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马丽

作品数：20 被引量：7H指数：2
供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域：电子电信文化科学电气工程金属学及工艺更多>>

合作作者

文献类型

  • 13篇专利
  • 5篇会议论文
  • 2篇期刊文章

领域

  • 7篇电子电信
  • 2篇电气工程
  • 2篇文化科学
  • 1篇金属学及工艺

主题

  • 7篇广谱
  • 6篇波导
  • 4篇增透
  • 4篇增透膜
  • 4篇介质
  • 4篇光电
  • 4篇光电转换
  • 4篇光电转换效率
  • 4篇光谱
  • 4篇硅基
  • 4篇波导结
  • 4篇波导结构
  • 3篇多模
  • 3篇多模干涉
  • 3篇多模干涉耦合...
  • 3篇耦合器
  • 3篇波长
  • 2篇电注入
  • 2篇钝化层
  • 2篇多量子阱

机构

  • 20篇中国科学院
  • 5篇清华大学

作者

  • 20篇马丽
  • 18篇朱洪亮
  • 9篇刘德伟
  • 9篇朱小宁
  • 8篇张灿
  • 7篇梁松
  • 7篇黄永光
  • 5篇王熙元
  • 3篇王宝军
  • 3篇赵玲娟
  • 2篇陈明华
  • 2篇韩良顺
  • 2篇边静
  • 2篇张兴旺
  • 1篇孔端花

传媒

  • 2篇第十七届全国...
  • 1篇光电子．激光
  • 1篇光子学报

年份

  • 2篇2013
  • 10篇2012
  • 5篇2011
  • 3篇2010
共 20 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
抑制空间烧孔效应的分布反馈激光器的制作方法
一种抑制空间烧孔效应的分布反馈激光器的制作方法，包括如下步骤：步骤1：选择一衬底；步骤2：在衬底上依次生长介质掩模，涂光刻胶，光刻，两条介质掩模形成介质掩膜图形，两条介质掩模之间为生长窗口；步骤3：在制作有介质掩膜图形的...
张灿梁松朱洪亮马丽
文献传递
一种背光面黑硅太阳能电池结构及其制作方法
本发明公开了一种背光面黑硅太阳能电池结构，该结构包括：硅基衬底；在硅基衬底正面制作的陷光材料层；以及在硅基衬底背面制作的广谱吸收黑硅材料层。本发明同时公开了一种制作背光面黑硅太阳能电池结构的方法。利用本发明，能充分利用黑...
朱洪亮朱小宁刘德伟马丽赵玲娟
DFB激光器阵列集成器件的热串扰分析
对研制出的DFB激光器阵列与MMI、SOA的单片集成器件进行了初步的电注入热串扰分析.在20℃下的测试温度下，当邻近支路的激光器注入电流发生改变时，测试支路的激光器波长发生红移；两者距离为100μ M且电流变化在L00M...
韩良顺马丽张灿梁松朱洪亮
关键词：电注入
文献传递网络资源链接
1×4多模干涉型光功分器的设计与仿真
利用二维有限差分光束传播方法(FD-BPM)仿真设计了一种具有强限制作用的1×4多模干涉(MMI)功分器,仿真结果表明,该器件在设计长度处只有0.07dB的附加损耗、0.04dB的光均衡度,同时具有较宽的波长带宽和均匀的...
马丽孔端花刘德伟朱小宁陈明华朱洪亮
关键词：束传播方法
抑制空间烧孔效应的分布反馈激光器的制作方法
一种抑制空间烧孔效应的分布反馈激光器的制作方法，包括如下步骤：步骤1：选择一衬底；步骤2：在衬底上依次生长介质掩模，涂光刻胶，光刻，两条介质掩模形成介质掩膜图形，两条介质掩模之间为生长窗口；步骤3：在制作有介质掩膜图形的...
张灿梁松朱洪亮马丽
一种背光面黑硅太阳能电池结构及其制作方法
本发明公开了一种背光面黑硅太阳能电池结构，该结构包括：硅基衬底；在硅基衬底正面制作的陷光材料层；以及在硅基衬底背面制作的广谱吸收黑硅材料层。本发明同时公开了一种制作背光面黑硅太阳能电池结构的方法。利用本发明，能充分利用黑...
朱洪亮朱小宁刘德伟马丽赵玲娟
文献传递
具有宽光谱响应的硅探测器结构及其制作方法
一种具有宽光谱响应的硅探测器结构，包括：一n型硅基衬底层，其表面有一圆形凹槽；一二氧化硅介质掩蔽层，形成于n型硅基衬底层表面圆形凹槽的周边，中间为环形结构；一p型参杂层，位于n型硅基衬底层的圆形凹槽内；一正面接触电极，制...
刘德伟黄永光朱小宁王熙元马丽朱洪亮
具有宽光谱响应的硅探测器结构及其制作方法
一种具有宽光谱响应的硅探测器结构，包括：一n型硅基衬底层，其表面有一圆形凹槽；一二氧化硅介质掩蔽层，形成于n型硅基衬底层表面圆形凹槽的周边，中间为环形结构；一p型参杂层，位于n型硅基衬底层的圆形凹槽内；一正面接触电极，制...
刘德伟黄永光朱小宁王熙元马丽朱洪亮
文献传递
DFB激光器阵列与MMI耦合器、SOA的单片集成被引量：4
2013年
采用变脊宽原理和对接生长技术,设计并制作了4通道分布反馈(DFB)激光器阵列与多模干涉(MMI)耦合器、半导体光放大器(SOA)的单片集成器件。在25℃的测试温度下,激光器的阈值电流约55～60mA;当激光器注入150mA、SOA注入50mA电流时,各通道的出光功率保持在2mW以上,出射波长处于1 550nm波段,边模抑制比(SMSR)大于33dB,4通道可实现单独或同时工作。
马丽朱洪亮梁松王宝军张灿赵玲娟边静陈明华
关键词：单片集成
具有红外响应的表面纳米点硅光电探测器结构的制作方法
一种具有红外响应的表面纳米点硅光电探测器结构的制作方法，包括：在p型硅基衬底的一面制作二氧化硅掩蔽层；光刻二氧化硅掩蔽层，在二氧化硅掩蔽层的中间形成一环形和圆形n型掺杂窗口；在环形和圆形n型掺杂窗口采用磷离子注入或磷扩散...
刘德伟黄永光朱小宁王熙元马丽朱洪亮
文献传递
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