝缘GaAs衬底;位于该衬底上表面的GaAs缓冲层;位于该缓冲层表面的n型重掺杂下接触层;位于该下接触层表面的有源区;位于有源区表面的n型重掺杂上接触...
徐天鸿
曹俊诚
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一种太赫兹量子级联激光器增益谱测量器件及其制作方法
本发明提供一种太赫兹量子级联激光器增益谱测量器件及其制作方法,所述器件包括:半绝缘GaAs衬底;位于该衬底上表面的GaAs缓冲层;位于该缓冲层表面的n型重掺杂下接触层;位于该下接触层表面的有源区;位于有源区表面的n型重掺...
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曹俊诚
一种集成吸收波导的太赫兹量子级联激光器
本实用新型提供一种集成吸收波导的太赫兹量子级联激光器,包括:半绝缘GaAs衬底;位于所述半绝缘GaAs衬底上表面的GaAs缓冲层;位于所述GaAs缓冲层表面的n型重掺杂下接触层;位于所述n型重掺杂下接触层表面的有源区;位...
徐天鸿
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一种太赫兹量子级联光放大器及其制作方法
本发明提供一种太赫兹量子级联光放大器,包括:半绝缘GaAs衬底;位于所述衬底表面的GaAs缓冲层;位于所述缓冲层表面的n型重掺杂下接触层;位于所述下接触层表面的有源区;位于有源区上表面的n型重掺杂上接触层;位于所述上接触...
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