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蔡智

作品数：7 被引量：0H指数：0
供职机构：复旦大学更多>>
相关领域：一般工业技术电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 7篇中文专利

领域

  • 2篇一般工业技术
  • 1篇电子电信

主题

  • 4篇金属
  • 4篇化学气相
  • 4篇化学气相沉积
  • 4篇衬底
  • 3篇等离子体增强
  • 3篇等离子体增强...
  • 3篇石墨
  • 3篇石墨烯
  • 2篇单质
  • 2篇氮化
  • 2篇氮化硼
  • 2篇氮化硼薄膜
  • 2篇电子器件
  • 2篇多孔金属
  • 2篇碳元素
  • 2篇热阻
  • 2篇无机
  • 2篇无机合成
  • 2篇接触热阻
  • 2篇介电

机构

  • 7篇复旦大学

作者

  • 7篇魏大程
  • 7篇蔡智
  • 5篇曹敏
  • 5篇李孟林
  • 5篇刘冬华
  • 4篇彭兰
  • 3篇亓国强
  • 3篇夏冬云
  • 3篇李科
  • 2篇张彩云

年份

  • 1篇2020
  • 3篇2017
  • 1篇2016
  • 2篇2015
共 7 条 记 录，以下是 1-7
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排序方式：
一种电子器件介电衬底的表面修饰方法
本发明属于电子器件技术领域，具体为一种电子器件介电衬底的表面修饰方法。本发明是在介电衬底表面直接生长二维结构的六方氮化硼薄膜，厚度在1‑100nm之间，用于电子器件半导体与介电层之间界面的修饰。本发明通过控制原料浓度，达...
魏大程金哲鹏刘冬华蔡智
六方氮化硼粉体及三维氮化硼的制备方法
本发明属于无机合成技术领域，具体为一种六方氮化硼粉体和三维氮化硼的制备方法。本发明采用化学气相沉积法，以过渡金属单质粉末或含过渡金属元素的化合物为催化剂，经过高温还原反应，制备出多孔金属催化剂骨架；再利用化学气相沉积法生...
魏大程夏冬云李孟林李科亓国强曹敏张彩云蔡智彭兰刘冬华
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一种电子器件介电衬底的表面修饰方法
本发明属于电子器件技术领域，具体为一种电子器件介电衬底的表面修饰方法。本发明是在介电衬底表面直接生长二维结构的六方氮化硼薄膜，厚度在1‑100nm之间，用于电子器件半导体与介电层之间界面的修饰。本发明通过控制原料浓度，达...
魏大程金哲鹏刘冬华蔡智
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等离子体增强化学气相沉积制备石墨烯的方法
本发明属于石墨烯制备技术领域，具体为一种等离子体增强化学气相沉积制备石墨烯的方法。本发明以固态碳为碳源，利用等离子增强化学气相沉积法生长石墨烯，其步骤为：（1）将衬底和活化后的固态碳置入等离子体增强化学气相沉积设备中的不...
魏大程李科夏冬云李孟林蔡智刘冬华亓国强曹敏
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一种非金属表面低温制备掺杂石墨烯的方法
本发明属于碳材料的技术领域，具体为一种临界条件下在非金属表面低温制备掺杂石墨烯的方法。该掺杂石墨烯是采用等离子体增强化学气相沉积法制备的，包括以下步骤：将干净衬底放入无氧的反应器中，使衬底的温度达到某种临界条件，然后向所...
魏大程彭兰李孟林蔡智曹敏
六方氮化硼粉体及三维氮化硼的制备方法
本发明属于无机合成技术领域，具体为一种六方氮化硼粉体和三维氮化硼的制备方法。本发明采用化学气相沉积法，以过渡金属单质粉末或含过渡金属元素的化合物为催化剂，经过高温还原反应，制备出多孔金属催化剂骨架；再利用化学气相沉积法生...
魏大程夏冬云李孟林李科亓国强曹敏张彩云蔡智彭兰刘冬华
一种非金属表面低温制备掺杂石墨烯的方法
本发明属于碳材料的技术领域，具体为一种临界条件下在非金属表面低温制备掺杂石墨烯的方法。该掺杂石墨烯是采用等离子体增强化学气相沉积法制备的，包括以下步骤：将干净衬底放入无氧的反应器中，使衬底的温度达到某种临界条件，然后向所...
魏大程彭兰李孟林蔡智曹敏
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