王超
- 作品数：2 被引量：3H指数：1
- 供职机构：中国科学院上海技术物理研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 用于远红外探测的Si:P阻挡杂质带红外探测器研制被引量：3
- 2016年
- 提出了全外延技术方案制备阻挡杂质带薄膜,避免了离子注入制备背电极层影响外延薄膜质量的技术难点.基于硅器件工艺设计制作了Si：P阻挡杂质带红外探测器.测量了器件的光电流响应谱和暗电流特性曲线,指认了叠加在光电流响应谱上的尖锐杂质峰对应阻挡层中磷原子的杂质跃迁.研究了器件在低温下小偏压范围内的暗电流起源.通过对计算结果分析,排除了该区域暗电流起源于热激发电导和跳跃式电导的可能,指出暗电流来自器件对冷屏的光电响应.器件工作温度5 K,工作偏压1.6 V时,响应波段覆盖2.5-40μm,峰值波长28.8μm,峰值响应率20.1 A/W,峰值探测率3.7×10^13cm·Hz1/2/W（背景光子通量低于1013ph/cm^2·s）.
- 廖开升李志锋王超李梁周孝好李宁戴宁
- 关键词：暗电流太赫兹
- 阻挡杂质带红外探测器中的界面势垒效应被引量：1
- 2015年
- 通过变温暗电流和变偏压光电流谱实验对阻挡杂质带红外探测器的跃迁机理和输运特性进行了研究.结合器件能带结构计算的结果,证明了在阻挡杂质带红外探测器中主要由导带底下移效应引起的界面势垒的存在.提出了阻挡杂质带红外探测器的双激发工作模型,并从变偏压光电流谱中成功地分离出了与这两种物理过程所对应的光谱峰,进一步证实了器件的能带结构.研究了界面势垒效应对阻挡杂质带红外探测器的光电流谱、响应率和内量子效率的影响.研究表明,考虑进界面势垒效应,计算得到的器件响应率与实验值符合得很好.同时发现阻挡杂质带红外探测器中内建电场的存在等效降低了发生碰撞电离增益所需的临界电场强度.
- 廖开升李志锋李梁王超周孝好戴宁李宁
- 关键词：光电流谱暗电流
