王晓光
- 作品数：11 被引量：41H指数：3
- 供职机构：中国科学技术大学更多>>
- 发文基金：中国科学院“百人计划”国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学一般工业技术金属学及工艺核科学技术更多>>
- XAFS研究纳米非晶态Ni-B(P)合金的结构和性能
- 该文详细地介绍了合肥同步辐射XAFS实验站的建设,性能及特点.运用EXAFS、XRD和DTA等方法表征了Ni-B、Ni-P、Ni-Ce-B和Ni-Ce-P纳米非晶态合金的结构特点及其在退火晶化过程中的结构变化规律.以苯催...
- 王晓光
- 文献传递
- 退火晶化过程中Ni-B纳米非晶态合金的结构被引量：2
- 2001年
- 采用ＸＡＦＳ和ＸＲＤ两种方法研究化学还原法制备的Ｎｉ－Ｂ纳米非晶态合金在退火过程中的结构变化．我们发现，在５７３ Ｋ左右的退火温度下，Ｎｉ－Ｂ纳米非晶态合金生成亚稳的纳米晶Ｎｉ和Ｎｉ３Ｂ．在７７３ Ｋ或更高的退火温度下，Ｎｉ－Ｂ纳米非晶态合金大部分晶化为晶态金属Ｎｉ．
- 韦世强张新夷刘文汉王晓光杨宏伟闫文胜
- 关键词：XAFSXRD退火晶化
- 蓝色发光GaN纳米晶和晶体的XAFS研究
- 2001年
- 利用 XAFS( X-射线吸收精细结构 )方法研究六方的纳米晶和晶体 Ga N在 78K和 3 0 0 K温度下 Ga原子的局域配位环境结构 .对于第一近邻 Ga-N配位 ,纳米晶 Ga N的平均键长 R、配位数 N、热无序度σT 和结构无序度σS与晶体 Ga N的相近 ,分别为 0 .194 nm、4 .0、0 .0 0 52 nm、0 .0 0 0 7nm ;当温度从 78K增加到 30 0 K,Ga N样品中 Ga-N配位的 σT 增加不多 ,小于 0 .0 0 0 5nm,表明第一近邻 Ga-N配位的共价键作用力较强 ,几乎不受温度和晶体状态的影响 .对于第二近邻 Ga-Ga配位 ,R为 0 .318nm,纳米晶 Ga N的σS( 0 .0 0 57nm )比晶体 Ga N的 ( 0 .0 0 1nm)大 0 .0 0 4 7nm;在78K和 30 0 K时 ,纳米晶 Ga N样品的 Ga-Ga配位的σT 分别为 0 .0 0 53nm和 0 .0 0 85nm,这一结果表明 Ga-Ga配位的σT受温度变化产生很大影响 .纳米晶 Ga N中 Ga原子的局域配位环境与晶体 Ga N的差别主要表现在第二近邻 Ga-Ga配位的 σS相对较大 ,可能是由于纳米晶 Ga
- 张新夷李忠瑞闫文胜王晓光韦世强陆坤权
- 关键词：XAFS局域纳米晶
- NiB和NiP超细非晶态合金的退火晶化行为及催化性能被引量：24
- 2001年
- 采用X射线吸收精细结构 (XAFS) ,X射线衍射 (XRD)和差热分析 (DTA)等方法研究了以化学还原法制备的NiB和NiP超细非晶态合金催化剂在退火过程中的结构变化 .XRD结果表明 ,在 30 0℃下退火时 ,NiB超细非晶态合金晶化生成纳米晶Ni3 B亚稳物相 ,NiP超细非晶态合金则主要晶化生成金属Ni和部分晶态Ni3 P的混合物相 ;在 5 0 0℃退火且近于完全晶化的条件下 ,大部分超细非晶态合金都晶化为金属Ni.XAFS结果定量地说明 ,对于NiB和NiP初始样品 ,第一近邻Ni Ni配位的平均键长Rj 分别为 0 2 74和 0 2 71nm ,其结构无序度σS 很大 ,分别为 0 0 33和 0 0 2 8nm ,其热无序度σT 分别为 0 0 0 6 9和 0 0 0 6 0nm .30 0℃退火后 ,晶化生成的Ni3 B的Ni Ni配位的σS 降低到初始样品的 33% ,仅为 0 0 11nm .5 0 0℃退火后 ,NiB样品的结构参数与金属Ni基本一致 ,但NiP样品的Ni Ni配位的σS 还远大于σT,仍为 0 0 12 5nm ,表明NiB和NiP超细非晶态合金的退火晶化行为有很大的差别 .纳米晶Ni3 B催化苯加氢反应的转化率比超细Ni B非晶态合金或多晶金属Ni更高 ,表明纳米晶Ni3 B中的Ni与B原子组成了苯加氢催化反应的活性中心 .
