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刘培植

作品数:40 被引量:10H指数:1
供职机构:太原理工大学更多>>
发文基金:国家自然科学基金山西省高等学校科技创新项目山西省自然科学基金更多>>
相关领域:化学工程一般工业技术理学金属学及工艺更多>>

文献类型

  • 31篇专利
  • 7篇期刊文章
  • 2篇会议论文

领域

  • 5篇化学工程
  • 5篇一般工业技术
  • 4篇理学
  • 3篇金属学及工艺
  • 1篇电子电信

主题

  • 16篇催化
  • 10篇催化剂
  • 7篇石墨
  • 7篇石墨烯
  • 7篇纳米
  • 6篇金属
  • 6篇甲基
  • 6篇SUB
  • 5篇电催化
  • 4篇三甲基
  • 4篇三甲基溴化铵
  • 4篇十六烷基三甲...
  • 4篇溴化
  • 4篇溴化铵
  • 4篇离子束
  • 4篇聚焦离子束
  • 4篇合金
  • 4篇
  • 3篇电池
  • 3篇电催化剂

机构

  • 40篇太原理工大学
  • 1篇北京大学
  • 1篇北京科技大学
  • 1篇中国科学院
  • 1篇中国工程物理...
  • 1篇陕西科技大学

作者

  • 40篇刘培植
  • 33篇郭俊杰
  • 12篇章海霞
  • 12篇闫晓丽
  • 11篇宋艳慧
  • 10篇许并社
  • 8篇侯莹
  • 7篇张华
  • 4篇李美芬
  • 4篇赵敏
  • 4篇王美玲
  • 3篇韩丹
  • 2篇张敏
  • 2篇乔珺威
  • 2篇王博
  • 2篇贾伟
  • 2篇马淑芳
  • 2篇杨慧君
  • 2篇王旭东
  • 2篇王忠强

传媒

  • 3篇新型炭材料
  • 1篇应用化工
  • 1篇功能材料
  • 1篇电子显微学报
  • 1篇新型炭材料(...

年份

  • 6篇2024
  • 1篇2023
  • 2篇2022
  • 7篇2021
  • 5篇2020
  • 4篇2019
  • 6篇2018
  • 4篇2017
  • 2篇2016
  • 3篇2015
40 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
一种Pt-NiFeCo@NF-E铂基催化剂及其制备方法及应用
本发明公开了一种Pt‑NiFeCo@NF‑E铂基催化剂及其制备方法及应用,属于电化学催化技术领域;该催化剂是由生长在泡沫镍上的钴掺杂镍基氢氧化物基体和负载在所述基体上的铂活性结构组成,所述铂活性结构由准成对铂单原子和铂二...
宋艳慧张鹏飞申永庆刘培植陶乐宇郭俊杰
一种低温制备CsPbBr3钙钛矿纳米晶的方法
本发明涉及一种高效率制备CsPbBr<Sub>3</Sub>钙钛矿纳米晶的方法,属于铅卤化物钙钛矿纳米晶的制备领域。本发明利用水作为溶剂通过冷冻干燥的方法,制备了11 nm左右大小的由丁二酸二辛酯磺酸钠作为表面活性剂的立...
赵敏张雪封刘培植曹海亮郭俊杰
一种高光电转换效率的有机光伏电池
本发明公开了一种具有高光电转换效率的有机光伏电池,由旋涂在ITO基底上的ZnO阴极缓冲层和活性层,顺次蒸镀在活性层上的MoO<Sub>3</Sub>阳极修饰层和Al电极层构成,其中活性层是以PTB7为电子给体,PC<Su...
赵敏刘培植王志元王忠强曹海亮郭俊杰
文献传递
一种PtSe<Sub>2</Sub>/PtCo异质界面析氢反应电催化剂及其制备方法
本发明公开了一种PtSe<Sub>2</Sub>/PtCo异质界面析氢反应电催化剂及其制备方法,属于电化学催化技术领域;是将乙酰丙酮铂、四水合乙酸钴、十六烷基三甲基溴化铵加入到N,N‑二甲基甲酰胺溶液中,通过水热反应形成...
刘培植郝兵温皓程郭俊杰宋艳慧申永庆
一种富含催化活性边界的二维Pd纳米筛的制备方法
本发明涉及二维贵金属纳米材料技术领域,公开了一种富含催化活性边界的二维Pd纳米筛的制备方法;具体是将乙酰丙酮钯、六羰基钼,十六烷基三甲基溴化铵与抗坏血酸加入到乙醇与水的混合溶液中,搅拌均匀反应后,然后将所得固液混合物分离...
郭俊杰田嘉康宋艳慧刘培植王旭东
HCVD法生长InN纳米棒的可控制备及表征
2021年
实验通过自制的卤化物化学气相沉积(HCVD)装置在Si(111)衬底上实现了InN纳米棒的可控生长。系统研究了InCl_(3)源区温度、NH_(3)流量和N_(2)载气流量对InN纳米棒生长的影响,并利用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和X射线能谱仪(EDS)对样品结构,形貌和元素组成进行了表征。结果表明,InCl_(3)源区温度的升高,有利于提高生长区InN纳米棒的形核率和生长速率;NH_(3)流量大小对InN纳米棒晶体质量有重要影响,适量NH_(3)流量会满足In源生长需要的Ⅴ/Ⅲ比,改善纳米棒晶体质量,当NH_(3)流量过大时,In空位缺陷的形成会使晶体质量变差;N_(2)载气流量大小会影响In源和N源的浓度和偏压,从而能有效调控InN纳米棒直径和生长速率。研究实现了InN纳米棒的可控生长,为开发高性能InN纳米棒器件奠定了基础。
朱佳岳明月李天保刘培植郭俊杰许并社
一种电弧放电法制备纳米孔石墨烯过滤膜的方法
一种电弧放电法制备纳米孔石墨烯过滤膜的方法是将光谱纯石墨棒电极浸没于硫酸盐溶液的液面下,通过电弧放电使阳极蒸发,碳蒸汽及反应生成的H<Sub>2</Sub>和CO将溶液中的金属阳离子还原成纳米级的金属颗粒,反应生成的金属...
郭俊杰李美芬章海霞闫晓丽侯莹刘培植
文献传递
微米阵列LED制备方法
一种微米阵列LED制备方法,包括:步骤1:准备LED芯片并对其进行清洗。步骤2:将清洗好的芯片放入聚焦离子束切割设备中的样品台。步骤3:利用FIB中的扫描电镜功能观察芯片并把样品台移动到离子束的工作距离和位置。步骤4:先...
许并社韩丹马淑芳刘培植贾伟王美玲柳建杰
文献传递
SiC/SiO2界面的原子分辨率三维重构
碳化硅(SiC)是一种新型高功率电子器件材料,它有宽带隙、高击穿电场、高热导率等优点,并且能够形成基于硅基半导体器件制备技术的SiO2绝缘层.SiC基金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)可以取代硅基半导体器件被用...
刘培植许并社郭俊杰
高主元单相密排六方结构的高熵合金及其制备方法
本发明公开了一种高主元单相密排六方结构的高熵合金及其制备方法,其名义成分为Sc<Sub>x</Sub>Y<Sub>x</Sub>La<Sub>x</Sub>Nd<Sub>x</Sub>Gd<Sub>x</Sub>Tb<S...
乔珺威鲍美林张敏石晓辉杨慧君刘培植吴玉程
文献传递
共4页<1234>
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