叶里
- 作品数：6 被引量：15H指数：3
- 供职机构：广西大学物理科学与工程技术学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金广西壮族自治区自然科学基金广西研究生教育创新计划更多>>
- 相关领域：金属学及工艺理学更多>>
- 反馈式微环谐振光学传感器
- 2015年
- 微环谐振腔具有高品质因数、低成本的特点、易于同其它光电芯片和微流控芯片集成,进行化学表面处理。谐振效应的引入能够在提高传感器灵敏度的同时大大缩小器件的尺寸。本文通过定性分析相关参数的改变对输出光谱的影响机制,并计算传感器的灵敏度,找出最佳的参数,作为该结构的最终优化参数。运用模式耦合理论和传输矩阵方法,推导归一化输出光强的表达式,并用相关软件模拟归一化输出光强与各参数的关系。耦合系数,传输因子以及谐振腔的有效传输长度等对传感器的灵敏度有很大的影响。
- 欧梅莲叶里毛鸿刘瑶卢强华高英俊
- 关键词：微环传感
- 向错强度与阻尼系数对纳米晶材料小角度晶界湮没的影响被引量：1
- 2015年
- [目的]研究一维纳米晶材料演化过程中的小角度晶界湮没过程,探究向错强度与阻尼系数对位错湮没的影响。[方法]建立位错运动方程,计算模拟小角度晶界的晶格位错在外应力作用下发生的变化。[结果]随着切应力增加,晶界由过阻尼运动变为无穷远的单向运动,向错强度越大晶界越难以湮没,并且晶界位错由同时湮没转变为两端先湮没,中心后湮没;阻尼系数越大,湮没临界切应力越大,但到达一定值时,阻尼系数不再影响临界值。[结论]晶界湮没存在临界切应力,向错强度主要影响临界切应力,阻尼系数主要影响位错初始速度和运动停止时间。
- 刘晓骅叶里温振川邓芊芊高英俊
- 关键词：位错滑移剪切应力向错
- 晶体相场法模拟微裂纹的扩展行为
- 2016年
- 用晶体相场模型模拟预变形条件下的单轴拉伸的裂纹扩展行为.展示出裂纹扩展过程的演化图。从裂纹演化图可以清楚的观察到,随着应变量的增加,裂纹长度增加,裂纹呈钝化-扩展-钝化的扩展模式,裂纹形状为锯齿形:随着预变形量的增加,解理方式的裂纹扩展减弱,转变成锯齿形状的裂纹扩展方式。
- 叶里黄礼琳宁岁婷满海高英俊
- 关键词：微裂纹
- 不同晶向取向的裂纹扩展演化模拟被引量：8
- 2016年
- 【目的】研究具有不同初始晶向倾角的样品在单轴拉应变作用下的纳观尺度裂纹扩展行为,了解裂纹的生长特征和扩展规律,揭示纳米级裂纹扩展机理及其对材料断裂的影响。【方法】采用晶体相场法观察不同晶向倾角下裂纹的扩展演化图及对应的应力分布图。【结果】当拉应变作用达到临界值时,无预应变的样品裂口开始起裂,并伴随着位错出现。在晶向倾角为0°、5°时,裂口在起裂时,缺口两端裂纹和裂口相连接,裂纹主要是解理脆性断裂模式扩展;在晶向倾角为10°时,裂口向左右两边各发射一个位错,位错在滑移过程中留下一系列空位,空位连通形成裂纹再与主裂口相连,裂纹主要是韧性断裂模式扩展。【结论】不同晶向取向对裂纹的扩展演化有重要影响。
- 黄礼琳叶里胡绪志黄创高卢强华高英俊
- 关键词：微裂纹位错发射
- 拉应力作用下晶界位错运动过程的晶体相场模拟被引量：11
- 2016年
- 【目的】研究晶界位错在受到拉应变作用下的运动规律。【方法】采用晶体相场(Phase-field-crystal,PFC)方法研究拉应力作用下位错的动态演化过程,分析演化过程体系自由能。【结果】改变拉应力的施加方向,沿x轴施加拉应力时,位错运动呈现"左上右下"运动趋势,沿y轴施加拉应力时,位错运动呈现"左下右上"运动趋势。改变拉应力的施加方向对位错的运动及自由能曲线产生明显的影响。最终位错都运动到液相区,模拟区域成完整单晶。【结论】拉应变施加导致位错运动,体系能量上升,在方向不同的正应力的作用下,位错运动方式不同,体系原子之间跟随着外力场的作用作耦合运动,实现施加拉应变的物理效果。
- 叶里胡绪志黄礼琳卢强华高英俊
- 关键词：正应力位错
- 晶体弹性行为的晶体相场模拟被引量：5
- 2016年
- 【目的】研究晶体相场模型中的弹性相互作用过程。【方法】通过连续的密度场,采用晶体相场模型提取和跟踪每个原子在时间演化过程中的位置,再通过求解PFC方程,并运用原子的位移来构建晶体的弹性能。最后通过调优波动参量和阻尼参数β,获得晶体的弹性及粘弹性行为特征。【结果】当β=0.9时,在力F的作用下,晶体响应是有弹性的。位置距离越远,其对应的应变越大,位移变化与原子对应位置大致成正比,具有弹性关系;当β=9时,在力F的作用下,位移变化与原子对应位置服从粘弹性响应关系。通过调优波动参量和阻尼参数,获得晶体的弹性及粘弹性行为特征。【结论】改变阻尼参数β后,可以采用晶体相场模型模拟晶体的弹性及粘弹性行为。
- 叶里黄礼琳孔令一卢强华高英俊
