杜忠明
- 作品数：11 被引量：0H指数：0
- 供职机构：中国科学院电工研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：一般工业技术电气工程电子电信核科学技术更多>>
- 一种沉积透明导电薄膜的方法
- 一种沉积透明导电薄膜的方法，把直流偏压器和射频电源或者中频电源并联连接到磁控溅射系统靶头上，利用直流偏压器调节溅射透明导电薄膜的靶材偏压，步骤如下：第一步，把衬底置于室温下不加热，或者把衬底加热，使衬底温度稳定在室温到7...
- 杜忠明刘向鑫
- 文献传递
- 一种刻蚀掺铝氧化锌薄膜的方法
- 一种刻蚀掺铝氧化锌薄膜的方法，利用加速器加速的粒子轰击刻蚀掺铝氧化锌薄膜(AZO)表面，步骤如下：第一步，将装有待刻蚀的掺铝氧化锌(AZO)薄膜的支架置于磁控溅射设备的真空腔室中，抽真空至真空腔室真空度低于10<Sup>...
- 杜忠明刘向鑫屈飞
- 文献传递
- 覆盖纯氧化锌的掺铝氧化锌的退火研究
- 通过在AZO薄膜上沉积一层厚度为55nm的无掺杂氧化锌(ZnO)层来提高AZO薄膜在高温退火过程中的稳定性。通过磁控溅射方法制备ZnO、AZO、AZO/ZnO多晶薄膜，并研究了CdCl2退火前后的AZO、AZO/ZnO多...
- 杜忠明李辉刘向鑫帅佳丽
- 关键词：半导体材料掺铝氧化锌高温退火稳定性
- 磁控溅射氢化AZO薄膜研究
- 氢在ZnO∶Al中是一种n型掺杂,所以它能够降低应用于太阳电池的AZO透明导电薄膜的电阻率.但是由于在ZnO中H和Al的掺杂机制不同,为了得到高性能的ZnO∶Al/H薄膜,有必要对其磁控溅射沉积的工艺进行再优化.研究了沉...
- 杜忠明李辉刘向鑫
- 关键词：太阳能电池磁控溅射技术性能表征
- 不同厚度和退火温度下AZO/ZnO结构的薄膜稳定性
- 2018年
- 利用射频磁控溅射法在7059玻璃上生长不同厚度的AZO薄膜,并在不同厚度的薄膜上再利用射频磁控溅射沉积一层55 nm的本征ZnO薄膜。利用退火CdTe电池的退火条件退火各种厚度的薄膜时,所有AZO/ZnO结构的薄膜电阻率均只有微小的变化,表现出比单层结构的AZO薄膜更强的电学稳定性。在干空气气氛中400～550℃退火时,710 nm AZO/50 nm ZnO结构的薄膜仍然具有更好的稳定性,退火后电阻率仍然保持得更好。结果表明在制备CdTe电池时采用AZO/ZnO结构方式的透明电极比AZO更有利于电池的光电性能。
- 杜忠明刘向鑫
- 关键词：射频磁控溅射电阻率退火
- 一种锡酸镉（CTO）薄膜退火方法
- 一种锡酸镉(CTO)薄膜退火方法，利用氮气气氛退火，方法如下：将沉积有锡酸镉薄膜的衬底放入退火炉腔室中，通入氮气；退火温度为560℃～1100℃，退火时间为5分钟至50分钟。沉积所述的锡酸镉薄膜的方法包括射频磁控溅射、中...
- 杜忠明刘向鑫
- 文献传递
- Ⅱ-Ⅵ族半导体构建的结场型薄膜电池与纳米偶极子电池进展
- 本研究采用磁控溅射方法分别沉积CdS窗口层和CdTe吸收层薄膜。室温溅射沉积时通过在载气中掺入适量的氧气，发现不仅窗口层的带隙得到提高，而且CdS层的覆盖更均匀，降低了CdS和CdTe的互扩散，这些都有效降低了CdTe吸...
- 刘向鑫李辉杨彪杜忠明黄芳
- 关键词：薄膜太阳能电池
- 文献传递
- Ⅱ-Ⅵ族半导体构建的结场型薄膜电池与铁电半导体耦合电池新进展
- 中科院电工所自2011年以来,经过多方面的工艺技术改进,已经在在商用Low-E导电玻璃上获得了转换效率达到14.4％的小面积CdTe电池,采用磁控溅射方法分别沉积CdS窗口层和CdTe吸收层薄膜.通过高分辨TEM分析发现...
- 刘向鑫李辉杨彪帅佳丽杜忠明李彬张玉峰朱子尧
- 一种在室温合成具有宽带隙CdS的简单方法（英文）
- 2015年
- 采用简单的磁控溅射方法,在室温合成了Cd S多晶薄膜.在溅射Cd S多晶薄膜过程中,分别在Ar气中通入0%、0.88%、1.78%、2.58%和3.40%(体积分数,φ)的O2,得到不同O含量的Cd S多晶薄膜.通过X射线衍射仪、拉曼光谱仪、扫描电子显微镜、X射线光电子能谱仪、紫外-可见光谱仪对得到的Cd S多晶薄膜进行表征.分析结果表明:O的掺入能得到结合更加致密,晶粒尺寸更小的Cd S多晶薄膜;与溅射气体中没有O2时制备的Cd S多晶薄膜的光学带隙(2.48 e V)相比,当溅射气体中O2的含量为0.88%和1.78%(φ)时,制备得到的Cd S多晶薄膜具有更大的光学带隙,分别为2.60和2.65 e V;而当溅射气体中O2的含量为2.58%和3.40%(φ)时,得到的Cd S光学带隙分别为2.50和2.49 e V,与没有掺杂O的Cd S的光学带隙(2.48 e V)相当;当溅射气体中O2的含量为0.88%(φ)时,制备的Cd S多晶薄膜具有最好的结晶质量.通过磁控溅射方法,在溅射气体中O2含量为0.88%(φ)条件下制备的Cd S多晶薄膜表面沉积了Cd Te多晶薄膜并在Cd Cl2气氛中进行了高温退火处理,对退火前后的Cd Te多晶薄膜进行了表征.表征结果显示:Cd S中掺入O能得到结合更紧密、退火后晶粒尺寸更大的Cd Te多晶薄膜.通过磁控溅射方法,在Cd S制备过程中于Ar中掺入O2,在室温就能得到具有更大光学带隙的Cd S多晶薄膜,该方法是一种简单和有效的方法,非常适用于大规模工业化生产.
- 李辉刘向鑫张玉峰杜忠明杨彪韩俊峰BESLAND Marie-Paule
- 关键词：CDS磁控溅射CDTE太阳能电池
- 一种沉积透明导电薄膜的方法
- 一种沉积透明导电薄膜的方法，把直流偏压器和射频电源或者中频电源并联连接到磁控溅射系统靶头上，利用直流偏压器调节溅射透明导电薄膜的靶材偏压，步骤如下：第一步，把衬底置于室温下不加热，或者把衬底加热，使衬底温度稳定在室温到7...
- 杜忠明刘向鑫
