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任键

作品数：3 被引量：0H指数：0
供职机构：北京京东方光电科技有限公司更多>>

合作作者

文献类型

  • 3篇中文专利

主题

  • 3篇显示装置
  • 2篇漏极
  • 2篇沟道
  • 1篇源极
  • 1篇栅极
  • 1篇数据线
  • 1篇阈值电压
  • 1篇像素
  • 1篇晶体管
  • 1篇静电保护
  • 1篇静电释放
  • 1篇极线
  • 1篇黑矩阵
  • 1篇薄膜晶体
  • 1篇薄膜晶体管
  • 1篇ESD

机构

  • 3篇北京京东方光...

作者

  • 3篇王振伟
  • 3篇李鑫
  • 3篇裴扬
  • 3篇张莹
  • 3篇唐磊
  • 3篇任键
  • 2篇王静
  • 2篇于尧
  • 1篇史文森

年份

  • 1篇2017
  • 1篇2014
  • 1篇2013
共 3 条 记 录，以下是 1-3
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排序方式：
一种像素单元、阵列基板、显示装置和像素驱动方法
本发明公开了一种像素单元，包括：像素电极、栅极、与栅极相连的栅极线、源极、与源极相连的数据线；还包括：与所述像素电极同层设置的第二电极、与所述像素电极相连的第一漏极以及与所述第二电极相连的第二漏极；所述第一漏极、所述第二...
王振伟于尧唐磊李鑫任键王静张莹裴扬
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一种像素单元、阵列基板、显示装置和像素驱动方法
本发明公开了一种像素单元，包括：像素电极、栅极、与栅极相连的栅极线、源极、与源极相连的数据线；还包括：与所述像素电极同层设置的第二电极、与所述像素电极相连的第一漏极以及与所述第二电极相连的第二漏极；所述第一漏极、所述第二...
王振伟于尧唐磊李鑫任键王静张莹裴扬
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一种静电保护ESD结构及阵列基板、显示装置
本实用新型公开了一种静电保护ESD结构，所述ESD包括：第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管，静电起始端和静电释放端，所述第一薄膜晶体管的栅极和漏极与静电起始端连接，其源极与所述第二薄膜晶体管的栅极连接，所述第二薄膜晶体管的漏...
王振伟史文森李鑫唐磊张莹裴扬任键
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