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何素明

作品数:4 被引量:7H指数:1
供职机构:中国科学院上海技术物理研究所更多>>
发文基金:中国博士后科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域:电气工程电子电信更多>>

文献类型

  • 2篇专利
  • 1篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 1篇电子电信
  • 1篇电气工程

主题

  • 2篇发光
  • 1篇氮氧化硅
  • 1篇灯具
  • 1篇等离子体增强
  • 1篇等离子体增强...
  • 1篇电池
  • 1篇电压
  • 1篇钝化
  • 1篇性能表征
  • 1篇氧化硅
  • 1篇照明
  • 1篇照明灯
  • 1篇照明灯具
  • 1篇太阳能电池
  • 1篇漂移
  • 1篇外延片
  • 1篇脉冲电压
  • 1篇结温
  • 1篇局域
  • 1篇化学气相

机构

  • 3篇中国科学院
  • 2篇湘潭大学
  • 1篇南通大学

作者

  • 4篇何素明
  • 3篇张波
  • 2篇陆卫
  • 2篇罗向东
  • 1篇李宁
  • 1篇陈效双
  • 1篇王金斌
  • 1篇胡伟达
  • 1篇陈平平
  • 1篇李志锋
  • 1篇郭少令
  • 1篇戴珊珊
  • 1篇李天信
  • 1篇王兴军
  • 1篇翁钱春
  • 1篇周书同

传媒

  • 1篇物理学报

年份

  • 3篇2014
  • 1篇2009
4 条 记 录,以下是 1-4
排序方式:
γ辐照降低LED效率崩塌效应及增强发光强度的方法
本发明公开了一种γ射线辐照降低LED效率崩塌效应及增强发光强度的方法,该方法在标准大气压,普通空气氛围下,采用γ射线对LED芯片进行辐照。选择适当的辐照剂量,使辐照后LED内In组分起伏增强,In团簇对载流子的束缚能力增...
王兴军李玉涟张波邱维阳何素明周书同罗向东翁钱春陆卫
文献传递
等离子体增强化学气相沉积工艺制备SiON膜及对硅的钝化被引量:6
2014年
研究了等离子体增强化学气相沉积工艺条件对氮氧化硅膜的生长厚度及折射率的影响以及氮氧化硅/氮化硅叠层膜对p型硅片的钝化效果.实验结果表明,NH3的流量和N2O/SiH4流量比对氮氧化硅膜的影响较大,薄膜折射率能从1.48变化到2.1,厚度从30—60 nm不等.腔内压力和射频功率主要影响膜厚,压力越大,功率越大,沉积速率加快,生成的膜越厚.温度对膜厚和折射率的影响可以忽略.钝化效果显示,在有无NH3下,N2O/SiH4流量比分别为20和30时,退火后氮氧化硅/氮化硅叠层膜对p型硅的钝化效果最好,其潜在电压和少子寿命分别为652 mV,56.7μs和649 mV,50.8μs,均优于参照组氮化硅膜样品的钝化效果.
何素明戴珊珊罗向东张波王金斌
关键词:氮氧化硅等离子体增强化学气相沉积
光谱法发光二极管结温测定技术的研究及应用
发光二极管因高效节能、长寿命、固态发光和驱动灵活等优点而在越来越多的领域中得到应用。目前,研究和应用最多的是氮化镓基发光二极管,因为只要合理调节铟镓氮三元化合物中铟的含量,就能实现氮化镓基发光二极管从深紫外到近红外波长范...
何素明
关键词:发光二极管光谱法
一种LED照明灯具中芯片结温的检测方法
本发明公开了一种检测LED照明灯具中芯片结温的方法。本发明是根据LED材料禁带宽度随温度的变化规律来确定LED灯具中LED芯片结温,包括三个步骤:①通很低占空比的脉冲电压,直接获得LED芯片在此温度下的发光峰位;②正常工...
陆卫何素明张波郭少令胡伟达李天信李宁陈平平李志锋陈效双
文献传递
共1页<1>
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