您的位置： 专家智库 > >

刘容

作品数：2 被引量：0H指数：0
供职机构：天津电子材料研究所更多>>
相关领域：电子电信理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 2篇电子电信
  • 1篇理学

主题

  • 2篇质谱
  • 2篇离子
  • 2篇二次离子质谱
  • 2篇SIMS分析
  • 2篇硅
  • 1篇注氧隔离
  • 1篇离子注入
  • 1篇SIMOX材...
  • 1篇SOI材料
  • 1篇硼
  • 1篇砷

机构

  • 2篇天津电子材料...

作者

  • 2篇马农农
  • 2篇刘容

传媒

  • 2篇真空科学与技...

年份

  • 2篇1998
共 2 条 记 录，以下是 1-2
全选 清除 导出
排序方式：
SIMOX材料的SIMS分析
1998年
对ＳＩＭＯＸ材料进行了ＳＩＭＳ深度剖析，研究了电荷积累效应、二次离子传输效率等实验因素对测试结果的影响，氧检测的动态范围达三个量级。对国内、外的ＳＩＭＯＸ材料做了对比研究。
马农农刘容
关键词：二次离子质谱注氧隔离硅SOI材料
浅离子注入硅中BF2和As的SIMS分析
1998年
利用ＳＩＭＳ方法分别对硅中注入能量的１５ｋｅＶ的注入Ａｓ和注入能量８ｋｅＶ的ＢＦ２样品进行了分析检测，研究了不同的分析条件对测试结果的影响，Ａｓ的蜂值深度１３ｎｍ，Ｂ的为２０ｎｍ，检测限Ａｓ为２×１０＾６ａｔｏｍｓ／ｃｍ＾３，Ｂ为３×１０＾１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ＾３。
马农农刘容
关键词：二次离子质谱硅砷硼
全选 清除 导出
共1页<1>
聚类工具0