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刘钺杨
作品数:
18
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供职机构:
国网浙江省电力公司
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相关领域:
电子电信
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合作作者
何延强
国网浙江省电力公司
吴迪
国网北京市电力公司
吴迪
国家电网公司
李立
国家电网公司
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1篇
全球能源互联...
作者
18篇
刘钺杨
5篇
何延强
3篇
李立
3篇
吴迪
3篇
吴迪
年份
2篇
2024
2篇
2018
5篇
2017
4篇
2016
2篇
2015
3篇
2014
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一种IGBT芯片及其制造方法
本发明涉及微电子技术领域中的半导体器件的制造工艺技术,具体涉及一种IGBT芯片及其制造方法。本发明在离子注入形成N+和P+区的同时对多晶硅栅进行掺杂,避免了传统工艺制作多晶硅栅的繁琐工艺流程,同时可以减少一道光刻版。元胞...
李立
吴郁
刘钺杨
刘江
王耀华
金锐
高文玉
于坤山
文献传递
一种软快恢复二极管及其制造方法
本发明涉及一种软快恢复二极管及其制造方法。二极管包括N型本征区、背N+缓冲区、阳极金属层和阴极金属层,背N+缓冲区设置于N型本征区的背面,在N型本征区的正面和阳极金属层之间设有P型发射区,在阳极金属层的两端对称设有掩蔽氧...
刘钺杨
吴郁
吴迪
何延强
高文玉
金锐
于坤山
文献传递
一种快恢复二极管及其制造方法
本发明涉及一种快恢复二极管及其制造方法,该快恢复二极管结构包括N型本征区,缓变可控缓冲区,P型发射区,阳极P+区,阴阳极金属,氧化层;以及局域寿命控制区、全局寿命控制区,本发明采用“波浪型”有源区结构、缓变缓冲层结构和局...
刘钺杨
吴迪
何延强
金锐
温家良
文献传递
一种快恢复二极管及其制备方法
本发明提供了一种快恢复二极管及其制备方法,所述方法包括向硅衬底的背面注入P型离子形成P型掺杂区,并在背面形成外延层;在硅衬底的正面形成有源区和终端区;对终端区的边缘掺杂N型离子形成截止环,对外延层掺杂N型离子形成N+阴极...
曹功勋
吴迪
刘钺杨
何延强
董少华
徐哲
和峰
金锐
温家良
潘艳
一种快恢复二极管及其制作方法
本发明提供一种快恢复二极管及其制作方法,所述二极管包括含有有源区(5)和具有间隔的终端保护环(7)的衬底N-层(2),所述衬底N-层(2)的正面和背面分别有氧化层(3)和缓冲层(4),再于所述氧化层(3)敷设有BPSG层...
曹功勋
刘钺杨
吴迪
何延强
董少华
金锐
文献传递
一种快速恢复二极管及其制造方法
本发明实施例公开了一种快速恢复二极管及其制备方法,该快速恢复二极管包括:第一导电类型半导体层(2);第二导电类型半导体层(4),其底面与所述第一导电类型半导体层(2)接触以形成PN结;局域寿命控制层(5),设置在所述第二...
吴迪
刘钺杨
何延强
和峰
金锐
温家良
潘艳
文献传递
一种快恢复二极管及其制造方法
本发明涉及一种快恢复二极管及其制造方法,该快恢复二极管结构包括N型本征区,缓变可控缓冲区,P型发射区,阳极P+区,阴阳极金属,氧化层;以及局域寿命控制区、全局寿命控制区,本发明采用“波浪型”有源区结构、缓变缓冲层结构和局...
刘钺杨
吴迪
何延强
金锐
温家良
一种IGBT芯片及其制造方法
本发明涉及微电子技术领域中的半导体器件的制造工艺技术,具体涉及一种IGBT芯片及其制造方法。本发明在离子注入形成N+和P+区的同时对多晶硅栅进行掺杂,避免了传统工艺制作多晶硅栅的繁琐工艺流程,同时可以减少一道光刻版。元胞...
李立
吴郁
刘钺杨
刘江
王耀华
金锐
高文玉
于坤山
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一种软快恢复二极管
本实用新型涉及一种软快恢复二极管。二极管包括N型本征区、背N+缓冲区、阳极金属层和阴极金属层,背N+缓冲区设置于N型本征区的背面,在N型本征区的正面和阳极金属层之间设有P型发射区,在阳极金属层的两端对称设有掩蔽氧化层,在...
刘钺杨
吴郁
吴迪
何延强
高文玉
金锐
于坤山
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一种快恢复二极管
本实用新型提供一种快恢复二极管,所述二极管包括含有有源区(5)和具有间隔的终端保护环(7)的衬底N-层(2),所述衬底N-层(2)的正面和背面分别有氧化层(3)和缓冲层(4),再于所述氧化层(3)敷设有BPSG层(8),...
曹功勋
刘钺杨
吴迪
何延强
董少华
金锐
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