- 韦世强王晓光殷士龙陈昌荣刘文汉张新夷
- 关键词：催化活性加氢反应
- EXAFS研究Ni-B和Ni-Ce-B超细非晶态合金的退火晶化被引量：13
- 2001年
- 采用同步辐射 EXAFS技术定量地研究化学还原法制备的 Ni-B和 Ni-Ce-B超细非晶态合金中 Ni原子的局域环境结构随退火温度升高而产生的变化 .结果表明 ,对于 Ni-B和 Ni-Ce-B超细非晶态合金初始样品 :Ni-Ni最邻近配位壳层的平均键长 RNi— Ni、配位数 N、热无序σT、结构无序σS分别为 0 .2 75nm,1 1 .9,0 .0 0 69nm,0 .0 3 4 nm;0 .2 76nm,1 2 .4 ,0 .0 0 67nm,0 .0 3 5nm.Ni-B最邻近配位壳层的 RNi— B,N,σT,σS分别为 0 .2 1 5nm,2 .7,0 .0 0 55nm,0 .0 0 3 8nm;0 .2 1 4 nm,2 .9,0 .0 0 58nm,0 .0 0 4 2 nm.Ni— Ni配位的σS很大 ,是其 σT的 4～ 5倍 ,比 Ni-B配位的 σS大近一个数量级 .在 3 0 0℃退火后 ,Ni-B样品开始发生晶化生成晶态 Ni3 B,其 RNi— Ni和σS分别为 0 .2 54nm和 0 .0 1 1 nm,σS降低近 2倍 ;而 0 .3 %原子比的 Ce掺入后使 Ni-Ce-B超细非晶态合金的晶化温度升高 1 0 0℃左右 .在 50 0℃退火后 ,Ni-B样品的结构参数与 Ni箔的相近 ,但 Ni-Ce-B样品的 Ni-Ni配位的 σS仍为 0 .0 0 73 nm,Ni-B配位的 N为 1 .2 ,表明稀土元素 Ce(以Ce O2 存在 )显著增强了 Ni与 B的相互作用 ,且同时使退火晶化生成的
- 王晓光闫文胜钟文杰张新夷韦世强
- 关键词：EXAFS镍硼合金铈
- PbTe掺杂优化及其热电传输特性的理论与实验研究
- 碲化铅是目前最重要的中温区热电材料之一，而掺杂则是改善其热电性能的最重要途径。因此，本文主要采用第一性原理计算方法，研究了Pb位单掺杂与阴阳子离子双位掺杂对PbTe能带结构与热电性能的影响。此外，本文采用熔融法与快速感应...
