何毓阳
- 作品数：6 被引量：76H指数：2
- 供职机构：兰州大学物理科学与技术学院磁学与磁性材料教育部重点实验室更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信理学一般工业技术更多>>
- 基于WO3/NiOx膜系的固态电致变色器件研究
- 2004年
- 氧化钨和氧化镍是目前研究最多、应用最广的两种电致变色材料.本文详细地介绍了本实验室射频溅射WO3和NiOx薄膜的制备和性能以及以它们为基的夹层式固态电致变色器件的制作和性能.
- 冯博学何毓阳陈冲伞海生刘化然张欣刘金良唐为国尹经敏
- 关键词：WO3NIOX电致变色射频溅射电解质
- 基于WO<,3>(TiO<,2>)/NiO<,x>膜系的固态电致变色器件研究
- 电致变色材料是一种新型功能材料,在信息、电子、能源、建筑以及国防等方面都有广泛的用途.电致变色是指对特定材料施加一个电压差而导致物质颜色发生变化的过程.根据电化学反应方式的不同,可分为阳极着色和阴极着色两类.该论文利用反...
- 何毓阳
- 关键词：电致变色材料功能材料溶胶-凝胶方法
- 文献传递
- 基于WO3/NiOx膜系的固态电致变色器件研究
- 氧化钨和氧化镍是目前研究最多、应用最广的两种电致变色材料.本文详细地介绍了本实验室射频溅射WO3和NiOx薄膜的制备和性能以及以它们为基的夹层式固态电致变色器件的制作和性能。
- 冯博学何毓阳陈冲伞海生刘化然张欣刘金良唐为国尹经敏
- 关键词：WO3电致变色射频溅射电解质
- 文献传递
- 由缺陷引起的Burstein-Moss和带隙收缩效应对CdIn_2O_4透明导电薄膜光带隙的影响被引量：18
- 2005年
- 在Ar+O2 气氛 ,采用射频反应溅射Cd In靶制备CdIn2 O4 (CIO)薄膜 .通过对不同衬底温度下制备和沉积后在氩气流中退火的薄膜进行透射、反射和Hall效应的测量和分析发现 ,随着衬底温度的降低 ,载流子浓度呈上升趋势 ,而吸收边呈现先是“蓝移”然后“红移”的现象 .从理论上阐述了高浓度的点缺陷对CIO氧化物薄膜的能带产生的重要影响 ,这些影响主要体现在带尾的形成 ,Burstein Moss(B M)漂移和带隙收缩 .另外 ,衬底温度的变化将对薄膜的迁移率有重要影响 .对于CIO薄膜 ,由缺陷产生的空穴浓度将对薄膜的带隙收缩产生重要影响并将直接影响到薄膜的光透性 .由于存在吸收带尾 ,利用传统的“外推法”获得薄膜的光带隙并不适合简并半导体 ,而应使用更为准确的“拟合法” .
- 伞海生李斌冯博学何毓阳陈冲
- 关键词：衬底温度简并反应溅射载流子浓度
- 电致变色材料及器件的研究进展被引量：58
- 2004年
- 电致变色材料被认为是目前最有应用前景的智能材料之一,在过去几十年里被广泛研究,相关的电致变色器件也已经上市。本文在总结了各种电致变色材料的变色机理及其成膜方法(重点介绍了本实验室采用射频溅射制备的WO3膜和NiOx膜)的基础上,研究了材料的应用及器件的组装,并对器件组装中所需要的部分其它关键材料进行了介绍。最后对未来电致变色材料及其应用进行了展望。
- 冯博学陈冲何毓阳伞海生王君刘金良唐为国
- 关键词：电致变色射频溅射导电聚合物离子导体电致变色器件
- n型透明导电薄膜CdIn_2O_4电学性质的研究和大面积制备的最佳条件被引量：2
- 2005年
- 在Ar +O2 气氛中 ,采用射频反应溅射Cd In靶制备CdIn2 O4 薄膜 .制得的薄膜经x射线衍射 (XRD)检测为CdIn2 O4 和CdO相组成的多晶 .从理论上分析了热处理前后氧空位、掺杂点缺陷和富氧电子陷阱在影响膜的载流子浓度和电子散射中所起的重要作用 .同时 ,对样品进行Hall效应、Seebeck效应测试并得出不同载流子浓度下的迁移率、有效质量、弛豫时间以及它们之间的相互关系 ,特别强调了弛豫时间的重要性 .为了提高导电膜的透射率 ,还分析了Burstein Moss漂移和带隙收缩对光带隙的影响 ,并在薄膜制备时选择了合适的衬底温度Ts≈ 2 80℃ .实验表明 ,在氧分压为 8%左右时制备的薄膜质量较好 ,热处理后的指标大约为迁移率 μH =31× 10 - 4m2 V·s ,电阻率 ρ =1 89× 10 - 5Ω·m .
- 伞海生陈冲何毓阳王君冯博学
- 关键词：透明导电薄膜电学性质导电机制
