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文献类型

  • 12篇中文专利

领域

  • 1篇自动化与计算...

主题

  • 4篇硅片
  • 4篇半导体
  • 4篇半导体设备
  • 2篇电器
  • 2篇电器控制
  • 2篇电器控制系统
  • 2篇信息发送
  • 2篇氧化炉
  • 2篇用电设备
  • 2篇真空度
  • 2篇生产环境
  • 2篇通断
  • 2篇通断控制
  • 2篇配电
  • 2篇配电柜
  • 2篇立式
  • 2篇控制信号
  • 2篇扩散炉
  • 2篇监控技术
  • 2篇工艺过程

机构

  • 12篇北京七星华创...

作者

  • 12篇张芳
  • 8篇张海轮
  • 4篇程朝阳
  • 3篇周峰
  • 3篇王峰
  • 2篇董金卫
  • 2篇王丽荣
  • 1篇张海伦
  • 1篇曾艳丽
  • 1篇赵星梅

年份

  • 2篇2016
  • 1篇2015
  • 4篇2014
  • 2篇2013
  • 1篇2012
  • 2篇2009
12 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
300mm立式氧化炉石英舟升降装置
本实用新型公开了一种300mm立式氧化炉石英舟升降装置,其特征在于:设有驱动电机(10)、丝杠(3)、直线导轨(4)、传动机构(5)、制动器(1)、外罩(2)和升降臂(7);驱动电机通过传动机构、丝杠与升降臂连接,升降臂...
赵星梅董金卫张芳张海伦赛义德·赛迪
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半导体设备专用配电柜
本发明公开了一种半导体设备专用配电柜,包括通断控制器件,用于实现所述配电柜配电输出通断;参量监测模块,用于对所述配电柜运行状态进行监测;现场总线通信模块,用于实现所述用电设备与控制模块之间的通信;控制模块,分别与所述现场...
张芳张海轮王丽荣慕晓航
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上下位机通讯监控方法
本发明涉及半导体设备监控技术,公开了一上下位机通讯监控方法,步骤包括:S1、上位机向下位机发送置位信号,启动监控;S2、下位机收到所述置位信号后向上位机发送反馈信号,并在第一预设延时后进行复位,同时进行复位计时;S3、上...
周峰张芳张海轮
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半导体设备专用配电柜
本发明公开了一种半导体设备专用配电柜,包括通断控制器件,用于实现所述配电柜配电输出通断;参量监测模块,用于对所述配电柜运行状态进行监测;现场总线通信模块,用于实现所述用电设备与控制模块之间的通信;控制模块,分别与所述现场...
张芳张海轮王丽荣慕晓航
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立式扩散炉电器控制系统及控制方法
本发明公开了一种立式扩散炉电器控制系统及控制方法,涉及半导体生产技术领域,所述系统包括:中心控制模块,用于根据传输模块和工艺模块发送来的状态信息,对所述传输模块和工艺模块进行控制;所述传输模块,用于控制硅片的传输,记录硅...
张芳张海轮慕晓航程朝阳
一种LPCVD工艺生产环境的控制方法及其控制系统
本发明提供一种LPCVD工艺生产环境的控制方法,包括:步骤S1,所述温度传感器采集所述反应腔室内的温度信息、所述真空度传感器采集所述反应腔室内的真空度信息;步骤S2,所述反馈控制装置获得所述温度信息和真空度信息,并根据所...
王峰程朝阳张芳张海轮
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LPCVD设备的耗散非脆弱控制方法与装置
本发明公开了一种LPCVD设备的耗散非脆弱控制方法,包括:对LPCVD设备建立温度控制系统模型;对已建立的系统模型中加入非脆弱状态反馈控制器模型,建立含参耗散非脆弱控制器模型;使用二次能量供给函数对已建立的含参耗散非脆弱...
王峰张芳
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立式扩散炉电器控制系统及控制方法
本发明公开了一种立式扩散炉电器控制系统及控制方法,涉及半导体生产技术领域,所述系统包括:中心控制模块,用于根据传输模块和工艺模块发送来的状态信息,对所述传输模块和工艺模块进行控制;所述传输模块,用于控制硅片的传输,记录硅...
张芳张海轮慕晓航程朝阳
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一种LPCVD工艺生产环境的控制方法及其控制系统
本发明提供一种LPCVD工艺生产环境的控制方法,包括:步骤S1,所述温度传感器采集所述反应腔室内的温度信息、所述真空度传感器采集所述反应腔室内的真空度信息;步骤S2,所述反馈控制装置获得所述温度信息和真空度信息,并根据所...
王峰程朝阳张芳张海轮
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300mm立式氧化炉硅片传送机械手系统
本实用新型公开了一种300mm立式氧化炉硅片传送机械手系统,设有升降装置、取片叉,其特征在于:所述升降装置由丝杠、伺服电机和排气净化装置组成,所述取片叉设有单片叉和5片叉,分别设置在两个机械手臂上,机械手臂与一个多轴机械...
董金卫曾艳丽张芳赛义德·赛迪
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共2页<12>
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