- 王晓光
- 关键词：热电效应
- 第11届国际X射线吸收精细结构会议(XAFS11)简讯
- 2001年
- 韦世强王晓光李忠瑞徐法强殷士龙吴自玉
- 关键词：X射线吸收精细结构同步辐射光源探测器
- XAFS研究Ni-P和Ni-Ce-P超细非晶合金的退火晶化被引量：1
- 2000年
- 采用原子配位分布函数为Gaussian函数PG 和指数函数PE 直积的非对称模型进行拟合计算 ,XAFS定量地研究化学还原法制备的Ni P和Ni Ce P超细非晶合金大无序度体系中Ni原子的局域环境结构随退火温度升高而产生的变化 .结果表明Ni P和Ni Ce P原样的Ni Ni配位的平均键长Rj、配位数N、热无序度σT、结构无序度σS 分别为 0 2 71nm ,10 0 ,0 0 0 6 0nm ,0 0 2 8nm和 0 2 71nm ,10 6 ,0 0 0 70nm ,0 0 30nm ,其结构无序度很大 ,为热无序度的 40 0 %左右 .在 5 73K退火后 ,Ni P样品已产生晶化 ,但Ni Ce P样品的晶化温度升高 10 0K左右 ,表明加入 2 %原子比的Ce能明显增加Ni P超细非晶合金的热稳定性 .在 773K退火后 ,Ni P和Ni Ce P样品晶化都近于完全且Ni Ni配位有相同的结构参数 ,其径向结构函数形状与Ni箔的类似 ,但Ni Ni配位的结构无序度为 0 0 11nm ,说明晶化后生成的金属Ni的晶格参数受P的影响产生很大的畸变 .
- 孙剑威王晓光闫文胜徐法强刘文汉陈昌荣韦世强
- 关键词：XAFS局域结构
- Ni-B和Ni-Ce-B超细非晶态合金的退火晶化及其催化性能被引量：9
- 2001年
- 采用XAFS ,XRD和DTA方法研究了Ni B和Ni Ce B超细非晶态合金在退火过程中的结构变化及其结构与催化性能的关系 .活性结果表明 ,在退火温度为 62 3K时 ,Ni B和Ni Ce B样品的苯加氢催化反应转化率最高 ,分别为 63 %和 81% ,0 3 %Ce的掺入提高了Ni Ce B的催化活性 .DTA结果表明 ,Ni B超细非晶态合金在 5 98和65 3K有两个晶化峰 ,而Ni Ce B样品有 5 4 8,60 3 ,696和 80 1K四个晶化峰 .XAFS和XRD结果进一步说明 ,在5 73K退火时 ,Ni B样品晶化生成晶态Ni3B和纳米晶Ni,此时Ni Ce B仅有少量晶态Ni3B生成 .在 673K退火时 ,Ni B样品中的Ni3B开始分解生成晶态Ni,同时纳米晶Ni聚集并形成大颗粒晶态Ni,而Ni Ce B样品晶化生成晶态Ni3B和纳米晶Ni.在 773K和更高的温度退火处理后 ,Ni B样品中Ni的局域环境结构与金属Ni箔基本一致 ,但Ni Ce B样品晶化生成的Ni晶格有较大畸变 ,同时Ni3B并未分解 .说明 0 3 %的Ce对提高Ni Ce B样品的稳定性有显著作用 .本文首次报道了Ni B和Ni Ce B超细非晶态合金中苯加氢催化活性中心为纳米晶Ni和类似于金属Ni的Ni B非晶态合金 .
- 王晓光张新夷李忠瑞钟文杰贺博韦世强
- 关键词：X射线衍射差热分析加氢镍硼合金
- 超细NiB非晶态合金的结构及催化性能(英文)被引量：2
- 2001年
- 采用XAFS、XRD和DTA技术研究了化学还原法制备的超细NiB非晶态合金的结构及退火晶化行为 .结果表明 ,NiB非晶态合金的退火晶化分两步进行 :在 5 98K形成晶态的Ni3 B和纳米晶的Ni;6 5 2K退火导致Ni3 B分解以及纳米晶Ni聚集 .在6 2 3K退火处理后的NiB样品的苯加氢活性最高 .活性组分的苯加氢催化性能高低顺序为 :纳米晶Ni >超细Ni B非晶态合金 >晶态Ni.超细Ni B非晶态合金的活性中心主要为纳米晶的Ni和Ni富集的NiB非晶态 .超细NiB非晶态合金催化剂在反应过程中失活的原因主要是纳米晶Ni的聚集和积碳而所导致活性表面降低 .
- 李忠瑞张新夷王晓光韦世强
- 关键词：X射线吸收精细结构
