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张君慧

作品数:8 被引量:2H指数:1
供职机构:太原理工大学更多>>
发文基金:山西省科技重大专项留学人员科技活动项目择优资助经费国家自然科学基金更多>>
相关领域:一般工业技术电子电信化学工程电气工程更多>>

文献类型

  • 6篇专利
  • 1篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 3篇一般工业技术
  • 2篇电子电信
  • 1篇化学工程
  • 1篇电气工程

主题

  • 6篇电容
  • 5篇电极
  • 4篇电容器
  • 4篇微电极
  • 4篇硅基
  • 4篇硅基底
  • 3篇阵列
  • 3篇微加工
  • 3篇纳米
  • 3篇纳米管
  • 3篇纳米管阵列
  • 2篇电解质
  • 2篇电容器电极
  • 2篇阳极
  • 2篇阳极氧化
  • 2篇阵列结构
  • 2篇微加工技术
  • 2篇金属
  • 2篇金属钛
  • 2篇胶体电解质

机构

  • 8篇太原理工大学

作者

  • 8篇张君慧
  • 6篇赵清华
  • 6篇李刚
  • 5篇张文栋
  • 5篇李大维
  • 4篇郭丽芳
  • 2篇史健芳
  • 2篇桑胜波
  • 2篇马洋
  • 2篇胡文秀
  • 1篇柴晶
  • 1篇郭丽芳
  • 1篇赵清华
  • 1篇李刚

传媒

  • 1篇稀有金属材料...

年份

  • 3篇2017
  • 1篇2016
  • 4篇2015
8 条 记 录,以下是 1-8
排序方式:
TiO<Sub>2</Sub>/NiO三维叉指微电极及其制备方法
本发明涉及微型电容器领域中超级电容器,具体为TiO<Sub>2</Sub>/NiO三维叉指微电极及其制备方法。该电极的制备方法为:首先在硅基体表面氧化一层绝缘层,然后溅射金属钛层并通过微加工技术制备钛三维叉指微电极,将此...
郭丽芳李刚赵清华张君慧张文栋桑胜波
TiO<Sub>2</Sub>/NiO三维叉指微电极及其制备方法
本发明涉及微型电容器领域中超级电容器,具体为TiO<Sub>2</Sub>/NiO三维叉指微电极及其制备方法。该电极的制备方法为:首先在硅基体表面氧化一层绝缘层,然后溅射金属钛层并通过微加工技术制备钛三维叉指微电极,将此...
郭丽芳柴晶李刚赵清华张君慧张文栋桑胜波
文献传递
一种可增加MEMS超级电容器电极比表面积的斜光刻方法
本发明提供了一种可增加MEMS超级电容器电极比表面积的斜光刻方法,包括如下步骤:首先在清洁烘干后的硅基底上旋涂一定厚度的光刻胶,然后将旋涂有光刻胶的硅片固定在一个特别设计的铸钢架上,钢架倾斜角度为15°,之后对硅片上的光...
李刚赵清华胡文秀李大维张君慧张文栋
文献传递
基于SU‑8光刻胶的三维微电极制备方法
本发明涉及微机电系统(Micro Electro Mechanical System MEMS)技术领域,具体为基于SU‑8光刻胶的三维微电极制备方法,具体为:首先运用掺杂法在SU‑8光刻胶中掺杂纳米级的氯化铁颗粒,然后...
赵清华史健芳李刚郭丽芳李大维张君慧马洋淡富奎
文献传递
硅基二氧化钛纳米管阵列的制备及其超电容性能研究
超级电容器具有功率密度大、循环寿命长、绿色环保等优势,广泛应用于各个领域。随着信息技术的进步,高端电子设备朝小型化方向发展,要求为其供能的设备体积小,功率密度大,因此微型MEMS超级电容器的研究越来越受到人们关注。能量密...
张君慧
关键词:阳极氧化纳米管阵列
一种可增加MEMS超级电容器电极比表面积的斜光刻方法
本发明提供了一种可增加MEMS超级电容器电极比表面积的斜光刻方法,包括如下步骤:首先在清洁烘干后的硅基底上旋涂一定厚度的光刻胶,然后将旋涂有光刻胶的硅片固定在一个特别设计的铸钢架上,钢架倾斜角度为15°,之后对硅片上的光...
李刚赵清华胡文秀李大维张君慧张文栋
基于SU-8光刻胶的三维微电极制备方法
本发明涉及微机电系统(Micro Electro Mechanical System MEMS)技术领域,具体为基于SU-8光刻胶的三维微电极制备方法,具体为:首先运用掺杂法在SU-8光刻胶中掺杂纳米级的氯化铁颗粒,然后...
赵清华史健芳李刚郭丽芳李大维张君慧马洋淡富奎
基于两步法阳极氧化的TiO_2纳米管阵列制备研究被引量:2
2015年
采用低浓度的无机溶剂HF溶液(0.05%,质量分数)对溅射在硅基底上的400 nm钛薄膜进行阳极氧化制备TiO_2纳米管阵列,并利用SEM对制备出的TiO_2纳米管阵列进行表征。实验结果表明,通过优化阳极氧化电压幅值、电压施加方式和氧化时间,均可有效控制纳米管阵列的尺寸和形貌。首先施加0.5 V的低电压28 min,在低浓度的HF溶液中阳极氧化钛薄膜制备TiO_2纳米管阵列,其管径可达120 nm左右。在此基础上,对电压施加方式进行改进,提出两步法施加电压方式,并优化氧化时间,在硅基底钛薄膜上制备出管径为100~270 nm结构紧密有序的TiO_2纳米管阵列,明显优于钛薄膜在有机电解液中氧化制备的管径为70~100 nm的TiO_2纳米管阵列。
张君慧郭丽芳赵清华张文栋李大维李刚孙伟
关键词:硅基底阳极氧化TIO2纳米管阵列
共1页<1>
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